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叉指電極，在protel中如何畫叉指電極

來源：整理 時(shí)間：2025-02-01 04:58:46 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，在protel中如何畫叉指電極

畫原理圖時(shí)，芯片的一個(gè)引腳字母上有橫線，試了好久都沒能把它搞出來，工具基本上都用上了。書上說在后面加個(gè)“\”，但只出來一很短的，沒有原理圖上那樣的效果。畫多了才發(fā)現(xiàn)“\”畫在哪個(gè)字母的后面，橫線就出現(xiàn)在那個(gè)字母的上面，要想整個(gè)上面都有橫線，應(yīng)該在每個(gè)字母的后面都加上“\”

在protel中如何畫叉指電極

2，聲表面濾波器的介紹

聲表面濾波器是在一塊具有壓電效應(yīng)的材料基片上蒸發(fā)一層金屬膜，然后經(jīng)光刻，在兩端各形成一對(duì)叉指形電極組成。當(dāng)在發(fā)射換能器上加上信號(hào)電壓后，就在輸入叉指電極間形成一個(gè)電場(chǎng)使壓電材料發(fā)生機(jī)械振動(dòng)（即超聲波）以超聲波的形式向左右兩邊傳播，向邊緣一側(cè)的能量由吸聲材料所吸收。在接收端，由接收換能器將機(jī)械振動(dòng)再轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并由叉指形電極輸出。

聲表面濾波器的介紹

3，電視機(jī)里靠近CPU的鐵圓餅形的 五個(gè)腳的 型號(hào)是F3826是什么元器件

這個(gè)是38MHZ聲表面濾波器，作用是對(duì)中頻信號(hào)交聯(lián)和濾波。
是聲表面濾波器---聲表面波濾波器是利用石英、鈮酸鋰、鈦酸鋇晶體具有壓電效應(yīng)的性質(zhì)做成的。（單腳）輸入叉指電極間形成一個(gè)電場(chǎng)使壓電材料發(fā)生機(jī)械振動(dòng)（即超聲波）以超聲波的形式向左右兩邊傳播，向邊緣一側(cè)的能量由吸聲材料所吸收。在接收端，由接收換能器將機(jī)械振動(dòng)再轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并由叉指形電極輸出（雙腳腳輸出），由于這種聲波只在晶體表面?zhèn)鞑?，故稱為聲表面波器。
聲表面濾波器，很好換的，他壞了起雪花。
聲表面濾波器壞了不出人
型號(hào)F3526這個(gè)是屬于濾波器。

電視機(jī)里靠近CPU的鐵圓餅形的 五個(gè)腳的 型號(hào)是F3826是什么元器件

4，聲表面濾波器的結(jié)構(gòu)符號(hào)和原理

表面波濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào)如下圖所示。它是以石英、鈮酸鋰或釬鈦酸鉛等壓電晶體為基片，經(jīng)表 面拋光后在其上蒸發(fā)一層金屬膜，通過光刻工藝制成兩組具有能量轉(zhuǎn)換功能的交叉指型的金屬電極，分別稱為輸入叉指換能器和輸出叉指換能器。當(dāng)輸入叉指換能器 接上交流電壓信號(hào)時(shí)，壓電晶體基片的表面就產(chǎn)生振動(dòng)，并激發(fā)出與外加信號(hào)同頻率的聲波，此聲波主要沿著基片的表面的與叉指電極升起的方向傳播，故稱為聲表面濾波，其中一個(gè)方向的聲波被除數(shù)吸聲材料吸收，別一方向的聲波則傳送到輸出叉指換能器，被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出。聲表面波濾波器具有工作頻率高、通頻帶寬、選頻特性好、體積小和重量輕等特點(diǎn)，并且可采用與集成電路相同的生產(chǎn)工藝，制造簡單，成本低，頻率特性的一致性好，因此廣泛應(yīng)用于 各種電子設(shè)備中。在聲表面波濾波器中，信號(hào)經(jīng)過電-聲-電的兩次轉(zhuǎn)換，由于基片的壓電效應(yīng)，則叉指換能器具有選頻特性。顯然，兩個(gè)叉指換能器的共同作用，使聲表面波濾波器的選頻特性較為理想。下圖為聲表面波濾波器的幅頻特性。

