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肖特基缺陷，的密度是359gcm其晶格參數(shù)是042nm計算單位晶胞的肖特基缺

來源：整理 時間：2025-02-01 19:06:06 編輯：智能門戶 手機版

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1，的密度是359gcm其晶格參數(shù)是042nm計算單位晶胞的肖特基缺

N=ρVNa/M=3.58*0.423*6.02*100/40.3=3.96,MyO為面心結(jié)構(gòu)，晶胞有4個分子，所以單位晶胞的肖特基數(shù)目為0.04

的密度是359gcm其晶格參數(shù)是042nm計算單位晶胞的肖特基缺

2，分析包含刃型錯位和螺旋錯位的混合錯位的滑移過程

點缺陷：肖特基缺陷弗蘭克爾缺陷及飽點缺陷；線缺陷：錯位包括刃型錯位螺旋錯位混合錯位；面缺陷：角晶界堆垛層錯晶界；其缺陷：輻射損傷零維與維納米缺陷周期調(diào)制結(jié)構(gòu)（非公度相）等等

分析包含刃型錯位和螺旋錯位的混合錯位的滑移過程

3，肖特基缺陷是否影響晶體密度

影響，降低晶體密度。該種缺陷是由于表面附近原子因熱運動跑到晶體表面，而在該位置產(chǎn)生空位，表面附近產(chǎn)生空位后，內(nèi)部的原子又可以填充這些空位，這樣晶體內(nèi)部總的來說就會形成一定濃度的空位。晶粒越小引起的密度降低越顯著。

肖特基缺陷是否影響晶體密度

4，實際金屬晶體中有哪些缺陷

點缺陷：肖特基缺陷，弗蘭克爾缺陷以及過飽和點缺陷； 線缺陷：錯位，包括刃型錯位，螺旋錯位和混合錯位； 面缺陷：小角晶界，堆垛層錯，晶界； 其他缺陷：輻射損傷，零維與一維納米缺陷，周期調(diào)制結(jié)構(gòu)（非公度相）等等。

5，1600度時在MgO晶體中肖特基缺陷的濃度為8109如果還有百萬分

條件缺失？弗蘭克爾缺陷濃度呢？如果僅僅這樣。。。直接比較8×19^-9和10^-6可知，雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢。
搜一下：1600度時在MgO晶體中肖特基缺陷的濃度為8×10-9，如果還有百萬分之一（mol）的雜質(zhì)的Al2O3，請問此時是肖

6，Schottky defect是什么意思

肖特基缺陷(Schottkydefect)是一種化合物半導體中的點缺陷。在化合物MX中，在T>0K時，由于晶格熱振動，能量大的原子離開原格點進入晶格間隙或進入表面，或蒸發(fā)到外界，而失去原子的晶格位置即出現(xiàn)空缺生成空位以符號VM(或VX)表示?？瘴皇腔衔锇雽w中常見的點缺陷之一。如果對一個按化學計量比組成的化合物MX晶體，在產(chǎn)生VM的同時，也產(chǎn)生數(shù)目相同的VX。此時產(chǎn)生的缺陷稱肖特基缺陷，記作(VM VX)。空位可以是中性，也可帶正電或負電。它對化合物半導體的導電性能有較大的影響。參考資料：搜狗百科
肖特基缺陷
肖特基缺陷(Schottkydefect)是一種化合物半導體中的點缺陷。
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