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1，什么是SDRAM內存
2，SDRAM是什么
3，SODIMM和 SDRAM分別是什么意思
4，SDRAM是什么
5，SDRAM就是DDR
6，SDRAM 是什么意思

1，什么是SDRAM內存

SD 就是Synchronous Dynamic 移動存儲有點像陣列磁盤的東東

什么是SDRAM內存

2，SDRAM是什么

SDRAM是ldquo;Synchronous Dynamic random access memoryrdquo;的縮寫，意思是ldquo;同步動態(tài)隨機存儲器rdquo;，就是我們平時所說的ldquo;同步內存rdquo;，這種內存采用168線結構。從理論上說，SDRAM與CPU頻率同步，共享一個時鐘周期。SDRAM內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲陣列訪問數(shù)據(jù)的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)，通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。目前，最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒。

SDRAM是什么

3，SODIMM和 SDRAM分別是什么意思

DIMM是內存模組的一種。so-dimm指的是內存條中的小板。比一般的短，針腳也更少。一般用于上網(wǎng)本SDRAM是內存的一種，就是我們一般所認為的內存條。注意前一個內存比后一個內存包含的范圍大SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態(tài)隨機存儲器

ddr是double data rate的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率），ddr sdram內存技術是從幾年前主流的pc66，pc100，pc133 sdram技術發(fā)展而來。它在工作的時候通過時鐘頻率的上行和下行都可以傳輸數(shù)據(jù)（sdram只能通過下行傳輸），因此在頻率相等的情況下?lián)碛须p倍于sdram的帶寬。另外ddr內存的dimm是184pins，而sdram則是168pins。因此，ddr內存不向后兼容sdram。

SODIMM和 SDRAM分別是什么意思

4，SDRAM是什么

是一種內存技術，先于DDR

SDRAM是內存技術的一種，也可以說是一種內存類型內存一般采用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。 S（synchronous）DRAM 同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內存提高50%。 DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

內存。指最早的內存。

說通俗點就是一些數(shù)碼相機用的SD儲存卡,用來儲存數(shù)據(jù)的

SDRAM簡寫SD 至于RAM,范圍很廣 SDRAM,DDR都屬于RAM

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。 SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

5，SDRAM就是DDR

不是DDR＝DDR SDRAM，是Double Data Rate SDRAM的縮寫例：DDR400 DDR333內存SDRAM＝“Synchronous Dynamic random access memory”的縮寫例：PC133 PC150內存 SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術，當數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRA的兩倍。從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。 DDR內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。http://publish.it168.com/cword/1135.shtml

