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mos管是什么，三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-23 07:17:13 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

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1，三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面

三極管是電流驅(qū)動(dòng)（控制）的，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)（控制）的，從這一點(diǎn)說(shuō)MOS管更象電子管，所以在好的功率放大器上末級(jí)功率管多用的是MOS管
三極管是電流控制的，mos管是電壓控制的

三極管和MOS管的區(qū)別主要應(yīng)用表現(xiàn)在哪些方面

2，逆變器大功率三極管有哪幾種

如果逆變器的功率較小的話，可以使用一般的MOS管，但是如果功率較大的話就要使用IBGT。但是如果功率很小的話，比如幾十瓦甚至是十幾瓦的小功率逆變器，使用高功率開(kāi)關(guān)三極管也可以。比如可以使用8050或者8550之類(lèi)的開(kāi)關(guān)三極管。

逆變器大功率三極管有哪幾種

3，MOS管很容易被損壞為什么

因?yàn)樗鼈兪请妷盒纹骷?，?duì)電壓很明感。比如人體產(chǎn)生的靜電又是高達(dá)上萬(wàn)伏。早已超出了管子的耐壓值。是管子損壞。
mosfet的性能好，是指它的開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小，易于并聯(lián)，容易驅(qū)動(dòng)，和是否易壞是兩回事。mos管損壞通常是因?yàn)檫^(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱、柵極靜電擊穿所致。防靜電是指柵極氧化層阻抗很大，容易在靜電累積時(shí)造成擊穿，通常在柵源極之間并聯(lián)電阻，減小靜電泄放通路阻抗來(lái)避免。h橋除上述一般擊穿機(jī)理外，還容易出現(xiàn)誤觸發(fā)而直通短路，這是拓?fù)浔旧頉Q定的。

MOS管很容易被損壞為什么

4，mos管對(duì)于微電子專(zhuān)業(yè)來(lái)說(shuō)重要嗎求詳細(xì)解釋

還是知道為妙，為啥子捏，現(xiàn)在的都是FET的器件了，BJT都不怎么常用了，芯片都是用CMOS工藝，大功率的電源都是MOSFET，甚至是HEXFET，還有高頻放大下有JFET，射頻功率放大有LDMOS，還有很多我也不知道的，微電嘛，以后是做芯片的，我是學(xué)通信的，這個(gè)和我都不怎么沾邊，為了以后學(xué)習(xí)和工作需要，知道總比不知道好吧~對(duì)么~
你好！ 微電子必讀的西交大陳大仙翻譯的 畢查德·拉扎維的書(shū)《cmos集成電路設(shè)計(jì)》 如果你英文好建議看原版，畢竟翻譯的有點(diǎn)差別， 網(wǎng)上都可以下到，你直接百度拉扎維cmos集成電路設(shè)計(jì) 就出來(lái)了 僅代表個(gè)人觀點(diǎn)，不喜勿噴，謝謝。

