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半導(dǎo)體是什么東西，半導(dǎo)體的定義

來源：整理 時(shí)間：2025-02-14 18:34:53 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，半導(dǎo)體的定義

電阻率小于10的－6次方的物質(zhì)，叫導(dǎo)體。電阻率大于10的7次方的物質(zhì)叫絕緣體。半導(dǎo)體：是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，如：碳（純）3.5乘以10的－5次方。歐姆·米 硅（純）3200 歐姆·米 鍺（純）0.60 歐姆·米
中文名稱：半導(dǎo)體 英文名稱：semiconductor 定義：材料的電阻率界于金屬與絕緣材料之間的材料。這種材料在某個(gè)溫度范圍內(nèi)隨溫度升高而增加電荷載流子的濃度，電阻率下降。

半導(dǎo)體的定義

2，l什么叫做半導(dǎo)體

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，叫做半導(dǎo)體． 例如：鍺、硅、砷化鎵等． 半導(dǎo)體在科學(xué)技術(shù)，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和生活中有著廣泛的應(yīng)用．（例如： 電視、半導(dǎo)體收音機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等）這是什么原因呢？下面介紹它 所具有的特殊的電學(xué)性能． (2)半導(dǎo)體的一些電學(xué)特性 ①壓敏性：有的半導(dǎo)體在受到壓力后電阻發(fā)生較大的變化． 用途：制成壓敏元件，接入電路，測出電流變化，以確定壓力的變化． ②熱敏性：有的半導(dǎo)體在受熱后電阻隨溫度升高而迅速減小． 用途：制成熱敏電阻，用來測量很小范圍內(nèi)的溫度變化．

l什么叫做半導(dǎo)體

3，什么是半導(dǎo)體

顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）．　　物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院唵蔚陌呀橛趯?dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可?！　“雽?dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，最近雖然不常用，單還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。
半導(dǎo)體材料可以用幾種方法來描述： 1、導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料； 2、能帶結(jié)構(gòu)半空半滿的材料； 3、體內(nèi)載流子濃度隨外參量敏感變化的材料。 還有其它一些說法，但這三點(diǎn)是常見的和基本的餓！

什么是半導(dǎo)體

4，什么是半導(dǎo)體

半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。 無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 材料的導(dǎo)電性是由“導(dǎo)帶”（conduction band）中含有的電子數(shù)量決定。當(dāng)電子從“價(jià)帶”（valence band）獲得能量而跳躍至“導(dǎo)電帶”時(shí)，電子就可以在帶間任意移動(dòng)而導(dǎo)電。一般常見的金屬材料其導(dǎo)電帶與價(jià)電帶之間的“能隙”非常小，在室溫下電子很容易獲得能量而跳躍至導(dǎo)電帶而導(dǎo)電，而絕緣材料則因?yàn)槟芟逗艽螅ㄍǔ４笥?電子伏特），電子很難跳躍至導(dǎo)電帶，所以無法導(dǎo)電。 一般半導(dǎo)體材料的能隙約為1至3電子伏特，介于導(dǎo)體和絕緣體之間。因此只要給予適當(dāng)條件的能量激發(fā)，或是改變其能隙之間距，此材料就能導(dǎo)電。 半導(dǎo)體通過電子傳導(dǎo)或空穴傳導(dǎo)的方式傳輸電流。電子傳導(dǎo)的方式與銅線中電流的流動(dòng)類似，即在電場作用下高度電離（ionization）的原子將多余的電子向著負(fù)離子化程度比較低的方向傳遞?？昭▽?dǎo)電則是指在正離子化的材料中，原子核外由于電子缺失形成的“空穴”，在電場作用下，空穴被少數(shù)的電子補(bǔ)入而造成空穴移動(dòng)所形成的電流（一般稱為正電流）。 材料中載子（carrier）的數(shù)量對半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性極為重要。這可以通過在半導(dǎo)體中有選擇的加入其他“雜質(zhì)”（三、五族元素）來控制。如果我們在純硅中摻雜（doping）少許的砷或磷（最外層有五個(gè)電子），就會(huì)多出一個(gè)自由電子，這樣就形成N型半導(dǎo)體；如果我們在純硅中摻入少許的硼（最外層有三個(gè)電子），就反而少了一個(gè)電子，而形成一個(gè)空穴（hole），這樣就形成P型半導(dǎo)體（少了一個(gè)帶負(fù)電荷的電子，可視為多了一個(gè)正電荷）。
指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。

5，半導(dǎo)體是什么

◆半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性是可以受控的，范圍可從絕緣體至幾個(gè)歐姆之間 。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)、儀器儀表以及測溫上都有著廣泛的應(yīng)用。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。●半導(dǎo)體五大特性∶摻雜性（在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。），熱敏性，光敏性（在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。），負(fù)電阻率溫度特性，整流特性?！癜雽?dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。
當(dāng)電流通過各種物體時(shí)，不同的物體對電流的通過有著不同的阻止能力，有的物體可使電流順利通過，也有的物體不讓其通過，或者在一定的阻力下讓它通過。這種不同的物體通過電流的能力，叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能，凡是導(dǎo)電性能很好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之，導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有，有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差，但比絕緣體強(qiáng)，這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機(jī) CPU都是半導(dǎo)體 半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。 半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。 把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。
鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。 半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。 把一塊半導(dǎo)體的一邊制成p型區(qū)，另一邊制成n型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為pn結(jié)。圖中上部分為p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結(jié)的形成過程，示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用（用藍(lán)色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為pn結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡

