硅基芯片，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)

來源：整理時(shí)間：2023-08-30 11:33:55 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)
2，硅壓力傳感器芯片的運(yùn)用領(lǐng)域及一些特色是什么
3，電腦的CPU為什么用硅
4，3d8面性修改時(shí)如何清除多余的線條
5，科學(xué)家是怎么知道硅提純后可以作為CPU呢
6，硅半導(dǎo)體集成電路為什么是化學(xué)貢獻(xiàn)

1，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)

這個(gè)技術(shù)早不是高精尖了，為什么不做，是因?yàn)闆]有市場(chǎng)做出來就是虧本，跟CPU一樣，做出來賣不出去，做出來的意義是用來放在博物館嗎？該做的技術(shù)，砸鍋賣鐵都要做出來，這些不是尖端技術(shù)的，國(guó)家也沒放眼里。

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硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)

2，硅壓力傳感器芯片的運(yùn)用領(lǐng)域及一些特色是什么

應(yīng)用:1汽車輪胎壓力監(jiān)測(cè) 2發(fā)動(dòng)機(jī)控制 3大氣壓力測(cè)量 4空壓表 5手執(zhí)壓力計(jì)特色:①固態(tài)、MEMS技術(shù)、高可靠性 ②低成本、小尺寸 ③標(biāo)準(zhǔn)壓力范圍：0－100KPa； 0－700KPa ④非線性 < 0.20%FSO ⑤硅／硅鍵合芯片，穩(wěn)定性好

被測(cè)介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上（不銹鋼或陶瓷），使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，應(yīng)用電子線路檢測(cè)這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)（通常為電壓信號(hào)）。所謂的擴(kuò)散硅，就是通過工藝技術(shù)處理的摻雜硅基。雖然天天在用，但原理不太清楚。上述是我的理解，你自己找些有關(guān)書籍看看吧。

硅壓力傳感器芯片的運(yùn)用領(lǐng)域及一些特色是什么

3，電腦的CPU為什么用硅

硅元素在地殼中的儲(chǔ)量十分驚人且非常充足（僅次于氧），氧硅鋁鐵鈣……“鍺”的儲(chǔ)量當(dāng)然比不上氧和硅，關(guān)鍵在于“鍺”的分布特別的分散，幾乎沒有比較集中的鍺礦，這就為開采鍺增加了巨大的難度。硅的儲(chǔ)量不僅充足開采也十分方面，而“鍺”卻因?yàn)榉稚⒍黾恿穗y度且需要耗費(fèi)更多的產(chǎn)能。“硅”的穩(wěn)定性相對(duì)來說比“鍺”更高，尤其是它們的氧化物更是如此。二氧化硅是致密的絕緣體，且不溶于水。但氧化鍺就比較蓬松啦，且溶于水。除此之外，“鍺”在高溫下極不穩(wěn)定，比硅重且易碎。

為了cpu和散熱片更好的接觸，達(dá)到散熱的最好效果

電腦cpu的核心材料用硅，原因是：1. 目前能制成半導(dǎo)體（電子原件中最重要的原件）的只有兩種物質(zhì)，一是硅，二是鍺，全是金屬！2. 而鍺在一些方面不如硅好，所以就用硅了，通過氧化，摻入別的元素，還有光刻，就做成電子芯片了，而別的金屬都做不到這一點(diǎn)。3. 至于CPU是如何進(jìn)行讓計(jì)算的，這個(gè)不是一句兩句能說明白的，原理上有些書上可能有，根本上是如何計(jì)算的，這個(gè)是核心技術(shù)，只有CPU廠的技術(shù)人員知道。4. 簡(jiǎn)單說一下，在計(jì)算機(jī)里是用二進(jìn)制來計(jì)算的，就是0和1，0是低電位，1是高電位。

因?yàn)楣枋悄壳笆褂米顝V的半導(dǎo)體材料。

這是我看到的答案半導(dǎo)體啊，只有硅跟鍺是半導(dǎo)體材料，鍺不能做cpu，只能用硅了，而且要完全純凈的。樓主，處理器都是半導(dǎo)體做的，不是金屬的。

