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齊納，LED 齊納 是什么

來源：整理 時(shí)間：2023-08-29 13:19:35 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，LED 齊納 是什么

這里的齊納應(yīng)該是指齊納二極管。用于保護(hù)LED芯片。

LED 齊納 是什么

2，齊納效應(yīng)什么意思

當(dāng)P-N結(jié)上施加了很低的反向電壓時(shí)，在量子效應(yīng)下，P-N結(jié)將開始導(dǎo)電，這種現(xiàn)象稱之為齊納效應(yīng)。
同問。。。

齊納效應(yīng)什么意思

3，齊納二極管是什么

穩(wěn)壓二極管（又叫齊納二極管）,此二極 管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具 有很高電阻的器件。到了反向擊穿區(qū)，電流變化雖然大，但是電壓幾乎不變，這就是它穩(wěn)壓的原理。

齊納二極管是什么

4，齊納二極管是什么二極管肖特基二極管是什么二極管TVS管是什么

齊納二極管就是穩(wěn)壓二極管。實(shí)際上用于反向擊穿的二極管均可稱呼為齊納二極管。TVS管（Transient Voltage Suppression）是一種限壓保護(hù)器件,是利用器件的非線性特性將過電壓鉗位到一個(gè)較低的電壓值實(shí)現(xiàn)對后級電路的保護(hù)。TVS管的主要參數(shù)有：反向擊穿電壓、最大鉗位電壓、瞬間功率、結(jié)電容、響應(yīng)時(shí)間等。
齊納二極管是穩(wěn)壓二極管。肖特基二極管是低導(dǎo)通電壓快速二極管。TVS管是瞬變電壓抑制二極管（屬于瞬間大電流穩(wěn)壓二極管）
tvs 高壓瞬間保護(hù)二極管: 應(yīng)用於電路保護(hù)上 例如電話 手機(jī)防止雨天雷擊 所以抗壓值較高 (數(shù)百到數(shù)萬)肖特基二極管: 屬整流二極管 但是特點(diǎn)是 vf 較低 0.35-0.56v 但是vr也較小 一般較常用著 只有20-90v 穩(wěn)壓二極管:主要是穩(wěn)定電壓用 用於電路保護(hù)用 一般非直流電源中(即電源轉(zhuǎn)換器上)都有此器件 常用電壓值約3.6-36v間

5，什么是齊納二極管

齊納二極管就是通常說的穩(wěn)壓二極管。其特點(diǎn)就是反向通電尚未擊穿前，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。
齊納二極管(又叫穩(wěn)壓二極管)此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很少的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用.其伏安特性,穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。齊納二極管不同于鍺二極管的是：如果反向電壓，有時(shí)簡稱為“偏壓”增加到某個(gè)特殊值，對于一個(gè)微小偏壓的變化，就會(huì)使電流產(chǎn)生一個(gè)可觀的增加。引起這種效應(yīng)的電壓稱為“擊穿”電壓或“齊納”電壓。2dw7型管的擊穿電壓在5．8－6．5v之間，極大電流是30ma。
穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)是一種硅材料制成的面接觸型晶體二極管，簡稱穩(wěn)壓管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時(shí)，在一定的電流范圍內(nèi)（或者說在一定功率損耗范圍內(nèi)），端電壓幾乎不變，表現(xiàn)出穩(wěn)壓特性，因而廣泛應(yīng)用于穩(wěn)壓電源與限幅電路之中。穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的。

