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霍爾系數(shù)的單位，霍爾遷移率的單位是什么

來源：整理 時間：2023-08-29 12:06:09 編輯：智能門戶 手機版

本文目錄一覽

1，霍爾遷移率的單位是什么

cm2/(V·S)

霍爾遷移率的單位是什么

2，霍爾系數(shù)是怎么計算的

霍爾系數(shù)Rh＝U*d/IB, U為霍爾電壓，單位mV，d為霍爾元件厚度，單位為μm，I為工作電流，單位為mA，B為磁場強度，單位為T載流子濃度n＝1/|Rh|遷移率＝Kh*(L/l)*(I/U )L為霍爾元件長度，U為工作電壓，I為工作電流。Kh為霍爾元件靈敏度，Kh＝U/IB, U為霍爾電壓，I為工作電流，B為磁場強度

霍爾系數(shù)是怎么計算的

3，霍爾系數(shù)是什么

拋開公式，霍爾系數(shù)表征的是該霍爾材料的霍爾靈敏度。一般來講霍爾系數(shù)與材料的載流子遷移率成正比。

霍爾系數(shù)是什么

4，霍爾效應的系數(shù)是多少

霍爾系數(shù)一般為4.62KGS/A，表示的為B/Is的大小。UH稱為霍爾電勢，其大小可表示為：UH=RH*IC*B/d（1）式中，RH稱為霍爾系數(shù)，它的單位是米的三次方每庫侖，由半導體材料的性質(zhì)決定；d為半導體材料的厚度,IC 為電流，B為磁場強度。簡介通過霍爾電壓的極性，可證實導體內(nèi)部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成?；魻栃?879年由埃德溫·赫伯特·霍爾（Edwin Herbert Hall）發(fā)現(xiàn)。除導體外，半導體也能產(chǎn)生霍爾效應，而且半導體的霍爾效應要強于導體。

5，霍爾效應is是什么 im是什么

霍爾效應Is是磁流體的指標，Is=v*s*n單位為m^3/s，Im是磁場場強的指標，符號為B，單位為T(特斯拉)。（霍爾效應器如下圖）　　Is,Im在霍爾效應中充當變量，由于霍爾效應計算公式：　　vh=E*b=rh*i*B（Im）/d　　rh=Is*h*d/i*b　　所以霍爾電壓正比于Is,Im（單變量變化），改變Is,Im從而改變電壓。

6，我想知道霍爾系數(shù)RhUhdIsB里面各個單位

Uh：霍爾電壓，標準單位（知SI）是：伏特，符號：V；d：霍爾樣品沿著磁場的尺寸，標準單位（SI）是：米，符號：m；Is：通過霍爾樣品的電流，標準單位（SI）是：安培，符號：A；B：外磁場，標準單位（SI）是：特斯拉，符號：T?；魻栃且环N磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產(chǎn)生電動勢UH，這種現(xiàn)象即稱為霍爾效應。擴展資料：霍爾效應在應用技術中度特別重要。例如汽車點火系統(tǒng)，設計者將霍爾傳感器放在分電器內(nèi)取代機械斷電器，用作點火脈沖發(fā)回生器。這種霍爾式點火脈沖發(fā)生器隨著轉(zhuǎn)速變化的磁場在帶電的半導體層內(nèi)產(chǎn)生脈沖電壓，控制電控單元（ECU）的初級電流。相對于機械斷電器而答言，霍爾式點火脈沖發(fā)生器無磨損免維護，能夠適應惡劣的工作環(huán)境，還能精確地控制點火正時，能夠較大幅度提高發(fā)動機的性能，具有明顯的優(yōu)勢。

7，霍爾系數(shù)的數(shù)量級是多少單位是厘米每庫侖

用范德保伍法測得銅在20℃下的霍爾系數(shù)為-5.1×10~(-5)cm~3/col,電阻率為1.97×10~(-6)Ω·cm.實驗方法簡便,設備容易獲得:與所見文獻數(shù)據(jù)比較,數(shù)量級是一致的
霍爾系數(shù)的單位是cm^3/col，數(shù)量級是10^(-5)霍爾系數(shù)是在計算霍爾電勢的時候，用到的一個參數(shù)。當材料一定時候，霍爾系數(shù)是個常量。如用范德保伍法測得銅在20℃下的霍爾系數(shù)為-5.1×10^(-5)cm^3/col。