就因?yàn)閮蓚€(gè)字“簡(jiǎn)單”就因?yàn)橛霉韬?jiǎn)單。其實(shí)像碳之類都可以做，現(xiàn)在也有這個(gè)技術(shù)，但是這個(gè)工業(yè)社會(huì)誰(shuí)會(huì)放棄眼前利益，去傻傻開發(fā)更高科技而且難度比用硅大多了。。當(dāng)這個(gè)硅已經(jīng)不夠用的時(shí)候就會(huì)有其他的出現(xiàn)了。其實(shí)現(xiàn)在碳納米半導(dǎo)體已經(jīng)出現(xiàn)在人們的視線了。因?yàn)楣璧墓に嚳鞓O限了。不要說為什么以前不出現(xiàn)。牛頓發(fā)現(xiàn)萬(wàn)有引力之前為什么沒人發(fā)現(xiàn)？

電腦的CPU為什么用硅

4，3d8面性修改時(shí)如何清除多余的線條

用電路板測(cè)試一下

、EMI的來源數(shù)字集成電路從邏輯高到邏輯低之間轉(zhuǎn)換或者從邏輯低到邏輯高之間轉(zhuǎn)換過程中，輸出端產(chǎn)生的方波信號(hào)頻率并不是導(dǎo)致EMI的唯一頻率成分。該方波中包含頻率范圍寬廣的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量構(gòu)成工程師所關(guān)心的EMI頻率成分。最高EMI頻率也稱為EMI發(fā)射帶寬，它是信號(hào)上升時(shí)間而不是信號(hào)頻率的函數(shù)。計(jì)算EMI發(fā)射帶寬的公式為： F=0.35/Tr 其中：F是頻率，單位是GHz；Tr是單位為ns(納秒)的信號(hào)上升時(shí)間或者下降時(shí)間。從上述公式中不難看出，如果電路的開關(guān)頻率為50MHz，而采用的集成電路芯片的上升時(shí)間是1ns，那么該電路的最高EMI發(fā)射頻率將達(dá)到350MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于該電路的開關(guān)頻率。而如果IC的上升時(shí)間為500ps，那么該電路的最高EMI發(fā)射頻率將高達(dá)700MHz。眾所周知，電路中的每一個(gè)電壓值都對(duì)應(yīng)一定的電流，同樣每一個(gè)電流都存在對(duì)應(yīng)的電壓。當(dāng)IC的輸出在邏輯高到邏輯低或者邏輯低到邏輯高之間變換時(shí)，這些信號(hào)電壓和信號(hào)電流就會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)，而這些電場(chǎng)和磁場(chǎng)的最高頻率就是發(fā)射帶寬。電場(chǎng)和磁場(chǎng)的強(qiáng)度以及對(duì)外輻射的百分比，不僅是信號(hào)上升時(shí)間的函數(shù)，同時(shí)也取決于對(duì)信號(hào)源到負(fù)載點(diǎn)之間信號(hào)通道上電容和電感的控制的好壞，在此，信號(hào)源位于PCB板的IC內(nèi)部，而負(fù)載位于其它的IC內(nèi)部，這些IC可能在PCB上，也可能不在該P(yáng)CB上。為了有效地控制EMI，不僅需要關(guān)注IC芯片自身的電容和電感，同樣需要重視PCB上存在的電容和電感。當(dāng)信號(hào)電壓與信號(hào)回路之間的耦合不緊密時(shí)，電路的電容就會(huì)減小，因而對(duì)電場(chǎng)的抑制作用就會(huì)減弱，從而使EMI增大；電路中的電流也存在同樣的情況，如果電流同返回路徑之間耦合不佳，勢(shì)必加大回路上的電感，從而增強(qiáng)了磁場(chǎng)，最終導(dǎo)致EMI增加。換句話說，對(duì)電場(chǎng)控制不佳通常也會(huì)導(dǎo)致磁場(chǎng)抑制不佳。用來控制電路板中電磁場(chǎng)的措施與用來抑制IC封裝中電磁場(chǎng)的措施大體相似。正如同PCB設(shè)計(jì)的情況，IC封裝設(shè)計(jì)將極大地影響EMI。電路中相當(dāng)一部分電磁輻射是由電源總線中的電壓瞬變?cè)斐傻摹．?dāng)IC的輸出級(jí)發(fā)生跳變并驅(qū)動(dòng)相連的PCB線為邏輯“高”時(shí)，IC芯片將從電源中吸納電流，提供輸出級(jí)所需的能量。對(duì)于IC不斷轉(zhuǎn)換所產(chǎn)生的超高頻電流而言，電源總線始于PCB上的去耦網(wǎng)絡(luò)，止于IC的輸出級(jí)。如果輸出級(jí)的信號(hào)上升時(shí)間為1.0ns，那么IC要在1.0ns這么短的時(shí)間內(nèi)從電源上吸納足夠的電流來驅(qū)動(dòng)PCB上的傳輸線。電源總線上電壓的瞬變?nèi)Q于電源總線路徑上的電感、吸納的電流以及電流的傳輸時(shí)間。電壓的瞬變由下面的公式所定義： V=Ldi/dt，其中：L是電流傳輸路徑上電感的值；di表示信號(hào)上升時(shí)間間隔內(nèi)電流的變化；dt表示電流的傳輸時(shí)間(信號(hào)的上升時(shí)間)。由于IC管腳以及內(nèi)部電路都是電源總線的一部分，而且吸納電流和輸出信號(hào)的上升時(shí)間也在一定程度上取決于IC的工藝技術(shù)，因此選擇合適的IC就可以在很大程度上控制上述公式中提到的所有三個(gè)要素。 2、IC封裝在電磁干擾控制中的作用 IC封裝通常包括：硅基芯片、一個(gè)小型的內(nèi)部PCB以及焊盤。硅基芯片安裝在小型的PCB上，通過綁定線實(shí)現(xiàn)硅基芯片與焊盤之間的連接，在某些封裝中也可以實(shí)現(xiàn)直接連接。小型PCB實(shí)現(xiàn)硅基芯片上的信號(hào)和電源與IC封裝上的對(duì)應(yīng)管腳之間的連接，這樣就實(shí)現(xiàn)了硅基芯片上信號(hào)和電源節(jié)點(diǎn)的對(duì)外延伸。貫穿該IC的電源和信號(hào)的傳輸路徑包括：硅基芯片、與小型PCB之間的連線、PCB走線以及IC封裝的輸入和輸出管腳。對(duì)電容和電感(對(duì)應(yīng)于電場(chǎng)和磁場(chǎng))控制的好壞在很大程度上取決于整個(gè)傳輸路徑設(shè)計(jì)的好壞。某些設(shè)計(jì)特征將直接影響整個(gè)IC芯片封裝的電容和電感。首先看硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的連接方式。許多的IC芯片都采用綁定線來實(shí)現(xiàn)硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的連接，這是一種在硅基芯片與內(nèi)部小電路板之間的極細(xì)的飛線。這種技術(shù)之所以應(yīng)用廣泛是因?yàn)楣杌酒蛢?nèi)部小電路板的熱脹系數(shù)(CTE)相近。芯片本身是一種硅基器件，其熱脹系數(shù)與典型的PCB材料(如環(huán)氧樹脂)的熱脹系數(shù)有很大的差別。如果硅基芯片的電氣連接點(diǎn)直接安裝在內(nèi)部小PCB上的話，那么在一段相對(duì)較短的時(shí)間之后，IC封裝內(nèi)部溫度的變化導(dǎo)致熱脹冷縮，這種方式的連接就會(huì)因?yàn)閿嗔讯?。綁定線是一種適應(yīng)這種特殊環(huán)境的引線方式，它可以承受大量的彎曲變形而不容易斷裂。

