單晶硅生產(chǎn)工藝，跪求單晶硅生產(chǎn)工藝及簡介

來源：整理時間：2023-08-28 23:09:37 編輯：智能門戶手機版

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1，跪求單晶硅生產(chǎn)工藝及簡介
2，請問單晶硅的生產(chǎn)工藝
3，高純度的單晶硅生產(chǎn)方法是什么
4，有誰知道單晶硅生產(chǎn)流程的請詳細說下
5，單晶硅生產(chǎn)工藝指導
6，單晶硅生產(chǎn)工藝

1，跪求單晶硅生產(chǎn)工藝及簡介

主要工藝過程是將氟碳鈰精礦在550—750℃焙燒,然后在過量碳質(zhì)還原劑條件下造球;以稀土球團、硅石、木炭、焦碳按如下原則配制批料，其稀土金屬與硅的比率為０.３—０.６，碳質(zhì)還原劑的量為理論值的０.９—１.０倍，均勻入礦熱爐，開爐初期在入料的同時用硅石造假爐襯并在爐子極心圓功率密度１４００—２０００Ａ／Ｍ2、二次電流與二次電壓比應大于３００的供電條件下冶煉。其實現(xiàn)無渣、爐底無明顯上漲、合金質(zhì)好、品優(yōu)降低成本之效果，適于礦熱爐生產(chǎn)稀土硅鐵合金。

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2，請問單晶硅的生產(chǎn)工藝

只找到了在哪能買到相關資料單晶硅的制造方法和設備 1、一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結構 2、單晶硅生產(chǎn)裝置 3、制造單晶硅的設備 4、單晶硅直徑測定法及其設備 5、單晶硅直徑控制法及其設備

硅，si,地球上含硅的東西多的很好像90%以上都是今硅的，你說的單晶硅，我想是用來做太陽能電池片的吧，太陽能級別的硅純度6n以上就可以了，99.9999%.我從開頭說起吧，開始是石頭，（石頭都含硅），把石頭加熱，變成液態(tài)，在加熱變成氣態(tài)，把氣體通過一個密封的大箱子，箱子里有n多的子晶加熱，兩頭用石墨夾住的，氣體通過這個箱子，子晶會把氣體中的一種吸符到子晶上，子晶慢慢就變粗了，因為是氣體變固體，所以很慢，一個月左右，箱子里有就很多長長的原生多晶硅，當然，還有很多的廢氣啊什么的，（四氯化硅）就是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的吧，好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西，廢話不多說，原生多晶有了，就開始酸洗，氫氟酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了，就過烘房烘干，無塵檢查打包，送到拉晶，拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放進石英鍋里，（廠里為了減少成本，也會用一些洗好的電池片，碎硅片一起融）關上爐子加熱，石英鍋的融點是1700度，硅的融點才1410度左右，融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來，子晶從上面下降，點到鍋的中心液面點，也慢慢反方向轉(zhuǎn)，鍋下面同時在電加熱，液面上加冷，子晶點到液面上就會出現(xiàn)一個光點，慢慢旋轉(zhuǎn)，向上拉引，放肩，轉(zhuǎn)肩，正常拉棒，收尾，一天半左右，一個單晶棒就出來了，當然還有很多是經(jīng)驗，我文筆不太好，說不清楚，比如放母合金，控制溫度什么的，單晶棒有了就切方，單晶棒一般是做6英寸的，p型，電阻率0。5-6歐姆（一英寸等于2。4厘米左右）切掉棒子四邊，做成有倒角的正方形，在切片，0。22毫米一片吧。好像就這么多了~~~~~~

請問單晶硅的生產(chǎn)工藝

3，高純度的單晶硅生產(chǎn)方法是什么

名稱：單晶硅英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導體元件。用途：是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅建設項目具有巨大的市場和廣闊的發(fā)展空間。在地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。近年來，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關高技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當代信息技術產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟發(fā)展中增長最快的先導產(chǎn)業(yè)。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開發(fā)利用的高科技資源，正引起越來越多的關注和重視。

就是硅哪！硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。單晶硅主要用于制作半導體元件。用途是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。是不是很難懂啊...

