晶體缺陷，常見(jiàn)的晶體缺陷有以下幾種

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1，常見(jiàn)的晶體缺陷有以下幾種
2，晶體缺陷有哪些類(lèi)型它們的基本特征如何
3，實(shí)際金屬晶體中有哪些缺陷
4，晶體缺陷
5，為什么晶體會(huì)有缺陷
6，晶體在結(jié)構(gòu)上有哪些缺陷

1，常見(jiàn)的晶體缺陷有以下幾種

點(diǎn)缺陷：空位、間隙原子等線缺陷：位錯(cuò)，即刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)面缺陷：層錯(cuò)、孿晶體缺陷：包裹體等···

常見(jiàn)的晶體缺陷有以下幾種

2，晶體缺陷有哪些類(lèi)型它們的基本特征如何

在實(shí)際金屬中存在的缺陷有點(diǎn)缺陷（空位和間隙原子）、線缺陷（位錯(cuò)）和面缺陷（晶界）3種類(lèi)型。一般情況下，晶體缺陷的存在可以提高金屬的強(qiáng)度，但是晶體缺陷的存在常常降低金屬的抗腐蝕性能

晶體缺陷有哪些類(lèi)型它們的基本特征如何

3，實(shí)際金屬晶體中有哪些缺陷

點(diǎn)缺陷：肖特基缺陷，弗蘭克爾缺陷以及過(guò)飽和點(diǎn)缺陷；線缺陷：錯(cuò)位，包括刃型錯(cuò)位，螺旋錯(cuò)位和混合錯(cuò)位；面缺陷：小角晶界，堆垛層錯(cuò)，晶界；其他缺陷：輻射損傷，零維與一維納米缺陷，周期調(diào)制結(jié)構(gòu)（非公度相）等等。

實(shí)際金屬晶體中有哪些缺陷

4，晶體缺陷

晶體缺陷[1]：在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴(yán)格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點(diǎn)上。但在實(shí)際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運(yùn)動(dòng)及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些與完整周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對(duì)稱(chēng)性。　　晶體中存在的缺陷種類(lèi)很多，根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍?？煞譃辄c(diǎn)缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類(lèi)型。　　點(diǎn)缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過(guò)幾個(gè)原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子　　空位是指未被原子所占有的晶格結(jié)點(diǎn)。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點(diǎn)缺陷的出現(xiàn)，使周?chē)脑影l(fā)生靠攏或撐開(kāi)，造成晶格畸變。使材料的強(qiáng)度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點(diǎn)缺陷越多,它的強(qiáng)度、硬度越高。　　線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類(lèi)缺陷主要是位錯(cuò)。什么是位錯(cuò)呢？　　位錯(cuò)是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯(cuò)排現(xiàn)象。　　面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。　　晶界：晶粒之間的邊界稱(chēng)為晶界。　　亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。　　按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質(zhì)缺陷。　　本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結(jié)構(gòu)形成的缺陷，是由于晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子的熱運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的，也稱(chēng)熱缺陷。如：　　空位缺陷：晶格結(jié)點(diǎn)缺少了某些原子（或離子）而出現(xiàn)了空位。　　間充缺陷：在晶格結(jié)點(diǎn)的空隙中，間充有原子（或離子）。　　錯(cuò)位缺陷：在晶格結(jié)點(diǎn)上A類(lèi)原子占據(jù)了B類(lèi)原子所應(yīng)占據(jù)的位置。　　非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。　　雜質(zhì)缺陷——雜質(zhì)粒子進(jìn)入晶體形成的缺陷，如雜質(zhì)粒子和間隙粒子缺陷。　　晶體缺陷一般對(duì)晶體的化學(xué)性質(zhì)影響較小，而對(duì)晶體的一些物理性質(zhì)如導(dǎo)電性、磁性、光學(xué)性能及機(jī)械性能影響很大。　　工業(yè)上使用的金屬材料絕大多數(shù)都是多晶體。　　由于晶格空位和間隙原子的出現(xiàn)，原子間的作用力平衡被破壞，使其周?chē)钠渌影l(fā)生移動(dòng)，偏離晶體的結(jié)點(diǎn)位置，這種現(xiàn)象稱(chēng)為晶格畸變。

