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1，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國
2，硅壓力傳感器芯片的運用領(lǐng)域及一些特色是什么
3，電腦的CPU為什么用硅
4，3d8面性修改時如何清除多余的線條
5，科學(xué)家是怎么知道硅提純后可以作為CPU呢
6，硅半導(dǎo)體集成電路為什么是化學(xué)貢獻

1，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國

這個技術(shù)早不是高精尖了，為什么不做，是因為沒有市場做出來就是虧本，跟CPU一樣，做出來賣不出去，做出來的意義是用來放在博物館嗎？該做的技術(shù)，砸鍋賣鐵都要做出來，這些不是尖端技術(shù)的，國家也沒放眼里。

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硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國

2，硅壓力傳感器芯片的運用領(lǐng)域及一些特色是什么

應(yīng)用:1汽車輪胎壓力監(jiān)測 2發(fā)動機控制 3大氣壓力測量 4空壓表 5手執(zhí)壓力計特色:①固態(tài)、MEMS技術(shù)、高可靠性 ②低成本、小尺寸 ③標準壓力范圍：0－100KPa； 0－700KPa ④非線性 < 0.20%FSO ⑤硅／硅鍵合芯片，穩(wěn)定性好

被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，應(yīng)用電子線路檢測這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個對應(yīng)于這一壓力的標準測量信號（通常為電壓信號）。所謂的擴散硅，就是通過工藝技術(shù)處理的摻雜硅基。雖然天天在用，但原理不太清楚。上述是我的理解，你自己找些有關(guān)書籍看看吧。

硅壓力傳感器芯片的運用領(lǐng)域及一些特色是什么

3，電腦的CPU為什么用硅

硅元素在地殼中的儲量十分驚人且非常充足（僅次于氧），氧硅鋁鐵鈣……“鍺”的儲量當(dāng)然比不上氧和硅，關(guān)鍵在于“鍺”的分布特別的分散，幾乎沒有比較集中的鍺礦，這就為開采鍺增加了巨大的難度。硅的儲量不僅充足開采也十分方面，而“鍺”卻因為分散而增加了難度且需要耗費更多的產(chǎn)能。“硅”的穩(wěn)定性相對來說比“鍺”更高，尤其是它們的氧化物更是如此。二氧化硅是致密的絕緣體，且不溶于水。但氧化鍺就比較蓬松啦，且溶于水。除此之外，“鍺”在高溫下極不穩(wěn)定，比硅重且易碎。

為了cpu和散熱片更好的接觸，達到散熱的最好效果

電腦cpu的核心材料用硅，原因是：1. 目前能制成半導(dǎo)體（電子原件中最重要的原件）的只有兩種物質(zhì)，一是硅，二是鍺，全是金屬！2. 而鍺在一些方面不如硅好，所以就用硅了，通過氧化，摻入別的元素，還有光刻，就做成電子芯片了，而別的金屬都做不到這一點。3. 至于CPU是如何進行讓計算的，這個不是一句兩句能說明白的，原理上有些書上可能有，根本上是如何計算的，這個是核心技術(shù)，只有CPU廠的技術(shù)人員知道。4. 簡單說一下，在計算機里是用二進制來計算的，就是0和1，0是低電位，1是高電位。

因為硅是目前使用最廣的半導(dǎo)體材料。

這是我看到的答案半導(dǎo)體啊，只有硅跟鍺是半導(dǎo)體材料，鍺不能做cpu，只能用硅了，而且要完全純凈的。樓主，處理器都是半導(dǎo)體做的，不是金屬的。

就因為兩個字“簡單”就因為用硅簡單。其實像碳之類都可以做，現(xiàn)在也有這個技術(shù)，但是這個工業(yè)社會誰會放棄眼前利益，去傻傻開發(fā)更高科技而且難度比用硅大多了。。當(dāng)這個硅已經(jīng)不夠用的時候就會有其他的出現(xiàn)了。其實現(xiàn)在碳納米半導(dǎo)體已經(jīng)出現(xiàn)在人們的視線了。因為硅的工藝快極限了。不要說為什么以前不出現(xiàn)。牛頓發(fā)現(xiàn)萬有引力之前為什么沒人發(fā)現(xiàn)？