5，三極管可以用來(lái)干什么

主要是放大和開(kāi)關(guān)作用,它是一種控制元件
你好 簡(jiǎn)單的說(shuō)就是高·低頻信號(hào)放大，開(kāi)關(guān)電源等等?？纯磿?shū)唄，初中三年物理書(shū)上就有的。祝你學(xué)業(yè)有成
放大電信號(hào)，老師剛講過(guò)。
也稱(chēng)晶體管，在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)引腳的放大器件的統(tǒng)稱(chēng)，我們常說(shuō)的三極管，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里[1]面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯 　　電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這個(gè)詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個(gè)詞最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實(shí)際翻譯的時(shí)候是絕對(duì)不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)恼f(shuō)，在英文里面根本就沒(méi)有三個(gè)腳的管子這樣一個(gè)詞匯?。?！ 　　電子三極管 Triode （俗稱(chēng)電子管的一種） 　　雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor） 　　J型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱(chēng) 　　V型槽場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ） 　　注：這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)結(jié)構(gòu)千差萬(wàn)別 　　J型場(chǎng)效應(yīng)管 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 V溝道場(chǎng)效應(yīng)管 是 單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和 雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱(chēng)為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor） 　　其中J型場(chǎng)效應(yīng)管是非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場(chǎng)效應(yīng)管 　　VMOS是在 MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改經(jīng)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒(méi)有MOS所特有的耗盡型的MOS管 他的作用：，如果說(shuō)三極管的基本原理用這樣的比喻比較牽強(qiáng)附會(huì)的話，在設(shè)計(jì)三極管的版圖時(shí)，它就非常的確切了，我們先畫(huà)一條綠色的線條表示通道，再畫(huà)一條橫跨過(guò)通道的紅色線條表示控制柵極，就象馬路上的綠色的通道和警察掌握的紅燈一樣，綠色通道里的電流的通斷，得看警察的臉色行事。不過(guò)在集成電路里通道不叫通道，而叫有源區(qū)，一個(gè)奇怪的名字，不過(guò)很好記，我們平時(shí)把半導(dǎo)體器件叫做有源器件，電阻電容叫無(wú)源器件，三極管是有源器件，因此只要記住和三極管有關(guān)的區(qū)域叫有源區(qū)就可以了。 由 N型或 P型半導(dǎo)體材料組成源極和漏極，在源極和漏極之間放一層多晶硅作為柵極，這就形成了一個(gè) MOS三極管，多做幾個(gè)這樣的三極管，并把它們按要求連接起來(lái)，這就形成了集成電路。把許多三極管做在一起就是集成電路。 集成電路真的就是這么簡(jiǎn)單，請(qǐng)暫時(shí)不要問(wèn)什么半導(dǎo)體為什么會(huì)導(dǎo)電之類(lèi)目前被認(rèn)為是無(wú)關(guān)緊要的問(wèn)題，我們?cè)谶@里探討的是如何快速的學(xué)會(huì)設(shè)計(jì)集成電路，而不是半導(dǎo)體理論。 top
放大和開(kāi)關(guān)作用，分為2種型號(hào)：ＮＰＮ型和ＰＮＰ型　　3個(gè)極性：Ｅ（發(fā)射極）Ｂ（基極）Ｃ（集電極） 　希望采納！
　　晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等）表示。晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。 　　三極管詳解半導(dǎo)體三極管也稱(chēng)為晶體三極管，可以說(shuō)它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開(kāi)關(guān)作用。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。

6，CMOS器件的基本原理及結(jié)構(gòu)

