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基體效應(yīng)，為什么化合物分子量過小需要衍生化才可以被液質(zhì)檢測(cè)到

來源：整理時(shí)間：2023-08-22 10:01:11 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，為什么化合物分子量過小需要衍生化才可以被液質(zhì)檢測(cè)到
2，熒光壓片法為什么會(huì)出現(xiàn)顆粒效應(yīng)和基體效應(yīng)
3，什么是基體效應(yīng)
4，什么是基體效應(yīng)原子吸收光譜法測(cè)定鈣鎂主要有哪些物質(zhì)產(chǎn)生基體效
5，基體效應(yīng)的簡(jiǎn)單介紹
6，什么是標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)工業(yè)分析中常用的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)指哪些當(dāng)基體效應(yīng)顯

1，為什么化合物分子量過小需要衍生化才可以被液質(zhì)檢測(cè)到

何液質(zhì)聯(lián)用提高化合物響應(yīng)值1基體效應(yīng)源LC-MS基質(zhì)效應(yīng)現(xiàn)象初1993發(fā)現(xiàn)改變品基質(zhì)種類濃度待測(cè)物電噴霧化質(zhì)譜響應(yīng)值降低

任務(wù)占坑

為什么化合物分子量過小需要衍生化才可以被液質(zhì)檢測(cè)到

2，熒光壓片法為什么會(huì)出現(xiàn)顆粒效應(yīng)和基體效應(yīng)

可以消除基體干擾,但是光譜干擾和背景干擾不能消除,所以這種方法并不很好,尤其是干擾很大時(shí)

加少量氫化鈣并攪拌半小時(shí)除水。再加分餾柱常壓分餾（不要減壓分餾?。?，收集189℃穩(wěn)定沸點(diǎn)的餾分。大約收集約70%的餾分就可以了（不希望不純吧？那就別多收）。注意前面去掉約15%的餾分不要，后面留15%的底子不要蒸出來。試試，應(yīng)該可以的。

熒光壓片法為什么會(huì)出現(xiàn)顆粒效應(yīng)和基體效應(yīng)

3，什么是基體效應(yīng)

在進(jìn)行x射線熒光法測(cè)量時(shí)，若被測(cè)對(duì)象是非單一成分時(shí)，例如有A、B兩種成分，當(dāng)A元素的特征x射線能量高于B元素的吸收限(或相反)時(shí)，則A元素的特征X射線也可以激發(fā)B元素，于是產(chǎn)生兩種影響：①使B元素的x射線照射量率比實(shí)際的增多——增強(qiáng)效應(yīng)；②A元素的特征x熒光照射量率削弱——吸收效應(yīng)。這兩組效應(yīng)是由物質(zhì)組分決定的，因此叫做基體效應(yīng)。由于基體效應(yīng)的影響，破壞了x射線熒光照射量率與含量問的線性關(guān)系，為此對(duì)非單一組分的測(cè)量對(duì)象必須考慮基體效應(yīng)問題。質(zhì)譜學(xué)上的基體效應(yīng)即非質(zhì)譜干擾，一般分為兩類：①高鹽溶液引起的物理效應(yīng)；②基體對(duì)分析物的抑制或增強(qiáng)效應(yīng)。ICP-MS分析時(shí)，一定要考慮基體效應(yīng)及其校正。

中文名稱：基體效應(yīng) 英文名稱：matrix effect 定義：二次離子質(zhì)譜法中，待分析離子信號(hào)受基體成分的影響。應(yīng)用學(xué)科：機(jī)械工程（一級(jí)學(xué)科）；分析儀器（二級(jí)學(xué)科）；質(zhì)譜儀器-質(zhì)譜儀器一般名詞（三級(jí)學(xué)科） http://baike.baidu.com/view/2721532.html?wtp=tt

什么是基體效應(yīng)

4，什么是基體效應(yīng)原子吸收光譜法測(cè)定鈣鎂主要有哪些物質(zhì)產(chǎn)生基體效

飛秒檢測(cè)發(fā)現(xiàn)基體效應(yīng)是指實(shí)際工作中被測(cè)量的樣品，往往其成份是由多種元素組成，除待測(cè)元素以外的元素統(tǒng)稱為基體。由于被測(cè)量的樣品中，其基體成份是變化的（這個(gè)變化一是指元素的變化，二是指含量的變化），它直接影響待測(cè)元素的測(cè)定?；w效應(yīng)是個(gè)無法避免的客觀事實(shí)。鈣鎂常常受到其它堿金屬的電離干擾。待測(cè)元素與其它組分之間的化學(xué)作用引起的干擾效應(yīng)即為化學(xué)干擾。例如，待測(cè)元素與一些物質(zhì)形成高熔點(diǎn)、難揮發(fā)、難離解的化合物，導(dǎo)致吸光度下降，甚至使測(cè)定不能進(jìn)行。化學(xué)干擾主要來自陽離子和陰離子干擾。陽離子往往在一定溫度下，生成難熔混晶體或形成難原子化的化合物（或氧化物）。如：Ti、Al、Si與Ca可能生成CaSiO3、CaTiO3、CaAlO3 等難熔融混晶體。B、Be、Cr、Fe、Mo、V、W和部分分稀土元素易與待測(cè)元素形成不易揮發(fā)的混合氧化物，使吸收值降低，產(chǎn)生負(fù)干擾。有些元素會(huì)產(chǎn)生增感效應(yīng)現(xiàn)象，例如Mn、Fe、Co、 Ni對(duì)Al、Cr有正干擾。陰離子的干擾比陽離子復(fù)雜得多，往往與待測(cè)元素生成難離解高熔點(diǎn)化合物，例如：磷酸根PO43—，SO42—與Ba生成Ba3(PO4)2, BaSO4。對(duì)被測(cè)元素干擾順序如下：P〇43—>scv- >cr >no3 - >cio3 - o陰陽離子的干擾，很大程度上與火焰的性質(zhì)和溫度有關(guān)，干擾的消除可利用溫度效應(yīng)。