8，我想知道霍爾系數(shù)RhUhdIsB里面各個單位

Uh：霍爾電壓，標準單位（SI）是：伏特，符號：Vd：霍爾樣品沿著磁場的尺寸，標準單位（SI）是：米，符號：mIs：通過霍爾樣品的電流，標準單位（SI）是：安培，符號：AB：外磁場，標準單位（SI）是：特斯拉，符號：T。注意，物理運算與數(shù)學不同，除了數(shù)值運算，還有計量單位運算。當固體導體放置在一個磁場內(nèi)，且有電流通過時，導體內(nèi)的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓（霍爾電壓）的現(xiàn)象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。通過霍爾電壓的極性，可證實導體內(nèi)部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。擴展資料：霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱為乘積靈敏度。K值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。若控制電流IC為常數(shù)，磁感應強度B與被測電流成反比，就可以做成霍爾電流傳感器；另外，若仍固定IC為常數(shù)，B與被測電壓成正比，又可制成霍爾電壓傳感器。當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，從而在半導體的兩端產(chǎn)生電勢差。在半導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得半導體中的電子與空穴受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產(chǎn)生電場，電場力與洛倫茲力產(chǎn)生平衡之后，不再聚集。此時電場將會使后來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產(chǎn)生的洛倫茲力，使得后來的電子和空穴能順利通過不會偏移。參考資料來源：百度百科——霍爾系數(shù)

9，霍爾系數(shù)單位是什么

霍爾系數(shù)的單位是米的三次方每庫侖。——立方米/庫侖(m3/C)霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應?；魻栃且环N磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產(chǎn)生電動勢UH，這種現(xiàn)象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢，其大小可表示為：UH=RH/d*IC*B （1）式中，RH稱為霍爾系數(shù)，由半導體材料的性質(zhì)決定；d為半導體材料的厚度。設RH/d=K,則式（1）可寫為：UH=K*IC*B (2)可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱為乘積靈敏度。K值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。在式（2）中，若控制電流IC,為常數(shù)，磁感應強度B與被測電流成正比，就可以做成霍爾電流傳感器；另外，若仍固定IC為常數(shù)，B與被測電壓成正比，又可制成霍爾電壓傳感器。
霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）rh 在磁場不太強時，霍爾電勢差uh與激勵電流i和磁感應強度b的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即uh =rh*i*b/δ，式中的rh稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應的強弱。 另rh=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。

10，一般來說霍爾元件靈敏度KH為多少

一、霍爾元件靈敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)?；魻栐撵`敏度與霍爾系數(shù)成正比，而與霍爾元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，單位為mV/(mA.G)，它通?？梢员碚骰魻柍?shù)。另外，如果是指大學物理里的霍爾實驗那個靈敏度值，具體還得看實驗用具。二、霍爾元件是應用霍爾效應的半導體。一般用于電機中測定轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速，如錄像機的磁鼓，電腦中的散熱風扇等；是一種基于霍爾效應的磁傳感器,已發(fā)展成一個品種多樣的磁傳感器產(chǎn)品族，并已得到廣泛的應用。擴展資料：元件特性：1、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH在磁場不太強時，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應的強弱。 另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通?？梢员碚骰魻柍?shù)。3、霍爾額定激勵電流當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。4、霍爾最大允許激勵電流以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。5、霍爾輸入電阻霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。6、霍爾輸出電阻霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸出電阻。7、霍爾元件的電阻溫度系數(shù)在不施加磁場的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%/℃。8、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。參考資料來源：搜狗百科-霍爾元件
你說的應該是線性霍爾的KH，市場上的產(chǎn)品一般是 一點幾 毫伏/高斯 到 五 毫伏/高斯，如果你是大學物理里的霍爾實驗那個值可能會到十以上，具體看實驗用具
霍爾元件靈敏度KH一般在0.1~0.5mV/(mA.G)。霍爾元件的靈敏度與霍爾系數(shù)成正比，而與霍爾元件的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，單位為mV/(mA.G)，它通?？梢员碚骰魻柍?shù)。另外，如果是指大學物理里的霍爾實驗那個靈敏度值，具體還得看實驗用具。實際的霍爾元件，通常分為開關型或線性型兩種，開關型一般不標稱靈敏度，而線性型通常電流I由內(nèi)部電路決定。因此，靈敏度的定義發(fā)生了變化。線性型霍爾元件中，從原理上看，由VH=KHIB變?yōu)閂H=KHB，單位變?yōu)閙V/G，此時靈敏度一般在1~5mV/G 左右。擴展資料：霍爾靈敏度的物理意義是表示在單位磁感應強度相單位控制電流時的霍爾電勢大小，即在單位磁感應強度B和單位控制電流I時，產(chǎn)生霍爾電壓的大小。在霍爾效應中，霍爾元件的靈敏度與霍爾元件的厚度和載流子的濃度兩個因素有關。由霍爾元件靈敏度的計算公式可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱為乘積靈敏度。其中，K值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。參考資料來源：搜狗百科-霍爾元件參考資料來源：搜狗百科-霍爾系數(shù)
從原理看：vh=khibkh稱為靈敏度。單位為mv/(ma.g)實際的霍爾元件，通常分為開關型或線性型兩種，開關型一般不標稱靈敏度。線性型通常電流i由內(nèi)部電路決定。因此，靈敏度的定義發(fā)生了變化。vh=khb。單位變?yōu)閙v/g一般在1~5mv/g，假設供電電流為10ma，也可轉(zhuǎn)變?yōu)椋簁h=0.1~0.5mv/(ma.g)
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