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叉指電極，在protel中如何畫叉指電極

來源：整理 時間：2025-02-01 04:58:46 編輯：智能門戶 手機版

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1，在protel中如何畫叉指電極

畫原理圖時，芯片的一個引腳字母上有橫線，試了好久都沒能把它搞出來，工具基本上都用上了。書上說在后面加個“\”，但只出來一很短的，沒有原理圖上那樣的效果。畫多了才發(fā)現(xiàn)“\”畫在哪個字母的后面，橫線就出現(xiàn)在那個字母的上面，要想整個上面都有橫線，應(yīng)該在每個字母的后面都加上“\”

在protel中如何畫叉指電極

2，聲表面濾波器的介紹

聲表面濾波器是在一塊具有壓電效應(yīng)的材料基片上蒸發(fā)一層金屬膜，然后經(jīng)光刻，在兩端各形成一對叉指形電極組成。當在發(fā)射換能器上加上信號電壓后，就在輸入叉指電極間形成一個電場使壓電材料發(fā)生機械振動（即超聲波）以超聲波的形式向左右兩邊傳播，向邊緣一側(cè)的能量由吸聲材料所吸收。在接收端，由接收換能器將機械振動再轉(zhuǎn)化為電信號，并由叉指形電極輸出。

聲表面濾波器的介紹

3，電視機里靠近CPU的鐵圓餅形的 五個腳的 型號是F3826是什么元器件

這個是38MHZ聲表面濾波器，作用是對中頻信號交聯(lián)和濾波。
是聲表面濾波器---聲表面波濾波器是利用石英、鈮酸鋰、鈦酸鋇晶體具有壓電效應(yīng)的性質(zhì)做成的。（單腳）輸入叉指電極間形成一個電場使壓電材料發(fā)生機械振動（即超聲波）以超聲波的形式向左右兩邊傳播，向邊緣一側(cè)的能量由吸聲材料所吸收。在接收端，由接收換能器將機械振動再轉(zhuǎn)化為電信號，并由叉指形電極輸出（雙腳腳輸出），由于這種聲波只在晶體表面?zhèn)鞑?，故稱為聲表面波器。
聲表面濾波器，很好換的，他壞了起雪花。
聲表面濾波器壞了不出人
型號F3526這個是屬于濾波器。

電視機里靠近CPU的鐵圓餅形的 五個腳的 型號是F3826是什么元器件

4，聲表面濾波器的結(jié)構(gòu)符號和原理

表面波濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖及符號如下圖所示。它是以石英、鈮酸鋰或釬鈦酸鉛等壓電晶體為基片，經(jīng)表 面拋光后在其上蒸發(fā)一層金屬膜，通過光刻工藝制成兩組具有能量轉(zhuǎn)換功能的交叉指型的金屬電極，分別稱為輸入叉指換能器和輸出叉指換能器。當輸入叉指換能器 接上交流電壓信號時，壓電晶體基片的表面就產(chǎn)生振動，并激發(fā)出與外加信號同頻率的聲波，此聲波主要沿著基片的表面的與叉指電極升起的方向傳播，故稱為聲表面濾波，其中一個方向的聲波被除數(shù)吸聲材料吸收，別一方向的聲波則傳送到輸出叉指換能器，被轉(zhuǎn)換為電信號輸出。聲表面波濾波器具有工作頻率高、通頻帶寬、選頻特性好、體積小和重量輕等特點，并且可采用與集成電路相同的生產(chǎn)工藝，制造簡單，成本低，頻率特性的一致性好，因此廣泛應(yīng)用于 各種電子設(shè)備中。在聲表面波濾波器中，信號經(jīng)過電-聲-電的兩次轉(zhuǎn)換，由于基片的壓電效應(yīng)，則叉指換能器具有選頻特性。顯然，兩個叉指換能器的共同作用，使聲表面波濾波器的選頻特性較為理想。下圖為聲表面波濾波器的幅頻特性。