額

5，基體效應(yīng)的簡(jiǎn)單介紹

為了敘述方便，假設(shè)樣品中存在待測(cè)元素A，相鄰元素B、C和輕元素。B元素的原子序數(shù)比A元素的原子序數(shù)大一些，B元素能被放射源放出的射線所激發(fā)產(chǎn)生B元素的特征X射線BK,BKX射線又能激發(fā)A元素；C元素的原子序數(shù)小于待測(cè)元素A的原子序數(shù)，且能被A元素特征X射線所激發(fā)產(chǎn)生C元素特征X射線；輕元素的原子序數(shù)測(cè)距A、B、C元素的原子序數(shù)較遠(yuǎn)，被激發(fā)的幾率很小，可以忽略不計(jì)，那么對(duì)待測(cè)元素A特征X射線強(qiáng)度的影響有以下幾個(gè)方面：1) 放射源放出的射線激發(fā)待測(cè)元素A，產(chǎn)生特征X射線AK線稱為光電效應(yīng)。2) AKX線在出射樣品時(shí)遇到C元素激發(fā)了C元素特征X射線CK而A元素特征X射線強(qiáng)度減小了，稱為吸收效應(yīng)。3) 放射源激發(fā)了B元素，BKX線又激發(fā)了A元素，使A元素特征X射線計(jì)數(shù)增加，稱為增強(qiáng)效應(yīng)，又稱為二次熒光。4) 放射源激發(fā)了元素C和元素B，使得激發(fā)元素A幾率減小。5) 放射源放出的射線與輕元素相互作用發(fā)生康普頓效應(yīng)，可能發(fā)生一次康普頓效應(yīng)也可能發(fā)生多次康普頓效應(yīng)，發(fā)生康普頓效率之后射線能量損失一部分在出射樣品路程中可能會(huì)激發(fā)元素A、B、C，也可能不發(fā)生作用，稱為康普頓效應(yīng)。以上只是描繪了一個(gè)簡(jiǎn)單的圖象，實(shí)際上X射線的吸收、增強(qiáng)、散射過程要復(fù)雜得多。若待測(cè)元素與標(biāo)準(zhǔn)的基體成份不一致，必然會(huì)使分析結(jié)果出現(xiàn)較大誤差。這就是吸收效應(yīng)、增強(qiáng)效應(yīng)、散射效應(yīng)影響，統(tǒng)稱為基體效應(yīng)。質(zhì)譜學(xué)上的基體效應(yīng)即非質(zhì)譜干擾，一般分為兩類：①高鹽溶液引起的物理效應(yīng)；②基體對(duì)分析物的抑制或增強(qiáng)效應(yīng)。ICP-MS分析時(shí)，一定要考慮基體效應(yīng)及其校正。

6，什么是標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)工業(yè)分析中常用的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)指哪些當(dāng)基體效應(yīng)顯

標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是指在組成和性質(zhì)上與待測(cè)樣品相似，含量已知，并且均勻穩(wěn)定的物質(zhì)。當(dāng)基體效應(yīng)顯著時(shí)，必須設(shè)法避免，解決基體效應(yīng)的最好辦法是采用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)作分析測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)。

飛秒檢測(cè)發(fā)現(xiàn)基體效應(yīng)是指實(shí)際工作中被測(cè)量的樣品，往往其成份是由多種元素組成，除待測(cè)元素以外的元素統(tǒng)稱為基體。由于被測(cè)量的樣品中，其基體成份是變化的（這個(gè)變化一是指元素的變化，二是指含量的變化），它直接影響待測(cè)元素的測(cè)定?；w效應(yīng)是個(gè)無法避免的客觀事實(shí)。鈣鎂常常受到其它堿金屬的電離干擾。待測(cè)元素與其它組分之間的化學(xué)作用引起的干擾效應(yīng)即為化學(xué)干擾。例如，待測(cè)元素與一些物質(zhì)形成高熔點(diǎn)、難揮發(fā)、難離解的化合物，導(dǎo)致吸光度下降，甚至使測(cè)定不能進(jìn)行。化學(xué)干擾主要來自陽離子和陰離子干擾。陽離子往往在一定溫度下，生成難熔混晶體或形成難原子化的化合物（或氧化物）。如：ti、al、si與ca可能生成casio3、catio3、caalo3 等難熔融混晶體。b、be、cr、fe、mo、v、w和部分分稀土元素易與待測(cè)元素形成不易揮發(fā)的混合氧化物，使吸收值降低，產(chǎn)生負(fù)干擾。有些元素會(huì)產(chǎn)生增感效應(yīng)現(xiàn)象，例如mn、fe、co、 ni對(duì)al、cr有正干擾。陰離子的干擾比陽離子復(fù)雜得多，往往與待測(cè)元素生成難離解高熔點(diǎn)化合物，例如：磷酸根po43—，so42—與ba生成ba3(po4)2, baso4。對(duì)被測(cè)元素干擾順序如下：p〇43—>scv- >cr >no3 - >cio3 - o陰陽離子的干擾，很大程度上與火焰的性質(zhì)和溫度有關(guān)，干擾的消除可利用溫度效應(yīng)。