高純度的單晶硅生產(chǎn)方法是什么

4，有誰知道單晶硅生產(chǎn)流程的請詳細說下

生產(chǎn)工藝流程具體介紹如下：切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除硅片表面的有機雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機廢氣和廢有機溶劑。 RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。 DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。 APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產(chǎn)生氯化氫和廢鹽酸。 DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜。磨片檢測：檢測經(jīng)過研磨、RCA清洗后的硅片的質(zhì)量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。腐蝕A/B：經(jīng)切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產(chǎn)生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產(chǎn)生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產(chǎn)生粗拋廢液。精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度硅片。產(chǎn)生精拋廢液。檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。

5，單晶硅生產(chǎn)工藝指導

硅，Si,地球上含硅的東西多的很好像90%以上都是今硅的，你說的單晶硅，我想是用來做太陽能電池片的吧，太陽能級別的硅純度6N以上就可以了，99.9999%.我從開頭說起吧，開始是石頭，（石頭都含硅），把石頭加熱，變成液態(tài)，在加熱變成氣態(tài)，把氣體通過一個密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加熱，兩頭用石墨夾住的，氣體通過這個箱子，子晶會把氣體中的一種吸符到子晶上，子晶慢慢就變粗了，因為是氣體變固體，所以很慢，一個月左右，箱子里有就很多長長的原生多晶硅，當然，還有很多的廢氣啊什么的，（四氯化硅）就是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的吧，好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西，廢話不多說，原生多晶有了，就開始酸洗，氫氟酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了，就過烘房烘干，無塵檢查打包，送到拉晶，拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放進石英鍋里，（廠里為了減少成本，也會用一些洗好的電池片，碎硅片一起融）關上爐子加熱，石英鍋的融點是1700度，硅的融點才1410度左右，融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來，子晶從上面下降，點到鍋的中心液面點，也慢慢反方向轉(zhuǎn)，鍋下面同時在電加熱，液面上加冷，子晶點到液面上就會出現(xiàn)一個光點，慢慢旋轉(zhuǎn)，向上拉引，放肩，轉(zhuǎn)肩，正常拉棒，收尾，一天半左右，一個單晶棒就出來了，當然還有很多是經(jīng)驗，我文筆不太好，說不清楚，比如放母合金，控制溫度什么的，單晶棒有了就切方，單晶棒一般是做6英寸的，P型，電阻率0。5-6歐姆（一英寸等于2。4厘米左右）切掉棒子四邊，做成有倒角的正方形，在切片，0。22毫米一片吧。好像就這么多了~~~~~~

［生產(chǎn)工藝］加料熔化—?縮頸生長—?放肩生長—?等徑生長—?尾部生長（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的n或p型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。（3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮頸生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?－6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。（4）放肩生長：長完細頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。（5）等徑生長：長完細頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么熱應力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。

6，單晶硅生產(chǎn)工藝

原發(fā)布者:光伏英才網(wǎng)86單晶硅生產(chǎn)工藝流程單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅生產(chǎn)工藝流程：　　1、石頭加工　　開始是石頭，(石頭都含硅)，把石頭加熱，變成液態(tài)，在加熱變成氣態(tài)，把氣體通過一個密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加熱，兩頭用石墨夾住的，氣體通過這個箱子，子晶會把氣體中的一種吸符到子晶上，子晶慢慢就變粗了，因為是氣體變固體，所以很慢，一個月左右，箱子里有就很多長長的原生多晶硅?！　?、酸洗　　當然，還有很多的廢氣啊什么的，(四氯化硅)就是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的吧，好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西，廢話不多說，原生多晶有了，就開始酸洗，氫氟酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了，就過烘房烘干，無塵檢查打包。　　3、拉晶　　送到拉晶，拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放進石英鍋里，(廠里為了減少成本，也會用一些洗好的電池片，碎硅片一起融)關上爐子加熱，石英鍋的融點是1700度，硅的融點才1410度左右，融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來，子晶從上面下降，點到鍋的中心液面點，也慢慢反方向轉(zhuǎn)，鍋下面同時在電加熱，液面上加冷

開爐取棒清掃熱場裝料抽空檢漏（好的單晶爐還會有壓力化這個步驟，為的是讓爐體壓力達到拉晶的壓力條件下）化料穩(wěn)溫引晶放肩轉(zhuǎn)肩等徑收尾停爐，w完整的流程還包括神馬單晶送檢之類的流程。

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