mos管是什么，三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面

來源：整理時間：2023-08-23 07:17:13 編輯：智能門戶手機版

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1，三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面
2，逆變器大功率三極管有哪幾種
3，MOS管很容易被損壞為什么
4，mos管對于微電子專業(yè)來說重要嗎求詳細解釋
5，三極管可以用來干什么
6，CMOS器件的基本原理及結(jié)構(gòu)

1，三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面

三極管是電流驅(qū)動（控制）的，MOS管是電壓驅(qū)動（控制）的，從這一點說MOS管更象電子管，所以在好的功率放大器上末級功率管多用的是MOS管

三極管是電流控制的，mos管是電壓控制的

三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面

2，逆變器大功率三極管有哪幾種

如果逆變器的功率較小的話，可以使用一般的MOS管，但是如果功率較大的話就要使用IBGT。但是如果功率很小的話，比如幾十瓦甚至是十幾瓦的小功率逆變器，使用高功率開關(guān)三極管也可以。比如可以使用8050或者8550之類的開關(guān)三極管。

逆變器大功率三極管有哪幾種

3，MOS管很容易被損壞為什么

因為它們是電壓形器件，對電壓很明感。比如人體產(chǎn)生的靜電又是高達上萬伏。早已超出了管子的耐壓值。是管子損壞。

mosfet的性能好，是指它的開關(guān)速度快，導通電阻小，易于并聯(lián)，容易驅(qū)動，和是否易壞是兩回事。mos管損壞通常是因為過壓、過流、過熱、柵極靜電擊穿所致。防靜電是指柵極氧化層阻抗很大，容易在靜電累積時造成擊穿，通常在柵源極之間并聯(lián)電阻，減小靜電泄放通路阻抗來避免。h橋除上述一般擊穿機理外，還容易出現(xiàn)誤觸發(fā)而直通短路，這是拓撲本身決定的。

MOS管很容易被損壞為什么

4，mos管對于微電子專業(yè)來說重要嗎求詳細解釋

還是知道為妙，為啥子捏，現(xiàn)在的都是FET的器件了，BJT都不怎么常用了，芯片都是用CMOS工藝，大功率的電源都是MOSFET，甚至是HEXFET，還有高頻放大下有JFET，射頻功率放大有LDMOS，還有很多我也不知道的，微電嘛，以后是做芯片的，我是學通信的，這個和我都不怎么沾邊，為了以后學習和工作需要，知道總比不知道好吧~對么~

你好！微電子必讀的西交大陳大仙翻譯的畢查德·拉扎維的書《cmos集成電路設(shè)計》如果你英文好建議看原版，畢竟翻譯的有點差別，網(wǎng)上都可以下到，你直接百度拉扎維cmos集成電路設(shè)計就出來了僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

5，三極管可以用來干什么

主要是放大和開關(guān)作用,它是一種控制元件

你好簡單的說就是高·低頻信號放大，開關(guān)電源等等?？纯磿鴨h，初中三年物理書上就有的。祝你學業(yè)有成

放大電信號，老師剛講過。

也稱晶體管，在中文含義里面只是對三個引腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，雖然都叫三極管，其實在英文里[1]面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯　　電子三極管 Triode 這個是英漢字典里面“三極管”這個詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個詞最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實際翻譯的時候是絕對不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴謹?shù)恼f，在英文里面根本就沒有三個腳的管子這樣一個詞匯?。?！　　電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）　　雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）　　J型場效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）　　金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱　　V型槽場效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）　　注：這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實結(jié)構(gòu)千差萬別　　J型場效應(yīng)管金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 V溝道場效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）　　其中J型場效應(yīng)管是非絕緣型場效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應(yīng)管　　VMOS是在 MOS的基礎(chǔ)上改進的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改經(jīng)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管他的作用：，如果說三極管的基本原理用這樣的比喻比較牽強附會的話，在設(shè)計三極管的版圖時，它就非常的確切了，我們先畫一條綠色的線條表示通道，再畫一條橫跨過通道的紅色線條表示控制柵極，就象馬路上的綠色的通道和警察掌握的紅燈一樣，綠色通道里的電流的通斷，得看警察的臉色行事。不過在集成電路里通道不叫通道，而叫有源區(qū)，一個奇怪的名字，不過很好記，我們平時把半導體器件叫做有源器件，電阻電容叫無源器件，三極管是有源器件，因此只要記住和三極管有關(guān)的區(qū)域叫有源區(qū)就可以了。由 N型或 P型半導體材料組成源極和漏極，在源極和漏極之間放一層多晶硅作為柵極，這就形成了一個 MOS三極管，多做幾個這樣的三極管，并把它們按要求連接起來，這就形成了集成電路。把許多三極管做在一起就是集成電路。集成電路真的就是這么簡單，請暫時不要問什么半導體為什么會導電之類目前被認為是無關(guān)緊要的問題，我們在這里探討的是如何快速的學會設(shè)計集成電路，而不是半導體理論。 top