電腦的CPU為什么用硅

4，3d8面性修改時如何清除多余的線條

用電路板測試一下

、EMI的來源數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過程中，輸出端產(chǎn)生的方波信號頻率并不是導(dǎo)致EMI的唯一頻率成分。該方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的EMI頻率成分。最高EMI頻率也稱為EMI發(fā)射帶寬，它是信號上升時間而不是信號頻率的函數(shù)。計算EMI發(fā)射帶寬的公式為： F=0.35/Tr 其中：F是頻率，單位是GHz；Tr是單位為ns(納秒)的信號上升時間或者下降時間。從上述公式中不難看出，如果電路的開關(guān)頻率為50MHz，而采用的集成電路芯片的上升時間是1ns，那么該電路的最高EMI發(fā)射頻率將達到350MHz，遠遠大于該電路的開關(guān)頻率。而如果IC的上升時間為500ps，那么該電路的最高EMI發(fā)射頻率將高達700MHz。眾所周知，電路中的每一個電壓值都對應(yīng)一定的電流，同樣每一個電流都存在對應(yīng)的電壓。當(dāng)IC的輸出在邏輯高到邏輯低或者邏輯低到邏輯高之間變換時，這些信號電壓和信號電流就會產(chǎn)生電場和磁場，而這些電場和磁場的最高頻率就是發(fā)射帶寬。電場和磁場的強度以及對外輻射的百分比，不僅是信號上升時間的函數(shù)，同時也取決于對信號源到負載點之間信號通道上電容和電感的控制的好壞，在此，信號源位于PCB板的IC內(nèi)部，而負載位于其它的IC內(nèi)部，這些IC可能在PCB上，也可能不在該PCB上。為了有效地控制EMI，不僅需要關(guān)注IC芯片自身的電容和電感，同樣需要重視PCB上存在的電容和電感。當(dāng)信號電壓與信號回路之間的耦合不緊密時，電路的電容就會減小，因而對電場的抑制作用就會減弱，從而使EMI增大；電路中的電流也存在同樣的情況，如果電流同返回路徑之間耦合不佳，勢必加大回路上的電感，從而增強了磁場，最終導(dǎo)致EMI增加。換句話說，對電場控制不佳通常也會導(dǎo)致磁場抑制不佳。用來控制電路板中電磁場的措施與用來抑制IC封裝中電磁場的措施大體相似。正如同PCB設(shè)計的情況，IC封裝設(shè)計將極大地影響EMI。電路中相當(dāng)一部分電磁輻射是由電源總線中的電壓瞬變造成的。當(dāng)IC的輸出級發(fā)生跳變并驅(qū)動相連的PCB線為邏輯“高”時，IC芯片將從電源中吸納電流，提供輸出級所需的能量。對于IC不斷轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的超高頻電流而言，電源總線始于PCB上的去耦網(wǎng)絡(luò)，止于IC的輸出級。如果輸出級的信號上升時間為1.0ns，那么IC要在1.0ns這么短的時間內(nèi)從電源上吸納足夠的電流來驅(qū)動PCB上的傳輸線。電源總線上電壓的瞬變?nèi)Q于電源總線路徑上的電感、吸納的電流以及電流的傳輸時間。電壓的瞬變由下面的公式所定義： V=Ldi/dt，其中：L是電流傳輸路徑上電感的值；di表示信號上升時間間隔內(nèi)電流的變化；dt表示電流的傳輸時間(信號的上升時間)。由于IC管腳以及內(nèi)部電路都是電源總線的一部分，而且吸納電流和輸出信號的上升時間也在一定程度上取決于IC的工藝技術(shù)，因此選擇合適的IC就可以在很大程度上控制上述公式中提到的所有三個要素。 2、IC封裝在電磁干擾控制中的作用 IC封裝通常包括：硅基芯片、一個小型的內(nèi)部PCB以及焊盤。硅基芯片安裝在小型的PCB上，通過綁定線實現(xiàn)硅基芯片與焊盤之間的連接，在某些封裝中也可以實現(xiàn)直接連接。小型PCB實現(xiàn)硅基芯片上的信號和電源與IC封裝上的對應(yīng)管腳之間的連接，這樣就實現(xiàn)了硅基芯片上信號和電源節(jié)點的對外延伸。貫穿該IC的電源和信號的傳輸路徑包括：硅基芯片、與小型PCB之間的連線、PCB走線以及IC封裝的輸入和輸出管腳。對電容和電感(對應(yīng)于電場和磁場)控制的好壞在很大程度上取決于整個傳輸路徑設(shè)計的好壞。某些設(shè)計特征將直接影響整個IC芯片封裝的電容和電感。首先看硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的連接方式。許多的IC芯片都采用綁定線來實現(xiàn)硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的連接，這是一種在硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的極細的飛線。這種技術(shù)之所以應(yīng)用廣泛是因為硅基芯片和內(nèi)部小電路板的熱脹系數(shù)(CTE)相近。芯片本身是一種硅基器件，其熱脹系數(shù)與典型的PCB材料(如環(huán)氧樹脂)的熱脹系數(shù)有很大的差別。如果硅基芯片的電氣連接點直接安裝在內(nèi)部小PCB上的話，那么在一段相對較短的時間之后，IC封裝內(nèi)部溫度的變化導(dǎo)致熱脹冷縮，這種方式的連接就會因為斷裂而失效。綁定線是一種適應(yīng)這種特殊環(huán)境的引線方式，它可以承受大量的彎曲變形而不容易斷裂。

