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俄歇電子能譜，晶界處碳偏聚的測量有什么方法用俄歇電子能譜 只能測量端口處

來源：整理 時間：2025-03-19 07:23:16 編輯：智能門戶 手機版

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1，晶界處碳偏聚的測量有什么方法用俄歇電子能譜 只能測量端口處

俄歇電子在固體中運行也要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產(chǎn)生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。所以不論是端口還是斷口，俄歇電子能譜只能考察固體的表面層。望采納
我不會~~~但還是要微笑~~~：）

晶界處碳偏聚的測量有什么方法用俄歇電子能譜 只能測量端口處

2，為什么說俄歇電子能譜分析是一種表面分析方法且空間分辨率高

大多數(shù)元素在50~1000eV能量范圍內(nèi)都有產(chǎn)額較高的俄歇電子，它們的有效激發(fā)體積（空間分辨率）取決于入射電子束的束斑直徑和俄歇電子的發(fā)射深度。 能夠保持特征能量（沒有能量損失）而逸出表面的俄歇電子，發(fā)射深度僅限于表面以下大約2nm以內(nèi)，約相當于表面幾個原子層，且發(fā)射（逸出）深度與俄歇電子的能量以及樣品材料有關。 在這樣淺的表層內(nèi)逸出俄歇電子時，入射電子束的側(cè)向擴展幾乎尚未開始，故其空間分辨率直接由入射電子束的直徑?jīng)Q定。

為什么說俄歇電子能譜分析是一種表面分析方法且空間分辨率高

3，俄歇效應的研究應用

1953 年，蘭德首次進行了俄歇電子能譜用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用電子能量微分法，使電子能量分布曲線上的俄歇譜峰通本底區(qū)分開來，才使得俄歇效應的應用走上實用階段?；诙硇亩硇娮幽茏V儀是一種實用較廣的表面分析儀器 ，它靠檢測自表面逸出的俄歇電子的特征能譜铏表面成份分析，了解表面的化學環(huán)境等。俄歇電子能譜儀的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由置于超高真空的旋轉(zhuǎn)式樣品臺、電子槍（激發(fā)源）、離子槍、電子能量分析器、電子探測器等部件組成主體，附加檢測電路及記錄顯示系統(tǒng)組成，近代產(chǎn)品都配有計算機進行數(shù)據(jù)處理。

俄歇效應的研究應用

4，俄歇電子能譜圖與光電子能譜圖的表示方法有何不同為什么

兩個產(chǎn)生光子的機理不同 俄歇效應 是原子的內(nèi)層電子躍遷產(chǎn)生的 當用高能電子撞擊原子內(nèi)層電子時，原子的內(nèi)層電子瞬間得到極高的能量 就會擺脫原子核的束縛 這樣就會靠近原子的軌道形成電子的空缺 為了使整個原子保持穩(wěn)定 即能量最低 次外層的電子就會向內(nèi)躍遷來填補這種空穴 這個過程也會產(chǎn)生光子 并且光子的能量非常的高 就是X射線 不過這只是X射線譜的一部分 為特征輻射 還有一類是連續(xù)譜 是高能電子飛向原子時被原子的電子排斥 做減速運動 而做變速運動的電子也要產(chǎn)生輻射 這類輻射簡稱韌致輻射

5，俄歇電子能譜的基本原理

測定俄歇電子的能量從而獲得固體表面組成等信息的技術。處于激發(fā)態(tài)的原子可能發(fā)生兩類過程（圖1）。 一類是內(nèi)殼層空穴被外殼層電子所填充,由此釋放出能量而產(chǎn)生X射線熒光。另一類是電子由外殼層落到內(nèi)殼層，用所釋放出來的能量打出一個其電離勢更低的軌道電子（通常為價電子）。后一個過程稱為俄歇過程,以發(fā)現(xiàn)此過程的法國科學家P.-V.俄歇命名，被打出來的電子稱為俄歇電子。用光或電子轟擊固體表面，都能產(chǎn)生俄歇效應。 　　俄歇電子在固體中運行也同樣要經(jīng)歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產(chǎn)生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄歇電子能譜可以作表面微區(qū)分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。它是近代考察固體表面的強有力工具，廣泛用于各種材料分析以及催化、吸附、腐蝕、磨損等方面的研究。

6，俄歇電子能譜儀的主要功能是什么它能檢測樣品的哪些信息

UV-visible-spectrophotometer紫外見光光度計雙語例句1. This coordination was confirmed by UV - visible spectra, X - rayphotoelectronspectroscopy ( XPS ) and Auger electron spectroscopy ( AES ). UV-vis 、 X—射線光電能譜 ( XPS ) 俄歇電能譜 ( AES ) 證實種配位作用.自互聯(lián)網(wǎng)2. UV - visible spectroscopy , TEM, and AAS were used to follow the process.紫外, TEM及原吸收光譜跟蹤程.自互聯(lián)網(wǎng)3. The molar absorptivity of UV 754 spectrophotometer was measured too. 測定UV754光光度計摩爾消光系數(shù).自互聯(lián)網(wǎng)請采納~
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