放大和開關(guān)作用，分為2種型號：ＮＰＮ型和ＰＮＰ型　　3個極性：Ｅ（發(fā)射極）Ｂ（基極）Ｃ（集電極）　希望采納！

　　晶體管是半導體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。晶體管是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。　　三極管詳解半導體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關(guān)作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。

6，CMOS器件的基本原理及結(jié)構(gòu)

CMOS器件：就是CMOS傳感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文學名為互補金屬氧化物半導體，它本是計算機系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片，保存了系統(tǒng)引導最基本的資料。其原理是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶-電）和 P（帶+電）級的半導體，這兩個互補效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀錄和解讀成影像。　　　　CMOS傳感器也可細分為被動式像素傳感器(Passive Pixel Sensor CMOS)與主動式像素傳感器(Active Pixel Sensor CMOS)。　　CMOS傳感器按為像素結(jié)構(gòu)分被動式與主動式兩種?！　”粍邮?：又叫無源式。它由一個反向偏置的光敏二極管和一個開關(guān)管構(gòu)成。光敏二極管本質(zhì)上是一個由P型半導體和N型半導體組成的PN結(jié)，它可等效為一個反向偏置的二極管和一個MOS電容并聯(lián)。當開關(guān)管開啟時，光敏二極管與垂直的列線（Column bus）連通。位于列線末端的電荷積分放大器讀出電路（Charge integrating amplifier）保持列線電壓為一常數(shù)，當光敏二極管存貯的信號電荷被讀出時，其電壓被復位到列線電壓水平，與此同時，與光信號成正比的電荷由電荷積分放大器轉(zhuǎn)換為電荷輸出?！　≈鲃邮剑? 主動式像素結(jié)構(gòu)（Active Pixel Sensor.簡稱APS），又叫有源式，如圖2所示. 幾乎在CMOS PPS像素結(jié)構(gòu)發(fā)明的同時，人們很快認識到在像素內(nèi)引入緩沖器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素內(nèi)都有自己的放大器。集成在表面的放大晶體管減少了像素元件的有效表面積，降低了“封裝密度”，使40%～50%的入射光被反射。這種傳感器的另一個問題是，如何使傳感器的多通道放大器之間有較好的匹配，這可以通過降低殘余水平的固定圖形噪聲較好地實現(xiàn)。由于CMOS APS像素內(nèi)的每個放大器僅在此讀出期間被激發(fā)，所以CMOS APS的功耗比CCD圖像傳感器的還小。

三塊太陽能電池。蓋上紅色濾色玻璃，綠色濾色玻璃，藍色濾色玻璃。紅色濾色玻璃的太陽能電池，根據(jù)紅色光線的強弱，產(chǎn)生多或少的電量，把這些電量換算成數(shù)字，代表紅色光線的強弱。綠色，藍色同上。三種光線的強弱合起來，代表這個點所接收的顏色。超多的微型的太陽能電池組成眾多的顏色信號，最終組成馬賽克畫面。ccd就是微型的蓋著有色玻璃的太陽能電池的集合體。那些專業(yè)生造詞看得頭疼，用自己能理解的話翻譯ccd原理。

