砷化鎵(化學(xué)式 GaAs砷化鎵什么樣的化合物化學(xué)式GaAs。砷化鎵，化學(xué)式GaAs .砷化鎵，化學(xué)式GaAs .砷化鎵是原子晶體嗎砷化鎵(GaAs)其實是化合物晶體，不是原子晶體，砷化鎵的反應(yīng)方程式合成為第二代半導(dǎo)體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而被譽為“半導(dǎo)體貴族”。

(1)GaAs(2)NH3 > As H3 > PH3(3)>(4)BCD根據(jù)細(xì)胞的結(jié)構(gòu)，每個砷化鎵細(xì)胞含有4個As原子和4個Ga原子，所以砷化鎵 has。(2)N、P、As為同一主族元素，氫化物結(jié)構(gòu)相似。相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，沸點越高。但由于NH3分子間形成氫鍵，沸點異常高，所以它們的氫化物沸點順序為NH3>AsH3>PH3。

(4)結(jié)合GaAs的細(xì)胞結(jié)構(gòu)圖，可以看出其細(xì)胞結(jié)構(gòu)與NaCl不同；在GaAs的晶胞中，每個Ga原子與四個As原子連接形成正四面體。結(jié)合(3)中對Ga的分析，可以從As在元素周期表中的位置得知其電負(fù)性:As > GA在GaAs的晶胞中，每個Ga原子與四個As原子形成四個共價鍵。由于Ga原子最外層只有三個電子，一個共價鍵的電子對完全由As原子提供，形成配位鍵。

(1)細(xì)胞中黑球數(shù)為4，白球數(shù)為8×18 6×124，原子數(shù)為1: 1，則砷化鎵 化學(xué)式為CaAs；鎵原子位于頂點，為8個晶胞所共有，4個As原子均勻分布在晶胞中心，即離鎵原子最近的As原子個數(shù)為4，即配位數(shù)為4，所以答案為:CaAs，4；(2) A .在GaAs晶體中，As分布在胞體中心，Ga分布在頂點和面中心，而在NaCl中，陰離子和陽離子分別位于胞體的頂點、面中心、邊緣和胞體中心，其結(jié)構(gòu)不同，故A是錯誤的；b .計算GaP，SiC和砷化鎵的價電子。如果Ga的價電子是3，P的價電子是5，那么GaP的價電子是8，Si和C的價電子是4，As的價電子是5，砷化鎵的價電子是8，GaP和C的價電子是8。所以選b；(3)反應(yīng)為(CH3)3Ga和AsH3，生成GaAs。根據(jù)質(zhì)量守恒，應(yīng)該還有CH4。該反應(yīng)的化學(xué)方程式為:(CH3)3Ga AsH3700℃。GaAs 3CH4，所以答案是:(CH3)3Ga AsH3700℃。GaAs 3CH4。

屬于閃鋅礦晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為5.65×1010m，熔點為1237℃，帶隙寬度為1.4 eV。砷化鎵，化學(xué)式GaAs .黑灰色固體，熔點1238℃。它能在低于600℃的空氣中穩(wěn)定存在，不受非氧化性酸的腐蝕。主要用于制造光電器件(LCD)、激光器(LD)、場效應(yīng)晶體管(FET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)、高速器件和微波單片集成電路(MMIC)、微波/毫米波集成電路(MIMIC)、高速集成電路和太陽能電池。

砷化鎵(GaAs)其實是化合物晶體，不是原子晶體。Its 化學(xué)式是GaAs，代表鎵(Ga)和砷(As)的比例和組合。砷化鎵晶體是由鎵和砷原子通過共價鍵結(jié)合在一起，形成特定的晶體結(jié)構(gòu)，即閃鋅礦的晶體結(jié)構(gòu)。因為組成原子晶體的粒子是原子，而砷化鎵含有砷原子和鎵原子，粒子之間的作用力是共價鍵，所以晶體的熔點和沸點是由共價鍵的鍵長和鍵能決定的。

作為第二代半導(dǎo)體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而被譽為“半導(dǎo)體貴族”。2001年7月31日，中國科學(xué)家宣布，他們掌握了生產(chǎn)這種材料的新技術(shù)，使中國成為繼日本和德國之后又一個掌握這種技術(shù)的國家。北京有色金屬研究總院宣布，國內(nèi)首塊直徑4英寸的VCZ半絕緣砷化鎵單晶拉制成功。砷化鎵，化學(xué)式GaAs .黑灰色固體，熔點1238℃。

7、 砷化鎵屬于哪類化合物

/GaAs .黑灰色固體，熔點1238℃。在低于600℃的空氣中能穩(wěn)定存在，不被酸氧化，GaAs是一種原子晶體和共價化合物。其晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)，由面心立方晶格嵌套而成，每個鎵原子通過共價鍵與其周圍的四個砷原子結(jié)合。然而，在砷化鎵中GaAs原子之間的鍵合不是純共價鍵，由于Ga和As的電負(fù)性不同，產(chǎn)生極性，稱為極性鍵，具有離子鍵的特征，所以砷化鎵中的離子鍵組成約為37%。