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單晶硅棒，單晶硅棒電阻率在切割過(guò)程中會(huì)有變化嗎

來(lái)源：整理時(shí)間：2025-04-25 22:11:39 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，單晶硅棒電阻率在切割過(guò)程中會(huì)有變化嗎
2，關(guān)于單晶硅棒的幾個(gè)問(wèn)題
3，單晶硅棒與單晶硅籽晶有什么區(qū)別有誰(shuí)能告訴我嗎
4，單晶硅棒的制造
5，單晶硅棒是什么
6，單晶硅棒為什么會(huì)變形

1，單晶硅棒電阻率在切割過(guò)程中會(huì)有變化嗎

電阻率與硅棒中摻雜劑的量有關(guān)，切割過(guò)程不會(huì)改變其電阻率。另外，在測(cè)試電阻率時(shí)，要注意環(huán)境溫度，測(cè)試時(shí)溫度過(guò)高或過(guò)低，都會(huì)影響其測(cè)試值。

不會(huì)的，只要不改變它的化學(xué)性質(zhì)，它的電阻率是不會(huì)變的！

單晶硅棒電阻率在切割過(guò)程中會(huì)有變化嗎

2，關(guān)于單晶硅棒的幾個(gè)問(wèn)題

一般6寸的多點(diǎn)主要是電阻值吧，別的好像沒(méi)什么了價(jià)格現(xiàn)在一般是320左右吧有什么問(wèn)題可以發(fā)消息給我不知道你是買還是賣現(xiàn)在很緊俏的

主要用于國(guó)外的太陽(yáng)能發(fā)電～～他們廠福利超好！回頭幫你問(wèn)問(wèn)價(jià)錢！洛陽(yáng)單晶硅廠屬于國(guó)有軍工企業(yè)～～產(chǎn)品大多出口！但有個(gè)同學(xué)是在洛陽(yáng)單晶硅廠工作的我不知道

上易恩浮，目前技術(shù)比較成熟，能排上的公司基本都還可以

關(guān)于單晶硅棒的幾個(gè)問(wèn)題

3，單晶硅棒與單晶硅籽晶有什么區(qū)別有誰(shuí)能告訴我嗎

在拉制單晶硅棒的時(shí)候需要用籽晶作為形核中心，籽晶在這個(gè)時(shí)候就相當(dāng)于種子一樣，硅棒就從籽晶開(kāi)始生長(zhǎng)！

你說(shuō)的現(xiàn)象叫花片，形成因素很多，主要原因就是就是沾污，因?yàn)樵诩庸み^(guò)程中，拋光以后的硅片表面是斷裂的原子硅鍵，很容易吸附金屬離子并且根本無(wú)法完全通過(guò)清洗洗掉?；蛘叽娣艜r(shí)間太長(zhǎng)，真空包裝出現(xiàn)問(wèn)題，外界有灰塵滲入吸附在硅片表面，也會(huì)出現(xiàn)這種情況。還有就是拋光過(guò)程中中心部位的壓力有問(wèn)題，導(dǎo)致中心去除量不夠，表面微粗糙度很差，在半導(dǎo)體級(jí)別光照射下，硅片中心也會(huì)出現(xiàn)黑色現(xiàn)象。預(yù)防措施就是在超凈環(huán)境內(nèi)，間接或直接接觸硅片的過(guò)程中，不能有任何金屬物件，尤其不銹鋼，是堅(jiān)決不能出現(xiàn)的。出現(xiàn)了硅片肯定完蛋了！一定要保證化學(xué)清洗液的潔凈度，配比正確，否則清洗不掉殘留在硅片表面也會(huì)出現(xiàn)花片現(xiàn)象。檢查拋光機(jī)拋光頭，校準(zhǔn)壓力。還有，出現(xiàn)黑心的硅片不能去流片，屬于報(bào)廢硅片，應(yīng)退回原廠查找原因。

單晶硅棒與單晶硅籽晶有什么區(qū)別有誰(shuí)能告訴我嗎

4，單晶硅棒的制造

目前單晶硅棒的都是通過(guò)直拉法直拉法_百度百科拉制的（不論是光伏還是半導(dǎo)體用、區(qū)熔、電子直拉等）。直拉法簡(jiǎn)稱 CZ 法。CZ 法的特點(diǎn)是在一個(gè)直筒型的熱系統(tǒng)匯總，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接，同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶，再反轉(zhuǎn)坩堝，籽晶緩慢向上提升，經(jīng)過(guò)引晶、放大、轉(zhuǎn)肩、等徑生長(zhǎng)、收尾等過(guò)程，得到單晶硅。區(qū)熔法是利用多晶錠分區(qū)熔化和結(jié)晶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)的一種方法，利用熱能在半導(dǎo)體棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，再熔接單晶籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動(dòng)，通過(guò)整根棒料，生長(zhǎng)成一根單晶，晶向與籽晶的相同。區(qū)熔法又分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、 GaAs 等材料的提純和單晶生長(zhǎng)。后者是在氣氛或真空的爐室中，利用高頻線圈在單晶籽晶和其上方懸掛的多晶硅棒的接觸處產(chǎn)生熔區(qū)，然后使熔區(qū)向上移動(dòng)進(jìn)行單晶生長(zhǎng)。由于硅熔體完全依靠其表面張力和高頻電磁力的支托，懸浮于多晶棒與單晶之間，故稱為懸浮區(qū)熔法。

在單晶爐中將高純多晶硅加熱融化。并在單晶爐中形成一定的溫度梯度場(chǎng)，而且保持熔融的硅頁(yè)面違規(guī)驚奇的特定凝固鍵，在江子君歸影像熔融的硅頁(yè)面，然后一邊旋轉(zhuǎn)一邊提拉熔融，就在同一方向凝固生長(zhǎng)得到單晶硅棒。

首先在石英坩堝中首次投入硅原料，然后在單晶爐中熔化硅料后，接著再次加入硅原料，調(diào)節(jié)溫度和晶升參數(shù)，就拉制出了單晶硅棒。再看看別人怎么說(shuō)的。

5，單晶硅棒是什么

名稱：單晶硅英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999％，甚至達(dá)到99.9999999％以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。用途：是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅建設(shè)項(xiàng)目具有巨大的市場(chǎng)和廣闊的發(fā)展空間。在地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。近年來(lái)，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當(dāng)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展中增長(zhǎng)最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開(kāi)發(fā)利用的高科技資源，正引起越來(lái)越多的關(guān)注和重視。

6，單晶硅棒為什么會(huì)變形

你的意思是不是硅棒在拉制過(guò)程中，出現(xiàn)扭曲的現(xiàn)象？？？，現(xiàn)在還沒(méi)有明確的原因，一般認(rèn)為，液口距過(guò)大、拉速過(guò)高會(huì)造成晶棒扭曲。如果實(shí)在沒(méi)招，設(shè)備這一塊，試著換個(gè)重錘。

請(qǐng)明確哪個(gè)部分變形

名稱：單晶硅英文名： monocrystalline silicon 分子式： si 硅的單晶體。具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999％，甚至達(dá)到99.9999999％以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅲa族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅴa族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。用途：是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅建設(shè)項(xiàng)目具有巨大的市場(chǎng)和廣闊的發(fā)展空間。在地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。近年來(lái)，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當(dāng)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展中增長(zhǎng)最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開(kāi)發(fā)利用的高科技資源，正引起越來(lái)越多的關(guān)注和重視。