什么是CVD技術？與鏈式平板PECVD技術相比，管式PECVD具有設備成本低、維護維修簡便等優(yōu)點，可以降低太陽能電池的制備成本。CVD技術是指化學氣相沉積技術，利用批量管式等離子體化學氣相沉積(PECVD)系統(tǒng)沉積氮化硅薄膜作為減反射層和鈍化層，已經成為大規(guī)模生產制造晶體硅太陽能電池的標準技術，目前已經得到廣泛應用。
采用批量管式等離子體化學氣相沉積(PECVD)系統(tǒng)沉積的氮化硅薄膜作為減反射層和鈍化層，已經成為大規(guī)模生產制造晶體硅太陽能電池的標準工藝技術，目前已經得到廣泛應用。與鏈式平板PECVD技術相比，管式PECVD具有設備成本低、維護維修簡便等優(yōu)點，可以降低太陽能電池的制備成本。在新一代高效電池中，載流子選擇性鈍化電極結構，如隧道氧化鈍化接觸(TOPCon)電池和硅異質結(SHJ或HJT)電池，都需要使用硅基薄膜作為功能層。
CVD技術是指化學氣相沉積技術。它是一種常用的薄膜制備技術，在適當的氣氛下將反應氣體轉化為化學反應產物，在基底表面形成薄膜。在CVD技術中，通過在反應室中提供合適的反應氣體并控制反應條件如溫度和壓力，反應氣體在襯底表面上發(fā)生化學反應并沉積成薄膜。反應氣體中的化學物質可以是氣體、蒸汽或揮發(fā)性液體。
2.反應氣氛的控制:調節(jié)反應室的溫度和壓力，以適應所需的反應條件。3.化學反應:在適當的溫度和壓力下，反應氣體發(fā)生化學反應，生成反應產物，4.沉積:反應產物以固體形式沉積在基底表面，逐漸生長形成薄膜。沉積速率和薄膜性質受反應條件的影響，CVD技術可用于制備各種類型的薄膜，包括金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜和碳化物薄膜。