5，聲表面波的工作原理

聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器―叉指換能器。所謂叉指換能器，就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現(xiàn)聲一電換能。聲表面波器件的工作原理是，基片左端的換能器（輸入換能器）通過逆壓電效應(yīng)將輸入的電信號轉(zhuǎn)變成聲信號，此聲信號沿基片表面?zhèn)鞑?，最終由基片右邊的換能器（輸出換能器）將聲信號轉(zhuǎn)變成電信號輸出。整個聲表面波器件的功能是通過對在壓電基片上傳播的聲信號進行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。當我們把電壓加載在壓電晶體如石英的電極上，那么由于壓電效應(yīng)就會在壓電晶體的晶格中形成機械畸變。所謂的聲表面波就是在壓電基片材料表面產(chǎn)生并傳播、并且其振幅隨深入基片材料的深度的增加而迅速減少的彈性波。聲表面波濾波器的基本結(jié)構(gòu)是在具有壓電特性的基片材料拋光面上制作兩個0.1μm厚的鋁膜構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)即聲電換能器（叉指換能器）。叉指換能器就是采用半導(dǎo)體集成電路的平面工藝，在壓電基片表面蒸鍍一定厚度的鋁膜，再把設(shè)計好的兩個IDT的掩膜圖案利用光刻方法沉積在基片表面，分別作為輸入換能器和輸出換能器。聲電轉(zhuǎn)換器的形狀是指狀電極結(jié)構(gòu)，即手指相互交叉的形式。每兩個這種相互交叉的指狀系統(tǒng)構(gòu)成一個指間轉(zhuǎn)換器或者叉指換能器。其工作原理是：輸入換能器將電信號轉(zhuǎn)換成聲波信號，沿晶體表面?zhèn)鞑?，輸出換能器再將接收到的聲波信號轉(zhuǎn)換成電信號輸出。
聲表面濾波器是在一塊具有壓電效應(yīng)的材料基片上蒸發(fā)一層金屬膜，然后經(jīng)光刻，在兩端各形成一對叉指形電極組成。當在發(fā)射換能器上加上信號電壓后，就在輸入叉指電極間形成一個電場使壓電材料發(fā)生機械振動（即超聲波）以超聲波的形式向左右兩邊傳播，向邊緣一側(cè)的能量由吸聲材料所吸收。在接收端，由接收換能器將機械振動再轉(zhuǎn)化為電信號，并由叉指形電極輸出。聲表濾波器(通常簡稱saw)主要作用原理是利用壓電材料的壓電特性，利用輸入與輸出換能器（transducer）將電波的輸入信號轉(zhuǎn)換成機械能，經(jīng)過處理后，再把機械能轉(zhuǎn)換成電的信號，以達到過濾不必要的信號及雜訊，提升收訊品質(zhì)的目標。