6，齊納擊穿求解釋

ZENER BREAKDOWN　　在高摻雜的情況下，因耗盡層寬度很小，不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強(qiáng)的電場，而直接破壞共價(jià)鍵，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子—空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。也稱為隧道擊穿。齊納擊穿是暫時(shí)性的，可以恢復(fù)?！　↓R納擊穿一般發(fā)生在低反壓、高摻雜的情況下。隧道擊穿 　是半導(dǎo)體物理的概念。 隧道擊穿(齊納擊穿)：隧道擊穿是在強(qiáng)電場作用下，由隧道效應(yīng)，使大量電子從價(jià)帶穿過禁帶而進(jìn)入到導(dǎo)帶所引起的一種擊穿現(xiàn)象。因?yàn)樽畛跏怯升R納提出來解釋電介質(zhì)擊穿現(xiàn)象的，故叫齊納擊穿。 當(dāng)p-n結(jié)加反向偏壓時(shí)，勢壘區(qū)能帶發(fā)生傾斜；反向偏壓越大，勢壘越高，勢壘區(qū)的內(nèi)建電場也越強(qiáng)，勢壘區(qū)能帶也越加傾斜，甚至可以使n區(qū)的導(dǎo)帶底比p區(qū)的價(jià)帶頂還低。內(nèi)建電場E使p區(qū)的價(jià)帶電子得到附加勢能q|E|x；當(dāng)內(nèi)建電場|E|大到某值以后，價(jià)帶中的部分電子所得到的附加勢能q|E|x可以大于禁帶寬度；如果p區(qū)價(jià)帶中的A點(diǎn)和n區(qū)導(dǎo)帶中的B點(diǎn)有相同的能量，則在A點(diǎn)的電子可以過渡到B點(diǎn)。實(shí)際上，這只是說明在由A點(diǎn)和B點(diǎn)的一段距離中，電場給予電子的能量等于禁帶寬度。因?yàn)锳和B之間隔著水平距離為的禁帶,所以電子從A到B的過渡一般不會(huì)發(fā)生。隨著反向偏壓的增大,勢壘區(qū)的電場增強(qiáng)，能帶更加傾斜，將變得更短。當(dāng)反向偏壓達(dá)到一定數(shù)值，短到一定程度時(shí)，量子力學(xué)證明，p區(qū)價(jià)帶中的電子將通過隧道效應(yīng)穿過禁帶而到達(dá)n區(qū)導(dǎo)帶中。
半導(dǎo)體工藝中，由高純度的本征半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜，從而形成不同的形態(tài)。如果摻雜5價(jià)原子因電子數(shù)大于空穴數(shù)即稱為n型半導(dǎo)體，若摻雜3價(jià)原子因電子數(shù)小于空穴數(shù)即稱為p型半導(dǎo)體。空穴和電子都能搬運(yùn)電荷，因而稱載流子。將兩種形態(tài)的半導(dǎo)體相鄰結(jié)合到一起，由于彼此所含電子和空穴數(shù)濃度不同，因而相互擴(kuò)散，由濃度高的向濃度低的地方移動(dòng)，電子和空穴會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)相互結(jié)合而消失，以保持中性，這樣形成一段沒有載流子的空間，稱為耗盡層。耗盡層存在電位差，有電場的存在，稱之為內(nèi)電場。在電場的作用下載流子發(fā)生定向移動(dòng)，稱之為漂移。擴(kuò)散使電場增加，空間電荷范圍加大，而漂移則在減弱空間電荷范圍。這種將pn相鄰結(jié)合到一起制成的晶體結(jié)構(gòu)，稱之為pn結(jié)。pn結(jié)在沒有外力的情況下，處于熱平衡狀態(tài)，這種平衡狀態(tài)是處于動(dòng)態(tài)之中的，即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)行達(dá)成的平衡狀態(tài)。pn結(jié)的外加電壓，如果p端的電位高于n端的電位，這樣的外電電場削弱了內(nèi)電場，有利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散,形成從p流向n的電流，稱為正向偏置，反之，載流子則幾乎不發(fā)生移動(dòng)，稱為反向偏置。反向電壓大于某一值時(shí)，會(huì)有導(dǎo)致pn結(jié)擊穿，稱為齊納擊穿或隧道擊穿。另一種情況，是pn結(jié)兩側(cè)的雜質(zhì)濃度過小，在高的反向電壓作用下，引起價(jià)鍵的斷裂，從而使電流成倍增加，稱為電子雪崩現(xiàn)象或雪崩擊穿。pn結(jié)制作成元器件使用就是二極管。pn結(jié)，p區(qū)空穴向n區(qū)擴(kuò)散，n區(qū)電子向p區(qū)擴(kuò)散，在相遇處復(fù)合。p區(qū)空穴擴(kuò)散后留下負(fù)離子，而n區(qū)電子擴(kuò)散后留下正離子，形成由n指向p的內(nèi)電場。正向偏置時(shí)，p區(qū)不斷提供復(fù)合留下的負(fù)離子，n區(qū)則復(fù)合留下的正離子，使得內(nèi)電場范圍縮小，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)，平衡狀態(tài)發(fā)生破壞，因而有電流的產(chǎn)生。反向偏置，少數(shù)載流子的漂移處于優(yōu)勢，但因少數(shù)載流子濃度太低，引起的反向電流遠(yuǎn)小于正向電流。所以問題關(guān)鍵在于擴(kuò)散與漂移運(yùn)動(dòng)是否平衡。半導(dǎo)體三極管，存在兩個(gè)pn結(jié)，了解半導(dǎo)體三極管的工作原理就是要了解這兩個(gè)pn結(jié)的平衡狀態(tài)，在發(fā)生什么變化。 晶體管的制作要求，從濃度大小來看，發(fā)射區(qū)最大，集電區(qū)最小。從尺寸看，集電區(qū)最大，基區(qū)最小。如果條件不能滿足，晶體管將無法工作。
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