5，聲表面波的工作原理

聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個(gè)聲一電換能器―叉指換能器。所謂叉指換能器，就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實(shí)現(xiàn)聲一電換能。聲表面波器件的工作原理是，基片左端的換能器（輸入換能器）通過逆壓電效應(yīng)將輸入的電信號(hào)轉(zhuǎn)變成聲信號(hào)，此聲信號(hào)沿基片表面?zhèn)鞑?，最終由基片右邊的換能器（輸出換能器）將聲信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出。整個(gè)聲表面波器件的功能是通過對(duì)在壓電基片上傳播的聲信號(hào)進(jìn)行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。當(dāng)我們把電壓加載在壓電晶體如石英的電極上，那么由于壓電效應(yīng)就會(huì)在壓電晶體的晶格中形成機(jī)械畸變。所謂的聲表面波就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生并傳播、并且其振幅隨深入基片材料的深度的增加而迅速減少的彈性波。聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個(gè)0.1μm厚的鋁膜構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)即聲電換能器（叉指換能器）。叉指換能器就是采用半導(dǎo)體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，再把設(shè)計(jì)好的兩個(gè)IDT的掩膜圖案利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。聲電轉(zhuǎn)換器的形狀是指狀電極結(jié)構(gòu)，即手指相互交叉的形式。每兩個(gè)這種相互交叉的指狀系統(tǒng)構(gòu)成一個(gè)指間轉(zhuǎn)換器或者叉指換能器。其工作原理是：輸入換能器將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成聲波信號(hào)，沿晶體表面?zhèn)鞑ィ敵鰮Q能器再將接收到的聲波信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。
聲表面濾波器是在一塊具有壓電效應(yīng)的材料基片上蒸發(fā)一層金屬膜，然后經(jīng)光刻，在兩端各形成一對(duì)叉指形電極組成。當(dāng)在發(fā)射換能器上加上信號(hào)電壓后，就在輸入叉指電極間形成一個(gè)電場(chǎng)使壓電材料發(fā)生機(jī)械振動(dòng)（即超聲波）以超聲波的形式向左右兩邊傳播，向邊緣一側(cè)的能量由吸聲材料所吸收。在接收端，由接收換能器將機(jī)械振動(dòng)再轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，并由叉指形電極輸出。聲表濾波器(通常簡稱saw)主要作用原理是利用壓電材料的壓電特性，利用輸入與輸出換能器（transducer）將電波的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成機(jī)械能，經(jīng)過處理后，再把機(jī)械能轉(zhuǎn)換成電的信號(hào)，以達(dá)到過濾不必要的信號(hào)及雜訊，提升收訊品質(zhì)的目標(biāo)。