5，科學(xué)家是怎么知道硅提純后可以作為CPU呢

汝這個提問，和“科學(xué)家和工程師們是怎么知道鋼鐵和塑料等材料加工后可以做出汽車呢？”是一回事，一樣搞笑。用硅做出CPU當(dāng)然不是一蹴而就，一朝一夕之功。更不是靈感閃現(xiàn)的偶然所得，是千千萬萬科學(xué)家和工程師們艱辛探索，一步一個腳印踏踏實實搞出來的。早在半個多世紀前，可能是在無意之間，科學(xué)家用提純后的半導(dǎo)體材料（最早是鍺）和金屬材料結(jié)合，發(fā)現(xiàn)了的PN結(jié)效應(yīng)（具有單向?qū)щ娦?，?dāng)然，更早的單向?qū)щ娦允抢媚承┑V石發(fā)現(xiàn)的），發(fā)明了半導(dǎo)體二極管。隨著對半導(dǎo)體導(dǎo)電機理的深入研究，再后來又發(fā)明了具有放大作用和開關(guān)作用的晶體三極管、可控硅晶閘管、雙結(jié)性晶體管、場效應(yīng)三極管、穩(wěn)壓二極管等等新型半導(dǎo)體器件。早期的晶體管都是鍺材料的，后來又找到了硅，發(fā)現(xiàn)硅制造晶體管比鍺具備更多的優(yōu)點，鍺就逐步被淘汰，硅晶體管遂大行其道。當(dāng)然，如今砷化鎵、碳晶體管等新興半導(dǎo)體材料、技術(shù)方興未艾，將來的半導(dǎo)體技術(shù)前景肯定會更美好。隨著半導(dǎo)體技術(shù)工藝的不斷進步，到了上世紀六七十年代，自然而然的實現(xiàn)了將多個晶體管做到一起，在一片硅晶片上將數(shù)十上百上千的晶體管集成在一起做出比較復(fù)雜的集成電路（即所謂IC），再后來集成度越來越高，從最初的集成幾十個晶體管到后來的上百萬上千萬乃至今天的數(shù)億，電路越來越復(fù)雜，速度越來越快，功能越來越強大，性能越來越高。與此同步的是計算機技術(shù)的發(fā)展，從上個世紀40年代最早誕生的電子管計算機（電路簡單、計算能力低下、耗電非?？植溃┢鸩?，到六十年代采用晶體管分立元件搭建電子計算機，使得計算機的電路和采用電子管相比呈幾何級數(shù)的進步，性能激增功耗卻大幅減小，體積更加小巧占地更少。集成電路誕生后，人們自然會想到將計算機中的晶體管分立元件電路用集成電路取代，讓設(shè)備更加小型化、簡化電路設(shè)計、提高電路可靠性、降低功耗提升電路復(fù)雜程度和性能。要知道，其實大規(guī)模集成電路更適合數(shù)字電路（計算機電路就是純粹的數(shù)字邏輯電路）。所以從上個世紀六十年代末七十年代初開始，計算機普遍進入集成電路時代。有需求就有動力，接下來到今天的半個世紀，是大規(guī)模集成電路發(fā)展的黃金時期，催生出了一大批依靠集成電路研發(fā)的巨頭級公司，包括日本的索尼、東芝、松下，美國的IBM、英特爾、AMD、摩托羅拉、高通、英偉達等等，以及歐洲的一些公司汝飛利浦、西門子、諾基亞等等等等，這里不再一一羅列。到如今，不僅CPU、GPU、內(nèi)存存儲設(shè)備等計算機核心部件采用硅基集成電路，各類功能復(fù)雜的通信產(chǎn)品、消費類電子數(shù)碼產(chǎn)品普遍都采用集成電路，純分立元件電路越來越少。綜上所述，汝還認為用硅做芯片，是科學(xué)家隨便做了個夢，偶得的靈感么？科學(xué)發(fā)展史上，確實有很多發(fā)明創(chuàng)造來自偶然的發(fā)現(xiàn)，甚至是匪夷所思而來的靈感閃現(xiàn)，但更多的是踏踏實實的研究和順其自然水到渠成。