5，為什么晶體會(huì)有缺陷

結(jié)晶的時(shí)候地質(zhì)邊界條件發(fā)生改變（如地殼運(yùn)動(dòng)，如時(shí)間、溫度、壓力、巖漿中的揮發(fā)分等）或者地質(zhì)邊界條件的差異，是導(dǎo)致晶體結(jié)晶缺陷的主要原因。

晶體缺陷[1]：在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴(yán)格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點(diǎn)上。但在實(shí)際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運(yùn)動(dòng)及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些與完整周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對(duì)稱(chēng)性。　　晶體中存在的缺陷種類(lèi)很多，根據(jù)幾何形狀和涉及的范圍常可分為點(diǎn)缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類(lèi)型。　　點(diǎn)缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過(guò)幾個(gè)原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子　　空位是指未被原子所占有的晶格結(jié)點(diǎn)。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點(diǎn)缺陷的出現(xiàn)，使周?chē)脑影l(fā)生靠攏或撐開(kāi)，造成晶格畸變。使材料的強(qiáng)度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點(diǎn)缺陷越多,它的強(qiáng)度、硬度越高。　　線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類(lèi)缺陷主要是位錯(cuò)。什么是位錯(cuò)呢？　　位錯(cuò)是晶體中的某處有一列或若干列原子發(fā)生了某種有規(guī)律的錯(cuò)排現(xiàn)象。　　面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。　　晶界：晶粒之間的邊界稱(chēng)為晶界。　　亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。　　按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質(zhì)缺陷。　　本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結(jié)構(gòu)形成的缺陷，是由于晶格結(jié)點(diǎn)上的粒子的熱運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的，也稱(chēng)熱缺陷。如：　　空位缺陷：晶格結(jié)點(diǎn)缺少了某些原子（或離子）而出現(xiàn)了空位。　　間充缺陷：在晶格結(jié)點(diǎn)的空隙中，間充有原子（或離子）。　　錯(cuò)位缺陷：在晶格結(jié)點(diǎn)上a類(lèi)原子占據(jù)了b類(lèi)原子所應(yīng)占據(jù)的位置。　　非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。　　雜質(zhì)缺陷——雜質(zhì)粒子進(jìn)入晶體形成的缺陷，如雜質(zhì)粒子和間隙粒子缺陷。　　晶體缺陷一般對(duì)晶體的化學(xué)性質(zhì)影響較小，而對(duì)晶體的一些物理性質(zhì)如導(dǎo)電性、磁性、光學(xué)性能及機(jī)械性能影響很大。　　工業(yè)上使用的金屬材料絕大多數(shù)都是多晶體。　　由于晶格空位和間隙原子的出現(xiàn)，原子間的作用力平衡被破壞，使其周?chē)钠渌影l(fā)生移動(dòng)，偏離晶體的結(jié)點(diǎn)位置，這種現(xiàn)象稱(chēng)為晶格畸變。

結(jié)晶的時(shí)候氣泡的干擾，雜質(zhì)的干擾，原子出現(xiàn)滑動(dòng)，晶體生長(zhǎng)的速度太快或者太慢都有關(guān)系。

6，晶體在結(jié)構(gòu)上有哪些缺陷

①點(diǎn)缺陷，只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷。②線缺陷—位錯(cuò)。位錯(cuò)的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實(shí)驗(yàn)所實(shí)具有位錯(cuò)的晶體結(jié)構(gòu)，可看成是局部晶格沿一定的原子面發(fā)生晶格的滑移的產(chǎn)物。③面缺陷，是沿著晶格內(nèi)或晶粒間的某個(gè)面兩側(cè)大約幾個(gè)原子間距范圍內(nèi)出現(xiàn)的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯(cuò)以及晶體內(nèi)和晶體間的各種界面，如小角晶界、疇界壁、雙晶界面及晶粒間界等。④體缺陷：體缺陷主要是沉淀相、晶粒內(nèi)的氣孔和第二相夾雜物等。滿意請(qǐng)采納，謝謝。