5，科學(xué)家是怎么知道硅提純后可以作為CPU呢

汝這個(gè)提問，和“科學(xué)家和工程師們是怎么知道鋼鐵和塑料等材料加工后可以做出汽車呢？”是一回事，一樣搞笑。用硅做出CPU當(dāng)然不是一蹴而就，一朝一夕之功。更不是靈感閃現(xiàn)的偶然所得，是千千萬(wàn)萬(wàn)科學(xué)家和工程師們艱辛探索，一步一個(gè)腳印踏踏實(shí)實(shí)搞出來的。早在半個(gè)多世紀(jì)前，可能是在無意之間，科學(xué)家用提純后的半導(dǎo)體材料（最早是鍺）和金屬材料結(jié)合，發(fā)現(xiàn)了的PN結(jié)效應(yīng)（具有單向?qū)щ娦裕?dāng)然，更早的單向?qū)щ娦允抢媚承┑V石發(fā)現(xiàn)的），發(fā)明了半導(dǎo)體二極管。隨著對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理的深入研究，再后來又發(fā)明了具有放大作用和開關(guān)作用的晶體三極管、可控硅晶閘管、雙結(jié)性晶體管、場(chǎng)效應(yīng)三極管、穩(wěn)壓二極管等等新型半導(dǎo)體器件。早期的晶體管都是鍺材料的，后來又找到了硅，發(fā)現(xiàn)硅制造晶體管比鍺具備更多的優(yōu)點(diǎn)，鍺就逐步被淘汰，硅晶體管遂大行其道。當(dāng)然，如今砷化鎵、碳晶體管等新興半導(dǎo)體材料、技術(shù)方興未艾，將來的半導(dǎo)體技術(shù)前景肯定會(huì)更美好。隨著半導(dǎo)體技術(shù)工藝的不斷進(jìn)步，到了上世紀(jì)六七十年代，自然而然的實(shí)現(xiàn)了將多個(gè)晶體管做到一起，在一片硅晶片上將數(shù)十上百上千的晶體管集成在一起做出比較復(fù)雜的集成電路（即所謂IC），再后來集成度越來越高，從最初的集成幾十個(gè)晶體管到后來的上百萬(wàn)上千萬(wàn)乃至今天的數(shù)億，電路越來越復(fù)雜，速度越來越快，功能越來越強(qiáng)大，性能越來越高。與此同步的是計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，從上個(gè)世紀(jì)40年代最早誕生的電子管計(jì)算機(jī)（電路簡(jiǎn)單、計(jì)算能力低下、耗電非?？植溃┢鸩?，到六十年代采用晶體管分立元件搭建電子計(jì)算機(jī)，使得計(jì)算機(jī)的電路和采用電子管相比呈幾何級(jí)數(shù)的進(jìn)步，性能激增功耗卻大幅減小，體積更加小巧占地更少。集成電路誕生后，人們自然會(huì)想到將計(jì)算機(jī)中的晶體管分立元件電路用集成電路取代，讓設(shè)備更加小型化、簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、提高電路可靠性、降低功耗提升電路復(fù)雜程度和性能。要知道，其實(shí)大規(guī)模集成電路更適合數(shù)字電路（計(jì)算機(jī)電路就是純粹的數(shù)字邏輯電路）。所以從上個(gè)世紀(jì)六十年代末七十年代初開始，計(jì)算機(jī)普遍進(jìn)入集成電路時(shí)代。有需求就有動(dòng)力，接下來到今天的半個(gè)世紀(jì)，是大規(guī)模集成電路發(fā)展的黃金時(shí)期，催生出了一大批依靠集成電路研發(fā)的巨頭級(jí)公司，包括日本的索尼、東芝、松下，美國(guó)的IBM、英特爾、AMD、摩托羅拉、高通、英偉達(dá)等等，以及歐洲的一些公司汝飛利浦、西門子、諾基亞等等等等，這里不再一一羅列。到如今，不僅CPU、GPU、內(nèi)存存儲(chǔ)設(shè)備等計(jì)算機(jī)核心部件采用硅基集成電路，各類功能復(fù)雜的通信產(chǎn)品、消費(fèi)類電子數(shù)碼產(chǎn)品普遍都采用集成電路，純分立元件電路越來越少。綜上所述，汝還認(rèn)為用硅做芯片，是科學(xué)家隨便做了個(gè)夢(mèng)，偶得的靈感么？科學(xué)發(fā)展史上，確實(shí)有很多發(fā)明創(chuàng)造來自偶然的發(fā)現(xiàn)，甚至是匪夷所思而來的靈感閃現(xiàn)，但更多的是踏踏實(shí)實(shí)的研究和順其自然水到渠成。