6，叉指電極上半導(dǎo)體的電阻一般多大

電阻率小于10^(-5)Ω61m的稱導(dǎo)電體，如金屬材料等。 電阻率大于10^8Ω61m的稱絕緣體，如陶瓷、橡膠、塑料等材料。 介于兩者之間的稱半絕緣體或半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體及其基本特性 1.1 金屬 - 半導(dǎo)體 - 絕緣體 我們知道，自然界中的物質(zhì)大致可分為氣體、液體、固體、等離子體 4 種基本形態(tài)。在固體材料中，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異，又可分為金屬、半導(dǎo)體和絕緣體。例如，銅、鋁、金、銀等金屬；它們的導(dǎo)電本領(lǐng)都很大，是良好的導(dǎo)體；橡膠、塑料、電木等導(dǎo)電本領(lǐng)很小，是絕緣體；制造半導(dǎo)體器件的主要材料硅、鍺、砷化鎵等，它們的導(dǎo)電本領(lǐng)比導(dǎo)體小而比絕緣體大，叫做半導(dǎo)體。 物體導(dǎo)電本領(lǐng)的大小可用 電 阻 率 來表示。金屬導(dǎo)體的電阻率約在 10 -4 w ·cm 以下，絕緣體的電阻率約在 10 9 w ·cm 以上，半導(dǎo)體的電子率是介于二者之間，約在 10 -4 ~ 10 9 w ·cm 。 圖 1.1 列出這三類中一些重要材料的電阻率和 電導(dǎo)率 。 圖 1.1 1.2 常見的半導(dǎo)體材料 ? 元素半導(dǎo)體 有關(guān)半導(dǎo)體材料的研究開始于 19 世紀(jì)初。多年以來許多半導(dǎo)體已被研究過。 表 1.1 列出周期表中有關(guān)半導(dǎo)體元素的部分。在周期表第 iv 族中的元素如硅（ si ）、鍺（ ge ）都是由單一原子所組成的元素半導(dǎo)體。在 20 世紀(jì) 50 年代初期，鍺曾是最主要的半導(dǎo)體材料。但自 60 年代初期以來，硅已取而代之成為半導(dǎo)體制造的主要材料?，F(xiàn)今我們使用硅的主要原因，乃是因?yàn)楣杵骷谑覝叵掠休^佳，且高品質(zhì)的硅氧化層可由熱生長的方式產(chǎn)生。經(jīng)濟(jì)上的考慮也是原因之一，可用于制造器件等級(jí)的硅材料，遠(yuǎn)比其他半導(dǎo)體材料價(jià)格低廉。在二氧化硅及硅酸鹽中的硅含量占地表的 25 ％，僅次于氧。到目前為止，硅可說是周期表中被研究最多且技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體 元素 。 表 1.1 周期表中于半導(dǎo)體相關(guān)的部分 ? 化合物半導(dǎo)體 近年來一些 化合物 半導(dǎo)體已被應(yīng)用于各種器件中。 表 1.2 列出與兩種元素半導(dǎo)體同樣重要的化合物半導(dǎo)體。二元化合物半導(dǎo)體是由周期表中的兩種元素組成。例如， iii-v 族元素化合物半導(dǎo)體砷化鎵（ gaas ）是由 iii 族元素鎵（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所組成。 除了二元化合物半導(dǎo)體外，三元及四元半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體也各有其特殊用途。由 iii 族元素鋁（ al ）、鎵（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所組成的合金半導(dǎo)體 al x ga 1-x as 即是一種三元化合物半導(dǎo)體，而具有 a x b 1-x c y d 1-y 形式的四元化合物半導(dǎo)體則可由許多二元及三元化合物半導(dǎo)體組成。例如，合金半導(dǎo)體 ga x in 1-x as y p 1-y 是由磷化鎵（ gap ）、磷化銦（ inp ）、砷化銦（ inas ）及砷化鎵（ gaas ）所組成。與元素半導(dǎo)體相比，制作單晶體形式的化合物半導(dǎo)體通常需要較復(fù)雜的程序。 許多化合物半導(dǎo)體具有與硅不同的電和光的特性。這些半導(dǎo)體，特別是砷化鎵（ gaas ），主要用于高速光電器件。雖然化合物半導(dǎo)體的技術(shù)不如硅半導(dǎo)體技術(shù)成熟，但硅半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，也同時(shí)帶動(dòng)化合物半導(dǎo)體技術(shù)的成長。 1.3 半導(dǎo)體導(dǎo)電性的特點(diǎn) 實(shí)際上，金屬、半導(dǎo)體和絕緣體之間的界限并不是絕對(duì)的。通常，當(dāng)半導(dǎo)體中的雜質(zhì)含量很高時(shí)，電導(dǎo)率很高，呈現(xiàn)出一定的金屬性，而純凈半導(dǎo)體在低溫下的電導(dǎo)率很低，呈現(xiàn)出絕緣性。一般半導(dǎo)體和金屬的區(qū)別在于半導(dǎo)體中存在著 禁帶 而金屬中不存在禁帶；區(qū)分半導(dǎo)體和絕緣體則更加困難，通常根據(jù)它們的禁帶寬度及其溫度特性加以區(qū)分。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性究竟具有哪些特點(diǎn)呢？大致可歸納以下幾個(gè)方面： （ 1 ）半導(dǎo)體的電阻率對(duì)溫度的反應(yīng)靈敏。純凈半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化很顯著，而且電阻率隨溫度升高而下降。例如純鍺，當(dāng)溫度從 20 o c 升高到 30 o c 時(shí)，電阻率就降低一半左右。而金屬的電阻率隨溫度的變化比較小，而且隨溫度升高電阻率增大。 （ 2 ）微量的雜質(zhì)能顯著地改變半導(dǎo)體的電阻率。例如在純硅中摻入 6 ′ 10 15 /cm 3 的雜質(zhì)磷或銻，即在硅中摻入千萬分之一的雜質(zhì)，就能使它的電阻率從 2.15 ′ 10 5 w ·cm 減小到 1 w ·cm ，降低了 20 萬倍。晶格結(jié)構(gòu)的完整與否也會(huì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有極大的影響。因此在制作半導(dǎo)體器件時(shí)除人為地在半導(dǎo)體中摻入有用雜質(zhì)來控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電性外，還要嚴(yán)格防止一些有害雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的沾污，以免改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，使生產(chǎn)出來的器件質(zhì)量下降，甚至報(bào)廢。但金屬中含有少量雜質(zhì)時(shí)，看不出電阻率會(huì)有什么顯著的變化。 （ 3 ）適當(dāng)?shù)墓庹湛墒拱雽?dǎo)體的電阻率顯著改變。當(dāng)某種頻率的光照射半導(dǎo)體時(shí)，會(huì)使半導(dǎo)體的電阻率顯著下降，這種現(xiàn)象叫光電導(dǎo)。自動(dòng)控制中用到的光敏電阻就是利用半導(dǎo)體的光電導(dǎo)特性來制成的。但是，金屬的電阻率不受光照影響。 總之，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能非常靈敏地依賴于外界條件、材料的純度以及晶體結(jié)構(gòu)的完整性等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能所以有上述特點(diǎn)是由半導(dǎo)體內(nèi)部特殊的微觀結(jié)構(gòu)所決定的，后面將敘述半導(dǎo)體導(dǎo)電的內(nèi)在規(guī)律。
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