6，SDRAM 是什么意思

Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM. 　　第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。　　SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。　　之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。　　DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。　　很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導。　　SDR不等于SDRAM。　　Pin:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。　　SIMM：Single In-line Memory Module,單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。　　DIMM：Double In-line Memory Module，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。　　RIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內存模塊，這種內存槽只能插DDR或Rambus內存。　　SO-DIMM:筆記本常用的內存模組。　　工作電壓：　　SDR：3.3V 　　DDR：2.5V 　　DDR2：1.8V 　　DDR3：1.5V 　　SDRAM內存條的金手指通常是168線，而DDR SDRAM內存條的金手指通常是184線的。　　幾代產(chǎn)品金手指的缺口數(shù)及缺口位置也不同有效防止反插與錯插，SDRAM有兩個缺口，DDR只有一個缺口。 SDRAM的結構、時序與性能的關系編輯本段　　一、影響性能的主要時序參數(shù) 　　所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因為要有命令、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。　　非數(shù)據(jù)傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數(shù)對內存的性能影響至關重要，它們是tRCD、CL和tRP。每條正規(guī)的內存模組都會在標識上注明這三個參數(shù)值，可見它們對性能的敏感性。　　以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD決定了行尋址（有效）至列尋址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列尋址到數(shù)據(jù)進行真正被讀取所花費的時間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉換的速度?，F(xiàn)在可以想象一下讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮CL即可）：　　1、要尋址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關閉的，此時可直接發(fā)送行有效命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時為tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中（PH，Page Hit）。　　2、要尋址的行正好是前一個操作的工作行，也就是說要尋址的行已經(jīng)處于選通有效狀態(tài)，此時可直接發(fā)送列尋址命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時僅為CL，這就是所謂的背靠背（Back to Back）尋址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。　　3、要尋址的行所在的L-Bank中已經(jīng)有一個行處于活動狀態(tài)（未關閉），這種現(xiàn)象就被稱作尋址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發(fā)送行有效命令。結果，總耗時就是tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失（PM，Page Miss）。　　顯然，PFH是最理想的尋址情況，PM則是最糟糕的尋址情況。上述三種情況發(fā)生的機率各自簡稱為PHR——PH Rate、PFDR——PFH Rate、PMR——PM Rate。因此，系統(tǒng)設計人員（包括內存與北橋芯片）都盡量想提高PHR與PFHR，同時減少PMR，以達到提高內存工作效率的目的。　　二、增加PHR的方法　　顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之后進行預充電，從而減少了日后對同一L-Bank不同行尋址時發(fā)生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成后馬上打開同一L-Bank的另一行工作時，仍然存在tRP的延遲。怎么辦？此時就需要L-Bank交錯預充電了。　　VIA的4路交錯式內存控制就是在一個L-Bank工作時，對下一個要工作的L-Bank進行預充電。這樣，預充電與數(shù)據(jù)的傳輸交錯執(zhí)行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態(tài)了。目前VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，并以LRU算法進行預充電管理。　　有關L-Bank交錯預充電（存?。┑木唧w執(zhí)行在本刊2001年第2期已有詳細介紹，這里就不再重復了。　　L-Bank交錯自動預充電/讀取時序圖（可點擊放大）：L-Bank 0與L-Bank 3實現(xiàn)了無間隔交錯讀取，避免了tRP對性能的影響三、增加PFHR的方法　　無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除tRCD所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收多個工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下CL所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。　　如何做到這一點呢？這就是北橋芯片的責任了。在上文的時序圖中有一個參數(shù)tRAS（Active to Precharge Command，行有效至預充電命令間隔周期）。它有一個范圍，對于PC133標準，一般是預充電命令至少要在行有效命令5個時鐘周期之后發(fā)出，最長間隔視芯片而異（基本在120000ns左右），否則工作行的數(shù)據(jù)將有丟失的危險。那么這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有120000ns的持續(xù)工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋芯片不發(fā)出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態(tài)就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有tRCD的延遲?？梢?，如果北橋芯片在能同時打開的行（頁）越多，那么PFHR也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時尋址（那是不可能的），而是指多行同時處于選通狀態(tài)。我們可以看到一些SDRAM芯片組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。　　Intel 845芯片組MCH的資料：其中表明它可以支持24個頁面同時處于打開狀態(tài) 　　但是，可同時打開的頁數(shù)也是有限制的。從SDRAM的尋址原理講，同一L-Bank中不可能有兩個打開的行（S-AMP只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數(shù)。以SDRAM有4個L-Bank，北橋最多支持8個P-Bank為例，理論上最多只能有32個頁面能同時處于打開的狀態(tài)。而如果只有一個P-Bank，那么就只剩下4個頁面，因為有幾個L-Bank才能有同時打開幾個行而互不干擾。Intel 845的MHC雖然可以支持24個打開的頁面，那也是指6個P-Bank的情況下（845MCH只支持6個P-Bank）?？梢?45已經(jīng)將同時打開頁數(shù)發(fā)揮到了極致。　　不過，同時打開頁數(shù)多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數(shù)據(jù)不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續(xù)讀/寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話，就需要一個替換策略，一般都是用LRU算法來進行，這與VIA的交錯控制大同小異。

內存以前老的條子 DDR前面一代

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