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pn結(jié)的形成，PN結(jié)的形成

來源：整理時(shí)間：2025-01-03 16:53:19 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，PN結(jié)的形成
2，PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)是怎么形成的
3，PN結(jié)是怎么形成的
4，組成二極管PN結(jié)的主要材料是什么
5，什么是pn結(jié) pnp npp
6，半導(dǎo)體是什么

1，PN結(jié)的形成

高濃度向低濃度擴(kuò)散引起，熵增是其動(dòng)因。

PN結(jié)的形成

2，PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)是怎么形成的

N半導(dǎo)體本身是中性，但有多子--電子，P半導(dǎo)體也是中性，但是有多子--空穴，在pn接觸面，N的電子和P的空穴復(fù)合，那么N少了電子帶正點(diǎn)，P少了空穴帶負(fù)電，所以電場(chǎng)由N到P，，，，，，自己組織的語言，看不懂郵箱留言，問題不難，但我下定決心掙我的第一個(gè)分了，

PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)是怎么形成的

3，PN結(jié)是怎么形成的

p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體接觸面形成pn結(jié)，p區(qū)中有大量空穴流向n區(qū)并留下負(fù)離子，n區(qū)中有大量電子流向p區(qū)并留下正離子（這部分叫做載流子的擴(kuò)散），正負(fù)離子形成的電場(chǎng)叫做空間電荷區(qū)，正離子阻礙電子流走，負(fù)離子阻礙空穴流走（這部分叫做載流子的漂移），載流子的擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，所以pn結(jié)不加電壓下呈電中性。

PN結(jié)是怎么形成的

4，組成二極管PN結(jié)的主要材料是什么

硅二極管PN結(jié)的主要材料是用硅材料做成的.鍺二極管PN結(jié)的主要材料是用鍺材料做成的.組成二極管的封裝材料：引線是銅，焊接芯片是點(diǎn)焊的，焊接后芯片外涂白膠，外殼黑塑膠封裝。

硅或鍺

硅或者鍺.但還有一些摻雜形的.

二極管的pn結(jié)內(nèi)部對(duì)電流的阻力與電阻性質(zhì)是不同的，是內(nèi)部電場(chǎng)對(duì)載流子的作用不是像電阻那樣是介質(zhì)對(duì)電子的阻力；pn接正向?qū)щ姷臅r(shí)候表現(xiàn)出來的電流方程為i=is（e*u/ut-1)，is為反向飽和電流，ut=kt/q其中的k是玻爾茲曼常數(shù)，t是熱力學(xué)溫度，q是電子的電量。這個(gè)不用細(xì)算，總之，正向?qū)〞r(shí)電流會(huì)很大，壓降會(huì)很小，鍺管壓降一般為0.6～0.7v，所以外圍電路中需要加限流電阻；再說反向時(shí)內(nèi)部反向電場(chǎng)加強(qiáng)此時(shí)就相當(dāng)于一個(gè)電容，所以基本沒有電流流過，也就是所說的截止?fàn)顟B(tài)。這是單純的pn結(jié)，當(dāng)pn結(jié)用到晶體管中的時(shí)候，可以概括的稱它導(dǎo)通時(shí)對(duì)電流的阻力為自身體電阻。不知道有沒有你需要的東西！

5，什么是pn結(jié) pnp npp

PN結(jié)是構(gòu)成二極管的，而NPN或PNP是三極管，它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的。這些在結(jié)構(gòu)在模擬電路里都有詳細(xì)的介紹，但是其內(nèi)部結(jié)構(gòu)只有有個(gè)了解認(rèn)識(shí)就行了，不用深入研究，沒有實(shí)際的用途。還是主要學(xué)習(xí)PN結(jié)的作用。 PN結(jié)作用：正向特性：正向?qū)?，即給PN結(jié)一個(gè)正向的電壓它就導(dǎo)通，一般壓降為0.3-0.7V。反向特性：可以做穩(wěn)壓管使用。即在反向電流允許的范圍內(nèi)，可以起到穩(wěn)壓的作用，穩(wěn)壓二極管就是這個(gè)原理。 PNP或NPN的作用：也主要是三極管的應(yīng)用啦。一般三極管有三個(gè)工作狀態(tài)：放大狀態(tài)：即起信號(hào)放大的作用，主要用在放大電路中。功放電路常用到的。截止和飽和導(dǎo)通狀態(tài)：這主要是起開關(guān)的作用的。在截止?fàn)顟B(tài)下可以理解為三極管的CE間是開路的，即斷開的，而在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下可以理解為三極管的CE間是短路的。開關(guān)作用也是常見到的，如在振蕩電路中，或開關(guān)電路的開關(guān)功率管都是工作在開關(guān)狀態(tài)下的。以上只是基本的知識(shí)，要想理解的深一點(diǎn)，還是要多學(xué)習(xí)一下電路的。

6，半導(dǎo)體是什么

◆半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性是可以受控的，范圍可從絕緣體至幾個(gè)歐姆之間。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)、儀器儀表以及測(cè)溫上都有著廣泛的應(yīng)用。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！癜雽?dǎo)體五大特性∶摻雜性（在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。），熱敏性，光敏性（在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。），負(fù)電阻率溫度特性，整流特性?！癜雽?dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。

當(dāng)電流通過各種物體時(shí)，不同的物體對(duì)電流的通過有著不同的阻止能力，有的物體可使電流順利通過，也有的物體不讓其通過，或者在一定的阻力下讓它通過。這種不同的物體通過電流的能力，叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能，凡是導(dǎo)電性能很好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之，導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有，有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差，但比絕緣體強(qiáng)，這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機(jī) CPU都是半導(dǎo)體半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測(cè)其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場(chǎng)的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測(cè)其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成p型區(qū)，另一邊制成n型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為pn結(jié)。圖中上部分為p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場(chǎng)的方向）。下邊部分為pn結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