6，半導(dǎo)體是什么做什么用的

自然界的物質(zhì)按導(dǎo)電能力可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。半導(dǎo)體材料是指室溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的一類功能材料?？侩娮雍涂昭▋煞N載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質(zhì)或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個(gè)數(shù)量級的變化。1906年制成了碳化硅檢波器。 1947年發(fā)明晶體管以后，半導(dǎo)體材料作為一個(gè)獨(dú)立的材料領(lǐng)域得到了很大的發(fā)展，并成為電子工業(yè)和高技術(shù)領(lǐng)域中不可缺少的材料。特性和參數(shù)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，由于雜質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠價(jià)帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時(shí)，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴(kuò)散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向?qū)щ娦?。利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以制成具有不同功能的半?dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用（如光或電場）下內(nèi)部載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最常見的一類缺陷。位錯(cuò)密度用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度，對于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料，則沒有這一參數(shù)。半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。半導(dǎo)體材料的種類常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導(dǎo)體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機(jī)化合物半導(dǎo)體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處于研究階段。此外，還有非晶態(tài)和液態(tài)半導(dǎo)體材料，這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。制備不同的半導(dǎo)體器件對半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對應(yīng)不同的加工工藝。常用的半導(dǎo)體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導(dǎo)體材料都需要對原料進(jìn)行提純，要求的純度在6個(gè)“9”以上，最高達(dá)11個(gè)“9”以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學(xué)組成進(jìn)行提純，稱為物理提純；另一類是把元素先變成化合物進(jìn)行提純，再將提純后的化合物還原成元素，稱為化學(xué)提純。物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等，使用最多的是區(qū)域精制。化學(xué)提純的主要方法有電解、絡(luò)合、萃娶精餾等，使用最多的是精餾。由于每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結(jié)合的工藝流程以獲得合格的材料。絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應(yīng)用最廣，80％的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的，其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。水平區(qū)熔法用以生產(chǎn)鍺單晶。水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法制成。半導(dǎo)體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶（band）寬度不同。絕緣體的能帶比半導(dǎo)體寬，意即絕緣體價(jià)帶中的載子必須獲得比在半導(dǎo)體中更高的能量才能跳過能帶，進(jìn)入傳導(dǎo)帶中。室溫下的半導(dǎo)體導(dǎo)電性有如絕緣體，只有極少數(shù)的載子具有足夠的能量進(jìn)入傳導(dǎo)帶。因此，對于一個(gè)在相同電場下的純質(zhì)半導(dǎo)體（intrinsicsemiconductor）和絕緣體會(huì)有類似的電特性，不過半導(dǎo)體的能帶寬度小于絕緣體也意味著半導(dǎo)體的導(dǎo)電性更容易受到控制而改變。純質(zhì)半導(dǎo)體的電氣特性可以藉由植入雜質(zhì)的過程而永久改變，這個(gè)過程通常稱為“摻雜”（doping）。依照摻雜所使用的雜質(zhì)不同，摻雜后的半導(dǎo)體原子周圍可能會(huì)多出一個(gè)電子或一個(gè)電洞，而讓半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性變得與原本不同。如果摻雜進(jìn)入半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度夠高，半導(dǎo)體也可能會(huì)表現(xiàn)出如同金屬導(dǎo)體般的電性。在摻雜了不同極性雜質(zhì)的半導(dǎo)體接面處會(huì)有一個(gè)內(nèi)建電場（built-inelectricfield），內(nèi)建電場和許多半導(dǎo)體元件的操作原理息息相關(guān)。除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導(dǎo)體亦可因?yàn)槭┘佑谄渖系碾妶龈淖兌鴦?dòng)態(tài)地變化。半導(dǎo)體材料也因?yàn)檫@樣的特性，很適合用來作為電路元件，例如晶體管。晶體管屬于主動(dòng)式的（有源）半導(dǎo)體元件（activesemiconductordevices），當(dāng)主動(dòng)元件和被動(dòng)式的（無源）半導(dǎo)體元件（passivesemiconductordevices）如電阻器（resistor）或是電容器（capacitor）組合起來時(shí)，可以用來設(shè)計(jì)各式各樣的集成電路產(chǎn)品，例如微處理器。當(dāng)電子從傳導(dǎo)帶掉回價(jià)帶時(shí)，減少的能量可能會(huì)以光的形式釋放出來。這種過程是制造發(fā)光二極管（light-emittingdiode,LED）以及半導(dǎo)體激光（semiconductorlaser）的基礎(chǔ)，在商業(yè)應(yīng)用上都有舉足輕重的地位。而相反地，半導(dǎo)體也可以吸收光子，透過光電效應(yīng)而激發(fā)出在價(jià)帶的電子，產(chǎn)生電訊號。這即是光探測器（photodetector）的來源，在光纖通訊（fiber-opticcommunications）或是太陽能電池（solarcell）的領(lǐng)域是最重要的元件。半導(dǎo)體有可能是單一元素組成，例如硅。也可以是兩種或是多種元素的化合物（compound），常見的化合物半導(dǎo)體有砷化鎵（galliumarsenide,GaAs）或是磷化鋁銦鎵（aluminiumgalliumindiumphosphide,AlGaInP）等。合金（alloy）也是半導(dǎo)體材料的來源之一，如鍺硅（silicongermanium,SiGe）或是砷化鎵鋁（aluminiumgalliumarsenide,AlGaAs）等。
半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。但半導(dǎo)體有個(gè)特性是導(dǎo)體和絕緣體所沒有的，那就是可以做成兩種不同特性的基片，再把這兩種基片結(jié)合到一起就可體現(xiàn)絕緣和導(dǎo)體交替的特性，如二極管反向絕緣，正向?qū)щ?，三極管通過一個(gè)控制端可讓其導(dǎo)電就導(dǎo)電，讓其絕緣就絕緣。所以就容易成為可以控制的器件，由此制作了很多電子產(chǎn)品
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