讀完這片文章就知道了：靈魂史話再看看別人怎么說的。

現(xiàn)在市場(chǎng)上產(chǎn)品豐富，琳瑯滿目，當(dāng)你使用著配置了最新款CPU的電腦在互聯(lián)網(wǎng)上縱橫馳騁，在各種程序應(yīng)用之間操作自如的時(shí)候，有沒有興趣去想一想這個(gè)頭不大、功能不小的CPU是怎么制作出來的呢。在今天的半導(dǎo)體制造業(yè)中，計(jì)算機(jī)中央處理器無疑是受關(guān)注程度最高的領(lǐng)域，而這個(gè)領(lǐng)域中眾所周知的兩大巨頭，其所遵循的處理器架構(gòu)均為x86，而另外一家號(hào)稱信息產(chǎn)業(yè)的藍(lán)色巨人的IBM，也擁有強(qiáng)大的處理器設(shè)計(jì)與制造能力，它們最先發(fā)明了應(yīng)變硅技術(shù)，并在90納米的處理器制造工藝上走在最前列。在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個(gè)功能強(qiáng)大的集成電路芯片的全過程。制造CPU的基本原料如果問及CPU的原料是什么，大家都會(huì)輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪里呢？其實(shí)就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價(jià)格昂貴，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能強(qiáng)大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當(dāng)然這中間必然要經(jīng)歷一個(gè)復(fù)雜的制造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細(xì)選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。

6，硅半導(dǎo)體集成電路為什么是化學(xué)貢獻(xiàn)

那種集成電路用的是激光燒蝕和化學(xué)腐蝕結(jié)合的技術(shù)硅上面弄一層光敏的涂層，激光燒出個(gè)電路來，之后再化學(xué)腐蝕，有涂層的地方就不會(huì)被腐蝕了，之后還要再往燒出的電路里灌上含某些離子的填充物改變電學(xué)性質(zhì)

先介紹板答題存儲(chǔ)器：據(jù)寫入特性，可粗略地將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器劃分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM，Random-Access Memory）和只讀存儲(chǔ)器（ROM，Read-Only Memory）兩類。更進(jìn)一步則可以細(xì)分為Flash，ROM，SRAM，EPROM，EEPROM和DRAM等存儲(chǔ)器類型特征FLASH 低價(jià)格，高密度，高速體系結(jié)構(gòu)，低功耗，高可靠性ROM（Read-Only Memory）成熟，高密度，可靠，底價(jià)格，需要耗時(shí)的掩模，適合具有固定代碼的大量產(chǎn)品SRAM（Static Random-Access Memory）速度最快，高功耗，低密度，價(jià)格較高EPROM（Electrically Programmable Read-Only Memory）高密度，必須暴露在紫外線才能檫除EEPROM or E2（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）可電字節(jié)檫除，低可靠性，高價(jià)格，密度最低DRAM（Dynamic Random Access Memory）低價(jià)格，高密度，高速，高功耗1.RAM：RAM是最常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器。RAM被認(rèn)為是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory）”，因?yàn)槿绻阒廊魏我粋€(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)行和列，你就能直接存?。ㄔL問）它。工作原理：似于微處理器，存儲(chǔ)芯片是一個(gè)集成電路（IC，integrated circuit），由數(shù)以百萬(wàn)記的晶體管和電容構(gòu)成。