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cmos反相器，什么叫CMOS電流源漏反相器它有什么優(yōu)點(diǎn)

來源：整理時(shí)間：2023-08-24 05:05:12 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，什么叫CMOS電流源漏反相器它有什么優(yōu)點(diǎn)
2，數(shù)字電路中的CMOS反相器
3，CMOS反相器
4，cmos反相器原理及應(yīng)用
5，cmos就是反相器么
6，CMOS反向器的輸出端可以連在一起嗎

1，什么叫CMOS電流源漏反相器它有什么優(yōu)點(diǎn)

互補(bǔ)的MOS反相器，一是本身采用MOS,速度快，功耗?。欢禽敵龆私惶鎸?dǎo)通，兩個(gè)互補(bǔ)的MOS管不同時(shí)導(dǎo)通，使得效率提高

什么叫CMOS電流源漏反相器它有什么優(yōu)點(diǎn)

2，數(shù)字電路中的CMOS反相器

因它在這截止時(shí)只有很微的漏電流流過。和一般簡單的電路中串有的一個(gè)大電阻相似。

反相器就是把高電平變成低電平，或者把低電平變成高電平的門電路。反相器只有1個(gè)輸入，1個(gè)輸出。根據(jù)芯片的結(jié)構(gòu)不同，反相器分為ttl反相器，cmos反相器...

數(shù)字電路中的CMOS反相器

3，CMOS反相器

不知你問的電流是那個(gè)電流。。T1導(dǎo)通，壓降很小，所以T2的漏極電壓近似為VDD。若接上負(fù)載則有電流。。其實(shí)T2并非一點(diǎn)電流沒有，它在截止時(shí)存在一個(gè)亞閾漏流，可近似為電流為0，這是二級效應(yīng)，你有興趣可以查一下。不知對你有沒有幫助，你要是要想了解的更多些，可以去看一本書，介紹的比較全《CMOS超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)》或英文名《cmos VLSI design》

CMOS反相器

4，cmos反相器原理及應(yīng)用

不知道，你是否學(xué)過數(shù)字電路？可以參看電子線路基礎(chǔ) 數(shù)字部分，康華光版的。上面就有電路，這里用電腦不好畫。原理，其實(shí)很簡單，由PMOS和NMOS組成一個(gè)上下管的連接結(jié)構(gòu)。當(dāng)柵極有高于閥值的電壓接入時(shí)候，上面的管子截至下的管子導(dǎo)通，輸出的腳電平被拉低到0V輸出為0；當(dāng)柵極的電壓低于閥值的時(shí)候，下面的管子截至，上面的管子導(dǎo)通，輸出的電平，被拉升到了接近電源的電壓值，邏輯判斷為 1。

5，cmos就是反相器么

CMOS集成電路是互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路的英文縮寫，屬于數(shù)字和邏輯功能系列的集成電路。反相器只是該系列集成電路其中的一個(gè)集成元件。

不知你問的電流是那個(gè)電流。。t1導(dǎo)通，壓降很小，所以t2的漏極電壓近似為vdd。若接上負(fù)載則有電流。。其實(shí)t2并非一點(diǎn)電流沒有，它在截止時(shí)存在一個(gè)亞閾漏流，可近似為電流為0，這是二級效應(yīng)，你有興趣可以查一下。不知對你有沒有幫助，你要是要想了解的更多些，可以去看一本書，介紹的比較全《cmos超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)》或英文名《cmos vlsi design》

6，CMOS反向器的輸出端可以連在一起嗎

幾個(gè)反向器的輸出端不能連在一起，因?yàn)檫壿嫴煌?，?huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的邏輯