首先晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中，總是不可避免地受到外界環(huán)境中各種復(fù)雜因素不同程度影響，不可能按理想發(fā)育，即質(zhì)點(diǎn)排列不嚴(yán)格服從空間格子規(guī)律，可能存在空位、間隙離子、位錯(cuò)、鑲嵌結(jié)構(gòu)等缺陷，外形可能不規(guī)則。另外，晶體形成后，還會(huì)受到外界各種因素作用如溫度、溶解、擠壓、扭曲等等。　　晶體缺陷：各種偏離晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)周期重復(fù)排列的因素，嚴(yán)格說(shuō)，造成晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)周期勢(shì)場(chǎng)畸變的一切因素。　　如晶體中進(jìn)入了一些雜質(zhì)。這些雜質(zhì)也會(huì)占據(jù)一定的位置，這樣破壞了原質(zhì)點(diǎn)排列的周期性，在二十世紀(jì)中期，發(fā)現(xiàn)晶體中缺陷的存在，它嚴(yán)重影響晶體性質(zhì)，有些是決定性的，如半導(dǎo)體導(dǎo)電性質(zhì)，幾乎完全是由外來(lái)雜質(zhì)原子和缺陷存在決定的，許多離子晶體的顏色、發(fā)光等。另外，固體的強(qiáng)度，陶瓷、耐火材料的燒結(jié)和固相反應(yīng)等等均與缺陷有關(guān)，晶體缺陷是近三、四年國(guó)內(nèi)外科學(xué)研究十分注意的一個(gè)內(nèi)容。　　根據(jù)缺陷的作用范圍把真實(shí)晶體缺陷分四類(lèi)：　　點(diǎn)缺陷:在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個(gè)原子。　　線缺陷;在二維尺寸小，在另一維尺寸大，可被電鏡觀察到。　　面缺陷：在一維尺寸小，在另二維尺寸大，可被光學(xué)顯微鏡觀察到。　　體缺陷：在三維尺寸較大，如鑲嵌塊，沉淀相，空洞，氣泡等。　　按形成的原因不同分三類(lèi)：　　1 熱缺陷（晶格位置缺陷）　　在晶體點(diǎn)陣的正常格點(diǎn)位出現(xiàn)空位，不該有質(zhì)點(diǎn)的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)（間隙質(zhì)點(diǎn)）。　　2 組成缺陷　　外來(lái)質(zhì)點(diǎn)（雜質(zhì)）取代正常質(zhì)點(diǎn)位置或進(jìn)入正常結(jié)點(diǎn)的間隙位置。　　3 電荷缺陷　　晶體中某些質(zhì)點(diǎn)個(gè)別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開(kāi)原來(lái)質(zhì)點(diǎn)，形成自由電子，在原來(lái)電子軌道上留下了電子空穴。

晶體是有明確衍射圖案的固體，其原子或分子在空間按一定規(guī)律周期重復(fù)地排列。晶體中原子或分子的排列具有三維空間的周期性，隔一定的距離重復(fù)出現(xiàn)，這種周期性規(guī)律是晶體結(jié)構(gòu)中最基本的特征。晶體和非晶體的區(qū)別1、結(jié)構(gòu)區(qū)別晶體都具有規(guī)則的幾何形狀，而非晶體沒(méi)有一定的幾何外形。2、各向異性晶體的各種物理性質(zhì)，在各個(gè)方向上都是不同的，即各向異性；非晶體則顯各向同性。3、熔點(diǎn)晶體必須到達(dá)熔點(diǎn)時(shí)才能熔解，而非晶體在熔解的過(guò)程中，沒(méi)有明確的熔點(diǎn)，隨著溫度升高，物質(zhì)首先變軟，然后逐漸由稠變稀。4、對(duì)x射線的衍射晶體可對(duì)x射線發(fā)生，非晶體不可對(duì)x射線發(fā)生衍射，當(dāng)單一波長(zhǎng)的x-射線通過(guò)晶體時(shí)，會(huì)在記錄儀上看到分立的斑點(diǎn)或明銳譜線。而在同一條件下攝取的非晶體圖譜中卻看不到分立的斑點(diǎn)或明銳譜線。

晶體的缺陷種類(lèi)很多，常見(jiàn)的有：1、空位；2、填隙；3、晶格形變（各種位錯(cuò)）

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1，常見(jiàn)的晶體缺陷有以下幾種

2，晶體缺陷有哪些類(lèi)型它們的基本特征如何

3，實(shí)際金屬晶體中有哪些缺陷

4，晶體缺陷

5，為什么晶體會(huì)有缺陷

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