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1，jedec 和jesd 有什么關(guān)系
2，電子元件說明中的JESD是什么意思Latch Up performance Exceed
3，JESD是什么意思
4，jesd 201 class type是什么意思
5，如何讓JESD204B在FPGA上工作
6，內(nèi)存DDR是什么意思啊

1，jedec 和jesd 有什么關(guān)系

夫妻關(guān)系！為了回答數(shù)。瞎猜的！

a114-a jedec

jedec 和jesd 有什么關(guān)系

2，電子元件說明中的JESD是什么意思Latch Up performance Exceed

翻譯為:根據(jù)JESD17標準，閂鎖性能大于250mA.

支持一下感覺挺不錯的

電子元件說明中的JESD是什么意思Latch Up performance Exceed

3，JESD是什么意思

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固態(tài)半導體工業(yè)可靠性標準

JESD是什么意思

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5，如何讓JESD204B在FPGA上工作

FPGA介紹：　　FPGA（Field－Programmable Gate Array）是現(xiàn)場可編程門陣列的簡稱，簡單來說是一種邏輯數(shù)字電路設(shè)計的方法。它是作為專用集成電路（ASIC）領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的，既解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路數(shù)有限的缺點。FPGA的應用領(lǐng)域最初為通信領(lǐng)域，但目前，隨著信息產(chǎn)業(yè)和微電子技術(shù)的發(fā)展，可編程邏輯嵌入式系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)已經(jīng)成為信息產(chǎn)業(yè)最熱門的技術(shù)之一，應用范圍遍及航空航天、醫(yī)療、通訊、網(wǎng)絡通訊、安防、廣播、汽車電子、工業(yè)、消費類市場、測量測試等多個熱門領(lǐng)域。并隨著工藝的進步和技術(shù)的發(fā)展，向更多、更廣泛的應用領(lǐng)域擴展。FPGA從事的工作主要分為硬件部分和軟件部分：硬件工程師主要根據(jù)FPGA的數(shù)據(jù)手冊分析其內(nèi)部構(gòu)架，工作環(huán)境及相關(guān)驅(qū)動條件來構(gòu)造硬件平臺，需具備良好的英語水平，深厚的模電數(shù)電功底，電路與系統(tǒng)、信號完整性及EMC相關(guān)知識，和精通一款制圖軟件；FPGA軟件工程師主要負責一些相關(guān)的算法，并以軟件代碼加以實現(xiàn)，你做什么行業(yè)的產(chǎn)品就要掌握什么行業(yè)的一系列專業(yè)課程，和一種編程語言（V/VHDL）-硬件描述語言。EMC解釋：：（Electro Magnetic Compatibility）-電磁兼容性，是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。

6，內(nèi)存DDR是什么意思啊

簡單地說就是雙通道內(nèi)存的意思。 DDR內(nèi)存現(xiàn)在漸漸成為內(nèi)存市場中新的寵兒，因其合理的性價比從其誕生以來一直受到人們熱烈的期望，希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬，就連對Rambus抱有無限希望的Intel公司也向外界宣布將以最快的速度生產(chǎn)支持DDR內(nèi)存的新一代P4系統(tǒng)。不難看出，DDR真的是大勢所趨。近來市場上已聞諸多廠商開始陸續(xù)推出自己的DDR內(nèi)存產(chǎn)品，國際上少數(shù)內(nèi)存生產(chǎn)商之一的金士頓公司（Kingston）其實在去年年底就已完成了批量生產(chǎn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)線的建設(shè)，現(xiàn)在金士頓公司(Kingston)已準備開始向全球接受訂單開始大量供貨了。那么究竟什么是DDR內(nèi)存呢？其技術(shù)優(yōu)勢又在何處呢？請讓我們先了解一下這樣新的事物。 DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率）。DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。這一新技術(shù)使新一代的高性能計算機系統(tǒng)成為可能，包括臺式機、工作站、服務器、便攜式，也包括新的通信產(chǎn)品，如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應用于高性能圖形適配器。 DDR DIMMs與SDRAM DIMMs的物理元數(shù)相同，但兩側(cè)的線數(shù)不同，DDR應用184pins，而SDRAM則應用168pins。因此，DDR內(nèi)存不向后兼容e799bee5baa6e79fa5e98193e58685e5aeb931333231386139SDRAM，要求專為DDR設(shè)計的主板與系統(tǒng)。 DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進步。DDR內(nèi)存芯片由半導體制造商用現(xiàn)有的晶圓片，程序及測試設(shè)備生產(chǎn)，從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。主要的技術(shù)及芯片公司，包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支持DDR內(nèi)存在2000的Q4中已獲引進，在2001年將被大量采用。 DDR DIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導體工業(yè)標準化組織。大約300家會員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標準，積極合作來發(fā)展符合行業(yè)需求的標準體系。Kingston是JEDEC的長期會員，并且是JEDEC的理事會成員

DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率）。DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。這一新技術(shù)使新一代的高性能計算機系統(tǒng)成為可能，包括臺式機、工作站、服務器、便攜式，也包括新的通信產(chǎn)品，如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應用于高性能圖形適配器。 DDR DIMMs與SDRAM DIMMs的物理元數(shù)相同，但兩側(cè)的線數(shù)不同，DDR應用184pins，而SDRAM則應用168pins。因此，DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM，要求專為DDR設(shè)計的主板與系統(tǒng)。 DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進步。DDR內(nèi)存芯片由半導體制造商用現(xiàn)有的晶圓片，程序及測試設(shè)備生產(chǎn)，從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。主要的技術(shù)及芯片公司，包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支e799bee5baa6e79fa5e98193e58685e5aeb931333231386139持DDR內(nèi)存在2000的Q4中已獲引進，在2001年將被大量采用。 DDR DIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導體工業(yè)標準化組織。大約300家會員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標準，積極合作來發(fā)展符合行業(yè)需求的標準體系。Kingston是JEDEC的長期會員，并且是JEDEC的理事會成員

DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。其最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數(shù)據(jù)處理，使數(shù)據(jù)傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于尋址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。 DDR SDRAM模塊部份與SDRAM模塊相比，改為采用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣接口則由「LVTTL」改變?yōu)椤窼STL2」。在其它組件或封裝上則與SDRAM模塊相同。DDR SDRAM模塊一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與SDRAM的模塊并不兼容。 DDR SDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDR SDRAM則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為e69da5e6ba90e799bee5baa6e79fa5e9819331333231386139命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其實與 PC1600 是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266與PC2100 也是一樣的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。 DDR SDRAM 在規(guī)格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指內(nèi)存在收到訊號后，要等待多少個系統(tǒng)時鐘周期后才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看內(nèi)存顆粒的原始設(shè)定值，否則會造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定)也有所區(qū)別。按照電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會（JEDEC）的定義(規(guī)格書編號為JESD79)：DDR SDRAM一共有兩種CAS延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 CL= 2 加上 PC 2100 規(guī)格的 DDR SDRAM稱作 DDR 266A，而較慢的 CL= 2.5 加上PC 2100規(guī)格的DDR SDRAM 則稱作 DDR 266B。另外，較慢的 PC1600 DDR SDRAM 在這方面則是沒有特別的編號。

http://www.2000year.com/ebjishu/ebanquan/pc/200603/1233.html這里有你要的答案DDR究竟為何物呢？DDR（Double Data Rate）SDRAM ，即支持倍速資料傳輸?shù)膬?nèi)存芯片，它是目前SDRAM的更新產(chǎn)品。DDR 的核心建立在SDRAM的基礎(chǔ)上，但在速度和容量上都有了提高。首先，它使用了更多、更先進的同步電路。其次，DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL，延時鎖定回路)來提供一個數(shù)據(jù)濾波信號（DataStrobe signal）。當數(shù)據(jù)有效時，存儲器控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16位輸出一次，并且同步來自不同的雙存儲器模塊的數(shù)據(jù)。它不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，并且允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而在相同頻率下，其速度是標準SDRAM的兩倍。從外形上看DDR與傳統(tǒng)的SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣e799bee5baa6e4b893e5b19e31333231386139的長度與同樣的管腳距離。然而，DDR內(nèi)存具有184只管腳和一個小缺口，從管腳數(shù)上看DDR內(nèi)存比傳統(tǒng)的SDRAM多出16只管腳，這些管腳主要包含了新的閥門控制、時鐘、電源和接地等信號。JEDEC把DDR內(nèi)存的規(guī)格定義為PC1600和PC2100，傳統(tǒng)的稱呼是基于時鐘頻率命名，而現(xiàn)行的DDR內(nèi)存是基于傳輸速率命名。 DDR內(nèi)存雖然采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準，但是它仍然可以沿用現(xiàn)有的SDRAM生產(chǎn)體系，對于內(nèi)存制造商而言，只要對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，只是生產(chǎn)成本比SDRAM略高10%左右，但還是遠低于RAMBUS內(nèi)存的生產(chǎn)成本。從性能上看，規(guī)格為PC2100的內(nèi)存條的標稱帶寬可以達到2.218GB/s，在其他配置完全相同的情況下使用DDR內(nèi)存系統(tǒng)的整體性能要比使用SDRAM內(nèi)存的系統(tǒng)提高10%左右。此外，DDR內(nèi)存還具有較短的反應時間，在系統(tǒng)總線頻率不超過400MHz的情況下，使用DDR內(nèi)存的整機性能要高于使用RAMBUS內(nèi)存的整機。也許是因為這些優(yōu)點，DDR內(nèi)存獲得了眾多廠商的認同。由于DDR SDRAM內(nèi)存標準有著很好的發(fā)展前景，幾乎每個芯片組廠商都會推出支持DDR SDRAM內(nèi)存的主板芯片組，而目前已經(jīng)有產(chǎn)品上市的則包括業(yè)界幾大重要廠商威盛、AMD、揚智、矽統(tǒng)。

ddr sdram（double data rate二倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）作為sdram的換代產(chǎn)品，它具有兩大特點：其一，速度比sdram有一倍的提高；其二，采用了dll（delay locked loop：延時鎖定回路）提供一個數(shù)據(jù)濾波信號。這是目前內(nèi)存市場上的主流模式。顧名思義，ddr就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”，也就意味著有“單”，我們?nèi)粘Ｋ褂玫膕dram都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”，這種內(nèi)存的特性是在一個內(nèi)存時鐘周期中，在一個方波上升沿時進行一次操作(讀或?qū)?，而ddr則引用了一種新的設(shè)計，其在一個內(nèi)存時鐘周期中，在方波上升沿時進行一次操作，在方波的下降沿時也做一次操作，之所以在一個時鐘周期中，ddr則可以完成sdram兩個周期才能完成的任務，所以理論上同速率的ddr內(nèi)存與sdr內(nèi)存相比，性能要超出一倍，可以簡單理解為 100mhz ddr=200mhz sdr。

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