短路在一起bios就清零回復(fù)出廠設(shè)置了

反相器也叫做非門。反相器是可以將輸入信號的相位反轉(zhuǎn)180度，這種電路應(yīng)用在模擬電路，比如說音頻放大，時(shí)鐘振蕩器等。在電子線路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要用到反相器。CMOS反相器電路由兩個(gè)增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管組成。典型TTL與非門電路電路由輸入級、中間級、輸出級組成。反相器是可以將輸入信號的相位反轉(zhuǎn)180度，這種電路應(yīng)用在模擬電路，比如說音頻放大，時(shí)鐘振蕩器等。在電子線路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要用到反相器。隨著微電子技術(shù)與工藝的不斷發(fā)展和創(chuàng)新，以計(jì)算機(jī)為代表的各類數(shù)字電子產(chǎn)品應(yīng)用越來越廣泛，與此同時(shí)也面臨著更加復(fù)雜的電磁環(huán)境。CMOS 反相器是幾乎所有數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的核心，它具有較大的噪聲容限、極高的輸入電阻、極低的靜態(tài)功耗以及對噪聲和干擾不敏感等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于數(shù)字集成電路中。HPM可以通過縫隙、孔洞以及外露連接線纜等“后門”途徑，耦合進(jìn)入電子系統(tǒng)內(nèi)部，影響系統(tǒng)內(nèi)器件的正常工作，CMOS 反相器作為構(gòu)成數(shù)字集成電路最基礎(chǔ)的功能單元和數(shù)字電子系統(tǒng)中最為典型的器件，極易受 HPM“后門”耦合作用的影響，進(jìn)而產(chǎn)生干擾、擾亂或直接損傷效應(yīng)。另外，CMOS 反相器有明確的邏輯功能，HPM 或者其它類型的強(qiáng)電磁脈沖對其產(chǎn)生的擾亂效應(yīng)相比于對其它器件來講更加明顯。因此，研究數(shù)字集成電路或者數(shù)字電子系統(tǒng)的 HPM 效應(yīng)，可以從 CMOS 反相器的HPM 效應(yīng)研究入手。已有研究指出 HPM 可以引起 CMOS 反相器的閂鎖(latch-up)效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致擾亂效應(yīng)，Kim等人對CMOS反相器的HPM效應(yīng)進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn)研究，得到了一些重要結(jié)論，比如，當(dāng)HPM頻率較高時(shí)其引發(fā)的CMOS反相器擾亂效應(yīng)將會(huì)被抑制等， CMOS 反相器在 HPM 作用下會(huì)發(fā)生閂鎖效應(yīng)并導(dǎo)致功能擾亂，但是一段時(shí)間后其功能可能會(huì)恢復(fù)正常，HPM 引起 CMOS 反相器閂鎖效應(yīng)的能量閾值特性。這些報(bào)道多數(shù)都是 HPM 效應(yīng)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果描述和規(guī)律統(tǒng)計(jì)，而針對具體效應(yīng)與規(guī)律進(jìn)行機(jī)理分析和微觀解釋的研究則相對較少。CMOS反相器電路由兩個(gè)增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管組成，其中V1為NMOS管，稱驅(qū)動(dòng)管，V2為PMOS管，稱負(fù)載管。 NMOS管的柵源開啟電壓UTN為正值，PMOS管的柵源開啟電壓是負(fù)值，其數(shù)值范圍在2~5V之間。為了使電路能正常工作，要求電源電壓UDD>(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之間工作，其適用范圍較寬。工作原理：當(dāng)UI=UIL=0V時(shí)，UGS1=0，因此V1管截止，而此時(shí)|UGS2|>|UTP|，所以V2導(dǎo)通，且導(dǎo)通內(nèi)阻很低，所以UO=UOH≈UDD，即輸出為高電平。當(dāng)UI=UIH=UDD時(shí)，UGS1=UDD>UTN，V1導(dǎo)通，而UGS2=0<|UTP|，因此V2截止。此時(shí)UO=UOL≈0，即輸出為低電平。可見，CMOS反相器實(shí)現(xiàn)了邏輯非的功能。CMOS反相器的主要特性：在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流過V1和V2的漏電流幾乎為0。在CD段V2截止，阻抗很高，所以流過V1和V2的漏電流也幾乎為0。只有在BC段，V1和V2均導(dǎo)通時(shí)才有電流iD流過V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。希望我能幫助你解疑釋惑。

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