CMOS器件：就是CMOS傳感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，它本是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片，保存了系統(tǒng)引導(dǎo)最基本的資料。其原理是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶-電） 和 P（帶+電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀(jì)錄和解讀成影像?！　　　MOS傳感器也可細(xì)分為被動(dòng)式像素傳感器(Passive Pixel Sensor CMOS)與主動(dòng)式像素傳感器(Active Pixel Sensor CMOS)?！　MOS傳感器按為像素結(jié)構(gòu)分被動(dòng)式與主動(dòng)式兩種。　　被動(dòng)式 ：又叫無(wú)源式。它由一個(gè)反向偏置的光敏二極管和一個(gè)開(kāi)關(guān)管構(gòu)成。光敏二極管本質(zhì)上是一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)，它可等效為一個(gè)反向偏置的二極管和一個(gè)MOS電容并聯(lián)。當(dāng)開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí)，光敏二極管與垂直的列線（Column bus）連通。位于列線末端的電荷積分放大器讀出電路（Charge integrating amplifier）保持列線電壓為一常數(shù)，當(dāng)光敏二極管存貯的信號(hào)電荷被讀出時(shí)，其電壓被復(fù)位到列線電壓水平，與此同時(shí)，與光信號(hào)成正比的電荷由電荷積分放大器轉(zhuǎn)換為電荷輸出?！　≈鲃?dòng)式： 主動(dòng)式像素結(jié)構(gòu)（Active Pixel Sensor.簡(jiǎn)稱(chēng)APS），又叫有源式，如圖2所示. 幾乎在CMOS PPS像素結(jié)構(gòu)發(fā)明的同時(shí)，人們很快認(rèn)識(shí)到在像素內(nèi)引入緩沖器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素內(nèi)都有自己的放大器。集成在表面的放大晶體管減少了像素元件的有效表面積，降低了“封裝密度”，使40%～50%的入射光被反射。這種傳感器的另一個(gè)問(wèn)題是，如何使傳感器的多通道放大器之間有較好的匹配，這可以通過(guò)降低殘余水平的固定圖形噪聲較好地實(shí)現(xiàn)。由于CMOS APS像素內(nèi)的每個(gè)放大器僅在此讀出期間被激發(fā)，所以CMOS APS的功耗比CCD圖像傳感器的還小。
三塊太陽(yáng)能電池。蓋上紅色濾色玻璃，綠色濾色玻璃，藍(lán)色濾色玻璃。紅色濾色玻璃的太陽(yáng)能電池，根據(jù)紅色光線的強(qiáng)弱，產(chǎn)生多或少的電量，把這些電量換算成數(shù)字，代表紅色光線的強(qiáng)弱。綠色，藍(lán)色同上。三種光線的強(qiáng)弱合起來(lái)，代表這個(gè)點(diǎn)所接收的顏色。超多的微型的太陽(yáng)能電池組成眾多的顏色信號(hào)，最終組成馬賽克畫(huà)面。ccd就是微型的 蓋著有色玻璃的 太陽(yáng)能電池 的 集合體。那些專(zhuān)業(yè)生造詞看得頭疼，用自己能理解的話翻譯ccd原理。
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。 在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日期、時(shí)間、啟動(dòng)設(shè)置等)的芯片。有時(shí)人們會(huì)把CMOS和BIOS混稱(chēng)，其實(shí)CMOS是主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片，是用來(lái)保存BIOS的硬件配置和用戶(hù)對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS可由主板的電池供電，即使系統(tǒng)掉電，信息也不會(huì)丟失。CMOS RAM本身只是一塊存儲(chǔ)器，只有數(shù)據(jù)保存功能。而對(duì)BIOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。BIOS設(shè)置程序一般都被廠商整合在芯片中，在開(kāi)機(jī)時(shí)通過(guò)特定的按鍵就可進(jìn)入BIOS設(shè)置程序，方便地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)置。因此BIOS設(shè)置有時(shí)也被叫做CMOS設(shè)置。 CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件（常見(jiàn)的有TTL和CMOS），尤其是片幅規(guī)格較大的單反數(shù)碼相機(jī)。雖然在用途上與過(guò)去CMOS電路主要作為固件或計(jì)算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工藝，只是將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線后轉(zhuǎn)化為電能，再透過(guò)芯片上的模-數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）將獲得的影像訊號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)輸出。 CMOS與CCD的區(qū)別 CCD與CMOS傳感器是被普遍采用的兩種圖像傳感器，兩者都是利用感光二極管(photodiode)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，將圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，而其主要差異是數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。 