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。在計算機領(lǐng)域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設(shè)置等)的芯片。有時人們會把CMOS和BIOS混稱，其實CMOS是主板上的一塊可讀寫的RAM芯片，是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS可由主板的電池供電，即使系統(tǒng)掉電，信息也不會丟失。CMOS RAM本身只是一塊存儲器，只有數(shù)據(jù)保存功能。而對BIOS中各項參數(shù)的設(shè)定要通過專門的程序。BIOS設(shè)置程序一般都被廠商整合在芯片中，在開機時通過特定的按鍵就可進入BIOS設(shè)置程序，方便地對系統(tǒng)進行設(shè)置。因此BIOS設(shè)置有時也被叫做CMOS設(shè)置。 CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件（常見的有TTL和CMOS），尤其是片幅規(guī)格較大的單反數(shù)碼相機。雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工藝，只是將純粹邏輯運算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線后轉(zhuǎn)化為電能，再透過芯片上的模-數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）將獲得的影像訊號轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號輸出。 CMOS與CCD的區(qū)別 CCD與CMOS傳感器是被普遍采用的兩種圖像傳感器，兩者都是利用感光二極管(photodiode)進行光電轉(zhuǎn)換，將圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，而其主要差異是數(shù)字數(shù)據(jù)傳送的方式不同。 CCD傳感器中每一行中每一個象素的電荷數(shù)據(jù)都會依次傳送到下一個象素中，由最底端部分輸出，再經(jīng)由傳感器邊緣的放大器進行放大輸出；而在CMOS傳感器中，每個象素都會鄰接一個放大器及A/D轉(zhuǎn)換電路，用類似內(nèi)存電路的方式將數(shù)據(jù)輸出。造成這種差異的原因在于：CCD的特殊工藝可保證數(shù)據(jù)在傳送時不會失真，因此各個象素的數(shù)據(jù)可匯聚至邊緣再進行放大處理；而CMOS工藝的數(shù)據(jù)在傳送距離較長時會產(chǎn)生噪聲，因此，必須先放大，再整合各個象素的數(shù)據(jù)。由于數(shù)據(jù)傳送方式不同，因此CCD與CMOS傳感器在效能與應(yīng)用上也有諸多差異，這些差異包括： 1. 靈敏度差異：由于CMOS傳感器的每個象素由四個晶體管與一個感光二極管構(gòu)成(含放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路)，使得每個象素的感光區(qū)域遠小于象素本身的表面積，因此在象素尺寸相同的情況下，CMOS傳感器的靈敏度要低于CCD傳感器。2. 成本差異：由于CMOS傳感器采用一般半導體電路最常用的CMOS工藝，可以輕易地將周邊電路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到傳感器芯片中，因此可以節(jié)省外圍芯片的成本；除此之外，由于CCD采用電荷傳遞的方式傳送數(shù)據(jù)，只要其中有一個象素不能運行，就會導致一整排的數(shù)據(jù)不能傳送，因此控制CCD傳感器的成品率比CMOS傳感器困難許多，即使有經(jīng)驗的廠商也很難在產(chǎn)品問世的半年內(nèi)突破50%的水平，因此，CCD傳感器的成本會高于CMOS傳感器。3. 分辨率差異： CMOS傳感器的每個象素都比CCD傳感器復雜，其象素尺寸很難達到CCD傳感器的水平，因此，當比較相同尺寸的CCD與CMOS傳感器時，CCD傳感器的分辨率通常會優(yōu)于CMOS傳感器的水平。例如，市面上CMOS傳感器最高可達到210萬象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸為1/2英寸，象素尺寸為4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸與 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率卻能高達513萬象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。4. 噪聲差異：由于CMOS傳感器的每個感光二極管都需搭配一個放大器，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個放大器所得到的結(jié)果保持一致，因此與只有一個放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪聲就會增加很多，影響圖像品質(zhì).5. 功耗差異： CMOS傳感器的圖像采集方式為主動式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會直接由晶體管放大輸出，但CCD傳感器為被動式采集，需外加電壓讓每個象素中的電荷移動，而此外加電壓通常需要達到12~18V；因此，CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計上的難度更高之外(需外加 power IC)，高驅(qū)動電壓更使其功耗遠高于CMOS傳感器的水平。舉例來說，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下運行，功耗僅為40mW；而致力于低功耗CCD傳感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等級的產(chǎn)品，其功耗卻仍保持在90mW 以上。因此CCD發(fā)熱量比CMOS大，不能長時間在陽光下工作。綜上所述，CCD傳感器在靈敏度、分辨率、噪聲控制等方面都優(yōu)于CMOS傳感器，而CMOS傳感器則具有低成本、低功耗、以及高整合度的特點。不過，隨著CCD與CMOS傳感器技術(shù)的進步，兩者的差異有逐漸縮小的態(tài)勢，例如，CCD傳感器一直在功耗上作改進，以應(yīng)用于移動通信市場(這方面的代表業(yè)者為Sanyo)；CMOS傳感器則在改善分辨率與靈敏度方面的不足，以應(yīng)用于更高端的圖像產(chǎn)品。發(fā)展前景專家們認為，21世紀初全球CMOS圖像傳感器市場將在PC攝像機、移動通信市場、數(shù)碼相機、攝像機市場市場等領(lǐng)域獲得大幅度增長，在未來的幾年時間內(nèi)，在130 萬像素至200萬像素之下的產(chǎn)品中，將開始以CMOS傳感器為主流。以小型化和低功耗CMOS圖像傳感器為核心的攝像機正在成為消費類產(chǎn)品的主流，上述領(lǐng)域?qū)閳D像傳感器市場帶來巨大發(fā)展。