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PMOS管，電路中的pmosnmos管是什么有什么作用

來源：整理 時(shí)間：2023-08-22 03:07:26 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，電路中的pmosnmos管是什么有什么作用

最基本的功能是做開關(guān)，控制電路的通斷

電路中的pmosnmos管是什么有什么作用

2，pmos管是高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通啊

低電平導(dǎo)通
當(dāng)然是下面的nmos導(dǎo)通。

pmos管是高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通啊

3，什么是MOSNMOSPMOSCOMS

MOS器件分為NMOS和PMOS,而CMOS是指互補(bǔ)的MOS管組成的電路，也就是PMOS,NMOS組成,NMOS是指溝道在柵電壓控制下p型襯底反型變成n溝道，靠電子的流動(dòng)PMOS是指 n型 p溝道，靠空穴的流動(dòng)CMOS相比Bipolar，優(yōu)點(diǎn)就是其功耗低，集成度高等等。當(dāng)然Bipolar的驅(qū)動(dòng)能力比CMOS強(qiáng)目前BiCMOS工藝就是結(jié)合了CMOS和Bipolar的優(yōu)點(diǎn)
nmos意思為n型金屬一氧化物半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為nmos晶體管; pmos是指n型襯底，p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的mos管；由mos管構(gòu)成的集成電路稱為mos集成電路，由nmos和pmos兩種管子組成的互補(bǔ)mos電路即cmos電路。

什么是MOSNMOSPMOSCOMS

4，cmos管的做用是什么

CMOS是佳能自主開發(fā)生產(chǎn)的“圖像感應(yīng)器（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）”的英文縮寫。 佳能全系列數(shù)碼單反相機(jī)都采用CMOS，這是數(shù)碼相機(jī)成像的關(guān)鍵核心元件。在技術(shù)上，佳能通過采用片上降噪技術(shù)等先進(jìn)技術(shù)，大大減少了CMOS存在的像素變化和噪聲，提高了整體信噪比并實(shí)現(xiàn)了高速信號(hào)讀取。佳采用的是大型的CMOS圖像感應(yīng)器，主要有三種規(guī)格：全畫幅、APS-H尺寸、APS-C尺寸，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于不可更換鏡頭的消費(fèi)類數(shù)碼相機(jī)所采用的CCD尺寸。更大的圖像感應(yīng)器，帶來更出色的影像素質(zhì)。感應(yīng)器越大，接收捕捉到的光信號(hào)就越多，圖像的色彩和層次就會(huì)更豐富；大尺寸感應(yīng)器帶來更寬的動(dòng)態(tài)范圍，亮部和暗部都會(huì)保留更多的細(xì)節(jié)，同時(shí)帶來更高的信噪比，噪音信號(hào)極少。
CMOS是“圖像感應(yīng)器”.相當(dāng)于你的視網(wǎng)神經(jīng)吧！
大部分?jǐn)?shù)碼單反相機(jī)都采用CMOS，CMOS是“圖像感應(yīng)器”。主要有三種規(guī)格：全畫幅、APS-H尺寸、APS-C尺寸，現(xiàn)在的CMOS技術(shù)已非常成熟。
說的通俗一點(diǎn) ，就是有一端是個(gè)控制端，可以根據(jù)控制端電壓的大小來控制另外的兩個(gè)端通道的大小，就像水龍頭一樣，控制端就像閥門，可以控制水流的大小。

5，CMOS和NMOS器件到底有什么區(qū)別雙級(jí)型器件和MOS 數(shù)碼相機(jī)

貌似不是數(shù)碼相機(jī)的問題 應(yīng)該是電子元?dú)饧?/section>
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用于數(shù)碼相機(jī)傳感器的是CCD和CMOS。 CCD（Charge Coupled Device 光電荷耦合器件）是一種半導(dǎo)體裝置，能夠把光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)。 CCD上植入的微小光敏物質(zhì)稱作像素（Pixel）。一塊CCD上包含的像素?cái)?shù)越多，其提供的畫面分辨率也就越高。CCD的作用就像膠片一樣，但它是把圖像像素轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。CCD在攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和掃描儀中應(yīng)用廣泛。 CMOS即互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體，其在微處理器、閃存和ASIC（特定用途集成電路）的半導(dǎo)體技術(shù)上占有絕對(duì)重要的地位。CMOS和CCD一樣都可用來感受光線變化的半導(dǎo)體。CMOS主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，通過CMOS上帶負(fù)電和帶正電的晶體管來實(shí)現(xiàn)基本的功能的。這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀(jì)錄和解讀成影像。 CMOS針對(duì)CCD最主要的優(yōu)勢就是非常省電。不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機(jī)是"電老虎"的不良印象。CMOS主要問題是在處理快速變化的影像時(shí)，由于電流變化過于頻繁而過熱。暗電流抑制得好就問題不大，如果抑制得不好就十分容易出現(xiàn)雜點(diǎn)。 此外，在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機(jī)主板上的一塊可讀寫的RAM芯片，用來保存當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配置和用戶對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS可由主板的電池供電，即使系統(tǒng)掉電，信息也不會(huì)丟失。CMOS RAM本身只是一塊存儲(chǔ)器，只有數(shù)據(jù)保存功能，而對(duì)CMOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過專門的程序。CMOS由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門電路在瞬間要么PMOS導(dǎo)通、要么NMOS導(dǎo)通、要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低
MOS器件分為NMOS和PMOS,而CMOS是指互補(bǔ)的MOS管組成的電路，也就是PMOS,NMOS組成,NMOS是指溝道在柵電壓控制下p型襯底反型變成n溝道，靠電子的流動(dòng) PMOS是指 n型 p溝道，靠空穴的流動(dòng) CMOS相比Bipolar，優(yōu)點(diǎn)就是其功耗低，集成度高等等。當(dāng)然Bipolar的驅(qū)動(dòng)能力比CMOS強(qiáng) 目前BiCMOS工藝就是結(jié)合了CMOS和Bipolar的優(yōu)點(diǎn)

6，線路板上的mos管是什么

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體?！　?雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。　　場效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管?！　∈紫瓤疾煲粋€(gè)更簡單的器件－MOS電容－能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場。在器件中，這個(gè)電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小?！　‘?dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了?！　OS電容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG＝3V），（C）積累（VBG＝-3V）。　　中是當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于backgate是負(fù)電壓時(shí)的情況。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個(gè)器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了?！　OS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流?！　OS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。在對(duì)稱的MOS管中，對(duì)soure和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色。這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source?！　ource和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管。制造非對(duì)稱晶體管有很多理由，但所有的最終結(jié)果都是一樣的。一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain，另一個(gè)被優(yōu)化作為source。如果drain和source對(duì)調(diào)，這個(gè)器件就不能正常工作了。　　晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)。一個(gè)工程師可能說，“PMOS Vt從0.6V上升到0.7V”， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的?！　‰p極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓Mos管。
防熱作用，避免點(diǎn)和點(diǎn)之間的熱，會(huì)引起燃燒
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