6，叉指電極上半導(dǎo)體的電阻一般多大

電阻率小于10^(-5)Ω61m的稱導(dǎo)電體，如金屬材料等。 電阻率大于10^8Ω61m的稱絕緣體，如陶瓷、橡膠、塑料等材料。 介于兩者之間的稱半絕緣體或半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體及其基本特性 1.1 金屬 - 半導(dǎo)體 - 絕緣體 我們知道，自然界中的物質(zhì)大致可分為氣體、液體、固體、等離子體 4 種基本形態(tài)。在固體材料中，根據(jù)其導(dǎo)電性能的差異，又可分為金屬、半導(dǎo)體和絕緣體。例如，銅、鋁、金、銀等金屬；它們的導(dǎo)電本領(lǐng)都很大，是良好的導(dǎo)體；橡膠、塑料、電木等導(dǎo)電本領(lǐng)很小，是絕緣體；制造半導(dǎo)體器件的主要材料硅、鍺、砷化鎵等，它們的導(dǎo)電本領(lǐng)比導(dǎo)體小而比絕緣體大，叫做半導(dǎo)體。 物體導(dǎo)電本領(lǐng)的大小可用 電 阻 率 來表示。金屬導(dǎo)體的電阻率約在 10 -4 w ·cm 以下，絕緣體的電阻率約在 10 9 w ·cm 以上，半導(dǎo)體的電子率是介于二者之間，約在 10 -4 ~ 10 9 w ·cm 。 圖 1.1 列出這三類中一些重要材料的電阻率和 電導(dǎo)率 。 圖 1.1 1.2 常見的半導(dǎo)體材料 ? 元素半導(dǎo)體 有關(guān)半導(dǎo)體材料的研究開始于 19 世紀初。多年以來許多半導(dǎo)體已被研究過。 表 1.1 列出周期表中有關(guān)半導(dǎo)體元素的部分。在周期表第 iv 族中的元素如硅（ si ）、鍺（ ge ）都是由單一原子所組成的元素半導(dǎo)體。在 20 世紀 50 年代初期，鍺曾是最主要的半導(dǎo)體材料。但自 60 年代初期以來，硅已取而代之成為半導(dǎo)體制造的主要材料。現(xiàn)今我們使用硅的主要原因，乃是因為硅器件在室溫下有較佳，且高品質(zhì)的硅氧化層可由熱生長的方式產(chǎn)生。經(jīng)濟上的考慮也是原因之一，可用于制造器件等級的硅材料，遠比其他半導(dǎo)體材料價格低廉。在二氧化硅及硅酸鹽中的硅含量占地表的 25 ％，僅次于氧。到目前為止，硅可說是周期表中被研究最多且技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體 元素 。 表 1.1 周期表中于半導(dǎo)體相關(guān)的部分 ? 化合物半導(dǎo)體 近年來一些 化合物 半導(dǎo)體已被應(yīng)用于各種器件中。 表 1.2 列出與兩種元素半導(dǎo)體同樣重要的化合物半導(dǎo)體。二元化合物半導(dǎo)體是由周期表中的兩種元素組成。例如， iii-v 族元素化合物半導(dǎo)體砷化鎵（ gaas ）是由 iii 族元素鎵（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所組成。 除了二元化合物半導(dǎo)體外，三元及四元半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體也各有其特殊用途。由 iii 族元素鋁（ al ）、鎵（ ga ）及 v 族元素砷（ as ）所組成的合金半導(dǎo)體 al x ga 1-x as 即是一種三元化合物半導(dǎo)體，而具有 a x b 1-x c y d 1-y 形式的四元化合物半導(dǎo)體則可由許多二元及三元化合物半導(dǎo)體組成。例如，合金半導(dǎo)體 ga x in 1-x as y p 1-y 是由磷化鎵（ gap ）、磷化銦（ inp ）、砷化銦（ inas ）及砷化鎵（ gaas ）所組成。與元素半導(dǎo)體相比，制作單晶體形式的化合物半導(dǎo)體通常需要較復(fù)雜的程序。 許多化合物半導(dǎo)體具有與硅不同的電和光的特性。這些半導(dǎo)體，特別是砷化鎵（ gaas ），主要用于高速光電器件。雖然化合物半導(dǎo)體的技術(shù)不如硅半導(dǎo)體技術(shù)成熟，但硅半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，也同時帶動化合物半導(dǎo)體技術(shù)的成長。 1.3 半導(dǎo)體導(dǎo)電性的特點 實際上，金屬、半導(dǎo)體和絕緣體之間的界限并不是絕對的。通常，當半導(dǎo)體中的雜質(zhì)含量很高時，電導(dǎo)率很高，呈現(xiàn)出一定的金屬性，而純凈半導(dǎo)體在低溫下的電導(dǎo)率很低，呈現(xiàn)出絕緣性。一般半導(dǎo)體和金屬的區(qū)別在于半導(dǎo)體中存在著 禁帶 而金屬中不存在禁帶；區(qū)分半導(dǎo)體和絕緣體則更加困難，通常根據(jù)它們的禁帶寬度及其溫度特性加以區(qū)分。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性究竟具有哪些特點呢？大致可歸納以下幾個方面： （ 1 ）半導(dǎo)體的電阻率對溫度的反應(yīng)靈敏。純凈半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化很顯著，而且電阻率隨溫度升高而下降。例如純鍺，當溫度從 20 o c 升高到 30 o c 時，電阻率就降低一半左右。而金屬的電阻率隨溫度的變化比較小，而且隨溫度升高電阻率增大。 （ 2 ）微量的雜質(zhì)能顯著地改變半導(dǎo)體的電阻率。例如在純硅中摻入 6 ′ 10 15 /cm 3 的雜質(zhì)磷或銻，即在硅中摻入千萬分之一的雜質(zhì)，就能使它的電阻率從 2.15 ′ 10 5 w ·cm 減小到 1 w ·cm ，降低了 20 萬倍。晶格結(jié)構(gòu)的完整與否也會對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能有極大的影響。因此在制作半導(dǎo)體器件時除人為地在半導(dǎo)體中摻入有用雜質(zhì)來控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電性外，還要嚴格防止一些有害雜質(zhì)對半導(dǎo)體的沾污，以免改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，使生產(chǎn)出來的器件質(zhì)量下降，甚至報廢。但金屬中含有少量雜質(zhì)時，看不出電阻率會有什么顯著的變化。 （ 3 ）適當?shù)墓庹湛墒拱雽?dǎo)體的電阻率顯著改變。當某種頻率的光照射半導(dǎo)體時，會使半導(dǎo)體的電阻率顯著下降，這種現(xiàn)象叫光電導(dǎo)。自動控制中用到的光敏電阻就是利用半導(dǎo)體的光電導(dǎo)特性來制成的。但是，金屬的電阻率不受光照影響。 總之，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能非常靈敏地依賴于外界條件、材料的純度以及晶體結(jié)構(gòu)的完整性等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能所以有上述特點是由半導(dǎo)體內(nèi)部特殊的微觀結(jié)構(gòu)所決定的，后面將敘述半導(dǎo)體導(dǎo)電的內(nèi)在規(guī)律。
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