讀完這片文章就知道了：靈魂史話再看看別人怎么說的。

現(xiàn)在市場上產(chǎn)品豐富，琳瑯滿目，當(dāng)你使用著配置了最新款CPU的電腦在互聯(lián)網(wǎng)上縱橫馳騁，在各種程序應(yīng)用之間操作自如的時候，有沒有興趣去想一想這個頭不大、功能不小的CPU是怎么制作出來的呢。在今天的半導(dǎo)體制造業(yè)中，計算機中央處理器無疑是受關(guān)注程度最高的領(lǐng)域，而這個領(lǐng)域中眾所周知的兩大巨頭，其所遵循的處理器架構(gòu)均為x86，而另外一家號稱信息產(chǎn)業(yè)的藍色巨人的IBM，也擁有強大的處理器設(shè)計與制造能力，它們最先發(fā)明了應(yīng)變硅技術(shù)，并在90納米的處理器制造工藝上走在最前列。在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個功能強大的集成電路芯片的全過程。制造CPU的基本原料如果問及CPU的原料是什么，大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪里呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價格昂貴，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當(dāng)然這中間必然要經(jīng)歷一個復(fù)雜的制造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。

6，硅半導(dǎo)體集成電路為什么是化學(xué)貢獻

那種集成電路用的是激光燒蝕和化學(xué)腐蝕結(jié)合的技術(shù)硅上面弄一層光敏的涂層，激光燒出個電路來，之后再化學(xué)腐蝕，有涂層的地方就不會被腐蝕了，之后還要再往燒出的電路里灌上含某些離子的填充物改變電學(xué)性質(zhì)