CCD傳感器中每一行中每一個(gè)象素的電荷數(shù)據(jù)都會(huì)依次傳送到下一個(gè)象素中，由最底端部分輸出，再經(jīng)由傳感器邊緣的放大器進(jìn)行放大輸出；而在CMOS傳感器中，每個(gè)象素都會(huì)鄰接一個(gè)放大器及A/D轉(zhuǎn)換電路，用類(lèi)似內(nèi)存電路的方式將數(shù)據(jù)輸出。 造成這種差異的原因在于：CCD的特殊工藝可保證數(shù)據(jù)在傳送時(shí)不會(huì)失真，因此各個(gè)象素的數(shù)據(jù)可匯聚至邊緣再進(jìn)行放大處理；而CMOS工藝的數(shù)據(jù)在傳送距離較長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生噪聲，因此，必須先放大，再整合各個(gè)象素的數(shù)據(jù)。 由于數(shù)據(jù)傳送方式不同，因此CCD與CMOS傳感器在效能與應(yīng)用上也有諸多差異，這些差異包括： 1. 靈敏度差異： 由于CMOS傳感器的每個(gè)象素由四個(gè)晶體管與一個(gè)感光二極管構(gòu)成(含放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路)，使得每個(gè)象素的感光區(qū)域遠(yuǎn)小于象素本身的表面積，因此在象素尺寸相同的情況下，CMOS傳感器的靈敏度要低于CCD傳感器。2. 成本差異： 由于CMOS傳感器采用一般半導(dǎo)體電路最常用的CMOS工藝，可以輕易地將周邊電路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到傳感器芯片中，因此可以節(jié)省外圍芯片的成本；除此之外，由于CCD采用電荷傳遞的方式傳送數(shù)據(jù)，只要其中有一個(gè)象素不能運(yùn)行，就會(huì)導(dǎo)致一整排的數(shù)據(jù)不能傳送，因此控制CCD傳感器的成品率比CMOS傳感器困難許多，即使有經(jīng)驗(yàn)的廠商也很難在產(chǎn)品問(wèn)世的半年內(nèi)突破50%的水平，因此，CCD傳感器的成本會(huì)高于CMOS傳感器。3. 分辨率差異： CMOS傳感器的每個(gè)象素都比CCD傳感器復(fù)雜，其象素尺寸很難達(dá)到CCD傳感器的水平，因此，當(dāng)比較相同尺寸的CCD與CMOS傳感器時(shí)，CCD傳感器的分辨率通常會(huì)優(yōu)于CMOS傳感器的水平。例如，市面上CMOS傳感器最高可達(dá)到210萬(wàn)象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸為1/2英寸，象素尺寸為4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸與 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率卻能高達(dá)513萬(wàn)象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。4. 噪聲差異： 由于CMOS傳感器的每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個(gè)放大器所得到的結(jié)果保持一致，因此與只有一個(gè)放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪聲就會(huì)增加很多，影響圖像品質(zhì).5. 功耗差異： CMOS傳感器的圖像采集方式為主動(dòng)式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由晶體管放大輸出，但CCD傳感器為被動(dòng)式采集，需外加電壓讓每個(gè)象素中的電荷移動(dòng)，而此外加電壓通常需要達(dá)到12~18V；因此，CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計(jì)上的難度更高之外(需外加 power IC)，高驅(qū)動(dòng)電壓更使其功耗遠(yuǎn)高于CMOS傳感器的水平。舉例來(lái)說(shuō)，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下運(yùn)行，功耗僅為40mW；而致力于低功耗CCD傳感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等級(jí)的產(chǎn)品，其功耗卻仍保持在90mW 以上。因此CCD發(fā)熱量比CMOS大，不能長(zhǎng)時(shí)間在陽(yáng)光下工作。 綜上所述，CCD傳感器在靈敏度、分辨率、噪聲控制等方面都優(yōu)于CMOS傳感器，而CMOS傳感器則具有低成本、低功耗、以及高整合度的特點(diǎn)。不過(guò)，隨著CCD與CMOS傳感器技術(shù)的進(jìn)步，兩者的差異有逐漸縮小的態(tài)勢(shì)，例如，CCD傳感器一直在功耗上作改進(jìn)，以應(yīng)用于移動(dòng)通信市場(chǎng)(這方面的代表業(yè)者為Sanyo)；CMOS傳感器則在改善分辨率與靈敏度方面的不足，以應(yīng)用于更高端的圖像產(chǎn)品。 發(fā)展前景 專(zhuān)家們認(rèn)為，21世紀(jì)初全球CMOS圖像傳感器市場(chǎng)將在PC攝像機(jī)、移動(dòng)通信市場(chǎng)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)市場(chǎng)市場(chǎng)等領(lǐng)域獲得大幅度增長(zhǎng)，在未來(lái)的幾年時(shí)間內(nèi)，在130 萬(wàn)像素至200萬(wàn)像素之下的產(chǎn)品中，將開(kāi)始以CMOS傳感器為主流。以小型化和低功耗CMOS圖像傳感器為核心的攝像機(jī)正在成為消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的主流，上述領(lǐng)域?qū)閳D像傳感器市場(chǎng)帶來(lái)巨大發(fā)展。
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