大多數(shù)計(jì)算機(jī)內(nèi)存是動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（DRAM，dynamic random access memory），一個(gè)晶體管和一個(gè)電容搭配起來形成一個(gè)存儲(chǔ)單元（memory cell），它可以存儲(chǔ)一個(gè)比特的數(shù)據(jù)。電容保持這個(gè)信息比特是0還是1，晶體管則像一個(gè)開關(guān)，使存儲(chǔ)芯片上的控制電路讀該電容或改變電容的狀態(tài)。一個(gè)電容好象是一個(gè)能容納電子的小桶。對(duì)于存儲(chǔ)1的內(nèi)存單元，桶是裝滿了電子。對(duì)于存儲(chǔ)0的單元來說它是空的。對(duì)于電容這個(gè)“桶”來說，問題是它有泄漏。在很短時(shí)間內(nèi)裝滿的桶會(huì)變空。因此，要使動(dòng)態(tài)內(nèi)存工作，無論是CPU還是存儲(chǔ)控制器都不得不對(duì)所有為1的電容在它們漏電前重新充電。為了完成這個(gè)任務(wù)，內(nèi)存控制器讀內(nèi)存后再寫回去。這個(gè)更新操作在一秒內(nèi)自動(dòng)進(jìn)行幾千次。2.ROM：只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-only memory ), 也被稱作固件（firmware）,當(dāng)它被制造時(shí)就被做成以指定數(shù)據(jù)編程的集成電路。ROM芯片不僅用在計(jì)算機(jī)里，而且還用在大多數(shù)電子產(chǎn)品中。有五種基本ROM 類型:1.ROM 2.PROM 3.EPROM 4.EEPROM 5.Flash memory工作原理：類似隨機(jī)存取儲(chǔ)存器（RAM），ROM芯片包含一個(gè)由行列構(gòu)成的柵格。但是ROM芯片在行列相交處，ROM同隨機(jī)存取儲(chǔ)存器芯片是根本不同的。隨機(jī)存取儲(chǔ)存器使用晶體管來接通或斷開對(duì)各交點(diǎn)處的電容的讀取。對(duì)于ROM，如果值為1的話，就用一個(gè)二極管連接這些線；如果值是0, 那麼這些線則不被連接。一個(gè)二極管正常情況下只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng)，而且有一個(gè)門限值，就是所稱的正向轉(zhuǎn)折（forward breakover），它決定了二極管的擊穿電流。在例如處理器和存儲(chǔ)器芯片這樣的硅基器件中，正向轉(zhuǎn)折電壓約為0.6伏。利用二極管的單向性，一個(gè)ROM 芯片能送一高于正向轉(zhuǎn)折電流的電荷到相應(yīng)的列而同時(shí)讓被選中行接地，以接通一個(gè)指定的單元。如果一個(gè)二極管在那個(gè)單元導(dǎo)通，電荷將被接地，那么，在二進(jìn)位的系統(tǒng)之下，該單元將會(huì)被讀作 "ON"（取值為1）。很巧妙的一點(diǎn)是，如果單元的值是0，那么在ROM 行列相交處就沒有二極管導(dǎo)通，因此列上的電荷就不會(huì)傳到行上。ROM芯片的這種工作方式要求芯片被產(chǎn)生的時(shí)候，就得以正確完整的數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。你不能夠重新編程或重寫一枚標(biāo)準(zhǔn)的 ROM 芯片。如果它是不正確的, 或數(shù)據(jù)需要被修改，只得丟棄它，再重新做一個(gè)。通常，為一枚 ROM 芯片創(chuàng)造最初的模板的過程是一個(gè)艱辛的過程，充滿了嘗試和錯(cuò)誤。但是ROM芯片的優(yōu)點(diǎn)卻勝過了它的缺點(diǎn)。一旦制成模板, 制作芯片時(shí)每個(gè)芯片就只花費(fèi)很少的時(shí)間。它們耗電量很小，又非?？煽?，在極小的電子裝置中，包含有控制該裝置所必需的程序。答案補(bǔ)充　　半導(dǎo)體集成電路是將晶體管，二極管等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。　　在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上至少有一個(gè)電路塊的半導(dǎo)體集成電路裝置，在所述半導(dǎo)體襯底上有：設(shè)置在所述電路塊邊緣的多個(gè)焊盤和從所述電路塊延伸至所述焊盤之間的多條布線；所述多個(gè)焊盤跟半導(dǎo)體集成電路裝置的外部引線連接，且所述多條布線是在所述半導(dǎo)體襯底的主面上設(shè)有另一電路塊時(shí)，用以跟來自該另一電路塊的布線連接的布線，做成具有能夠與來自該另一電路塊的布線連接的形狀。