先介紹板答題存儲器：據(jù)寫入特性，可粗略地將半導(dǎo)體存儲器劃分為隨機存取存儲器（RAM，Random-Access Memory）和只讀存儲器（ROM，Read-Only Memory）兩類。更進一步則可以細分為Flash，ROM，SRAM，EPROM，EEPROM和DRAM等存儲器類型特征FLASH 低價格，高密度，高速體系結(jié)構(gòu)，低功耗，高可靠性ROM（Read-Only Memory）成熟，高密度，可靠，底價格，需要耗時的掩模，適合具有固定代碼的大量產(chǎn)品SRAM（Static Random-Access Memory）速度最快，高功耗，低密度，價格較高EPROM（Electrically Programmable Read-Only Memory）高密度，必須暴露在紫外線才能檫除EEPROM or E2（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可電字節(jié)檫除，低可靠性，高價格，密度最低DRAM（Dynamic Random Access Memory）低價格，高密度，高速，高功耗1.RAM：RAM是最常用的計算機內(nèi)存儲器。RAM被認為是“隨機存取存儲器（random access memory）”，因為如果你知道任何一個存儲單元對應(yīng)行和列，你就能直接存?。ㄔL問）它。工作原理：似于微處理器，存儲芯片是一個集成電路（IC，integrated circuit），由數(shù)以百萬記的晶體管和電容構(gòu)成。大多數(shù)計算機內(nèi)存是動態(tài)隨機訪問存儲器（DRAM，dynamic random access memory），一個晶體管和一個電容搭配起來形成一個存儲單元（memory cell），它可以存儲一個比特的數(shù)據(jù)。電容保持這個信息比特是0還是1，晶體管則像一個開關(guān)，使存儲芯片上的控制電路讀該電容或改變電容的狀態(tài)。一個電容好象是一個能容納電子的小桶。對于存儲1的內(nèi)存單元，桶是裝滿了電子。對于存儲0的單元來說它是空的。對于電容這個“桶”來說，問題是它有泄漏。在很短時間內(nèi)裝滿的桶會變空。因此，要使動態(tài)內(nèi)存工作，無論是CPU還是存儲控制器都不得不對所有為1的電容在它們漏電前重新充電。為了完成這個任務(wù)，內(nèi)存控制器讀內(nèi)存后再寫回去。這個更新操作在一秒內(nèi)自動進行幾千次。2.ROM：只讀存儲器(ROM，Read-only memory ), 也被稱作固件（firmware）,當(dāng)它被制造時就被做成以指定數(shù)據(jù)編程的集成電路。ROM芯片不僅用在計算機里，而且還用在大多數(shù)電子產(chǎn)品中。有五種基本ROM 類型:1.ROM 2.PROM 3.EPROM 4.EEPROM 5.Flash memory工作原理：類似隨機存取儲存器（RAM），ROM芯片包含一個由行列構(gòu)成的柵格。但是ROM芯片在行列相交處，ROM同隨機存取儲存器芯片是根本不同的。隨機存取儲存器使用晶體管來接通或斷開對各交點處的電容的讀取。對于ROM，如果值為1的話，就用一個二極管連接這些線；如果值是0, 那麼這些線則不被連接。一個二極管正常情況下只允許電流向一個方向流動，而且有一個門限值，就是所稱的正向轉(zhuǎn)折（forward breakover），它決定了二極管的擊穿電流。在例如處理器和存儲器芯片這樣的硅基器件中，正向轉(zhuǎn)折電壓約為0.6伏。利用二極管的單向性，一個ROM 芯片能送一高于正向轉(zhuǎn)折電流的電荷到相應(yīng)的列而同時讓被選中行接地，以接通一個指定的單元。如果一個二極管在那個單元導(dǎo)通，電荷將被接地，那么，在二進位的系統(tǒng)之下，該單元將會被讀作 "ON"（取值為1）。很巧妙的一點是，如果單元的值是0，那么在ROM 行列相交處就沒有二極管導(dǎo)通，因此列上的電荷就不會傳到行上。ROM芯片的這種工作方式要求芯片被產(chǎn)生的時候，就得以正確完整的數(shù)據(jù)進行編程。你不能夠重新編程或重寫一枚標準的 ROM 芯片。如果它是不正確的, 或數(shù)據(jù)需要被修改，只得丟棄它，再重新做一個。通常，為一枚 ROM 芯片創(chuàng)造最初的模板的過程是一個艱辛的過程，充滿了嘗試和錯誤。但是ROM芯片的優(yōu)點卻勝過了它的缺點。一旦制成模板, 制作芯片時每個芯片就只花費很少的時間。它們耗電量很小，又非常可靠，在極小的電子裝置中，包含有控制該裝置所必需的程序。答案補充　　半導(dǎo)體集成電路是將晶體管，二極管等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。　　在一個半導(dǎo)體襯底上至少有一個電路塊的半導(dǎo)體集成電路裝置，在所述半導(dǎo)體襯底上有：設(shè)置在所述電路塊邊緣的多個焊盤和從所述電路塊延伸至所述焊盤之間的多條布線；所述多個焊盤跟半導(dǎo)體集成電路裝置的外部引線連接，且所述多條布線是在所述半導(dǎo)體襯底的主面上設(shè)有另一電路塊時，用以跟來自該另一電路塊的布線連接的布線，做成具有能夠與來自該另一電路塊的布線連接的形狀。

就是利用光刻，實現(xiàn)在一小塊硅上面完成幾個幾十個甚至億萬個二極管三極管等等。它主要用在弱點方面，在強電上和大功率大電流上，還是需要獨立大功率的元器件支持，例如大功率電容，大電流的三極管和電阻，等等。

因為需要高純度的硅，這對反應(yīng)條件，工藝要求都很高

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