就是利用光刻，實(shí)現(xiàn)在一小塊硅上面完成幾個(gè)幾十個(gè)甚至億萬(wàn)個(gè)二極管三極管等等。它主要用在弱點(diǎn)方面，在強(qiáng)電上和大功率大電流上，還是需要獨(dú)立大功率的元器件支持，例如大功率電容，大電流的三極管和電阻，等等。

因?yàn)樾枰呒兌鹊墓?，這對(duì)反應(yīng)條件，工藝要求都很高

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硅基芯片，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)

本文目錄一覽

1，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)

2，硅壓力傳感器芯片的運(yùn)用領(lǐng)域及一些特色是什么

3，電腦的CPU為什么用硅

4，3d8面性修改時(shí)如何清除多余的線條

5，科學(xué)家是怎么知道硅提純后可以作為CPU呢

6，硅半導(dǎo)體集成電路為什么是化學(xué)貢獻(xiàn)

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1，硅基LED芯片性能解析它憑什么能獲得國(guó)

2，硅壓力傳感器芯片的運(yùn)用領(lǐng)域及一些特色是什么

3，電腦的CPU為什么用硅

4，3d8面性修改時(shí)如何清除多余的線條

5，科學(xué)家是怎么知道硅提純后可以作為CPU呢

6，硅半導(dǎo)體集成電路為什么是化學(xué)貢獻(xiàn)

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