本征半導(dǎo)體，什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體

來源：整理時間：2023-08-29 14:31:00 編輯：智能門戶手機版

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1，什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體
2，本征半導(dǎo)體到底能不能導(dǎo)電
3，什么是本征半導(dǎo)體什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體N型P型
4，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電與P型半導(dǎo)體導(dǎo)電有何不同若都是電子連續(xù)不斷填
5，什么叫做本征半導(dǎo)體
6，什么是本征半導(dǎo)體

1，什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體

純凈的半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體，在元素周期表中它們一般都是中價元素。在本征半導(dǎo)體中按極小的比例摻入高一價或低一價的雜質(zhì)元素之后便獲得雜質(zhì)半導(dǎo)體。

什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體

2，本征半導(dǎo)體到底能不能導(dǎo)電

本征半導(dǎo)體，就是半導(dǎo)體，也就是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。那么電壓不是很大的時候不導(dǎo)電。本征半導(dǎo)體對應(yīng)摻雜半導(dǎo)體（n型p型），摻雜了就導(dǎo)電，跟導(dǎo)體能力差不多。

本征半導(dǎo)體到底能不能導(dǎo)電

3，什么是本征半導(dǎo)體什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體N型P型

本征半導(dǎo)體是非常純凈不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶體，而在單晶半導(dǎo)體內(nèi)，原子按晶體結(jié)構(gòu)排列得非常整齊。雜質(zhì)半導(dǎo)體就是摻入微量元素的本征半導(dǎo)體，例：N型摻入五價元素磷，P型摻入三價元素硼。

什么是本征半導(dǎo)體什么是雜質(zhì)半導(dǎo)體N型P型

4，本征半導(dǎo)體導(dǎo)電與P型半導(dǎo)體導(dǎo)電有何不同若都是電子連續(xù)不斷填

本征半導(dǎo)體幾乎是不導(dǎo)電的，而參雜后的P型半導(dǎo)體是導(dǎo)電的。因此，從導(dǎo)電性的角度看，他們有著本質(zhì)的不同。本征半導(dǎo)體因為原子核對周邊電子有很強的引力，并且院子間相互共價的引力也很大，因此幾乎不導(dǎo)電。而摻雜后的P型半導(dǎo)體，會因為空穴增多，使得其導(dǎo)電能力大大增加。且空穴擴散流動和漂移電子復(fù)合同時進行，所以，其間差別很大。

P型半導(dǎo)體，是空穴導(dǎo)電本征半導(dǎo)體，是電子和空穴導(dǎo)電再看看別人怎么說的。

5，什么叫做本征半導(dǎo)體

顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）．物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院唵蔚陌呀橛趯?dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認可。半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，最近雖然不常用，單還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。 [編輯本段]半導(dǎo)體定義電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成...

本征半導(dǎo)體[1]（intrinsic semiconductor)）完全不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。實際半導(dǎo)體不能絕對地純凈，本征半導(dǎo)體一般是指導(dǎo)電主要由材料的本征激發(fā)決定的純凈半導(dǎo)體。更通俗地講，完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”，屬于本征半導(dǎo)體。

6，什么是本征半導(dǎo)體

本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor)）完全不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。實際半導(dǎo)體不能絕對地純凈，本征半導(dǎo)體一般是指導(dǎo)電主要由材料的本征激發(fā)決定的純凈半導(dǎo)體。更通俗地講，完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”，屬于本征半導(dǎo)體。

當(dāng)半導(dǎo)體的溫度降低（例如室溫300oK）或遭到光照等內(nèi)界因素的影響，某些共價鍵中的價電子取得了足夠的能量，足以擺脫共價鍵的約束，躍遷到導(dǎo)帶，成為自在電子，同時在共價鍵中留下雷同數(shù)量的空穴，如圖（http://www.tftcn.com/a/bandaoti/2010/0918/114.html）所示。空穴是半導(dǎo)體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量雷同。把熱激起發(fā)生的這種躍遷歷程稱為本征激起。顯然，本征激起所發(fā)生的自在電子和空穴數(shù)目是雷同的。因為空穴的存在，鄰近共價鍵中的價電子很輕易跳過來彌補這個空穴，從而使空穴轉(zhuǎn)移到鄰近的共價鍵中去，然后，新的空穴又被其相鄰的價電子彌補，這一歷程連續(xù)上來，就相稱于空穴在靜止。帶負電荷的價電子順次彌補空穴的靜止與帶正電荷的粒子作反方向靜止的后果雷同，因此咱們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導(dǎo)體中存在兩種載流子，即帶電荷＋q的空穴和帶電荷–q的自在電子。

完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或I型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”，屬于本征半導(dǎo)體。1．半導(dǎo)體中的兩種載流子—自由電子和空穴在熱力學(xué)溫度零度和沒有外界能量激發(fā)時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。但是，當(dāng)半導(dǎo)體的溫度升高（例如室溫300oK）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導(dǎo)帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數(shù)量的空穴，如圖2—3（a）所示。空穴是半導(dǎo)體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發(fā)產(chǎn)生的這種躍遷過程稱為本征激發(fā)。顯然，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子和空穴數(shù)目是相同的。由于空穴的存在，臨近共價鍵中的價電子很容易跳過去填補這個空穴，從而使空穴轉(zhuǎn)移到臨近的共價鍵中去，而后，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這一過程持續(xù)下去，就相當(dāng)于空穴在運動。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動與帶正電荷的粒子作反方向運動的效果相同，因此我們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導(dǎo)體中存在兩種載流子，即帶電荷+q的空穴和帶電荷–q的自由電子。在沒有外加電場作用時，載流子的運動是無規(guī)則的，沒有定向運動，所以形不成電流。在外加電場作用下，自由電子將產(chǎn)生逆電場方向的運動，形成電子電流，同時價電子也將逆電場方向依次填補空穴，其導(dǎo)電作用就像空穴沿電場運動一樣，形成空穴電流。雖然在同樣的電場作用下，電子和空穴的運動方向相反，但由于電子和空穴所帶電荷相反，因而形成的電流是相加的，即順著電場方向形成電子和空穴兩種漂移電流。

沒有摻雜且無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。更通俗地講，完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體或i型半導(dǎo)體。硅和鍺都是四價元素，其原子核最外層有四個價電子。它們都是由同一種原子構(gòu)成的“單晶體”，屬于本征半導(dǎo)體?！　≡诮^對零度溫度下，半導(dǎo)體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論），受到光電注入或熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶（conduction band），價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。上述產(chǎn)生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子－空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，使電子－空穴對消失，稱為復(fù)合（recombination）。復(fù)合時產(chǎn)生的能量以電磁輻射（發(fā)射光子photon）或晶格熱振動（發(fā)射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子－空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時本征半導(dǎo)體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導(dǎo)率。加熱或光照會使半導(dǎo)體發(fā)生熱激發(fā)或光激發(fā)，從而產(chǎn)生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導(dǎo)率增加。半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻等半導(dǎo)體器件就是根據(jù)此原理制成的。常溫下本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導(dǎo)體特性進行控制，因此實際應(yīng)用不多。　　本征半導(dǎo)體特點：電子濃度＝空穴濃度　　缺點：載流子少，導(dǎo)電性差，溫度穩(wěn)定性差！

什么叫本征半導(dǎo)體？所謂半導(dǎo)體，顧名思義，就是它的導(dǎo)電能力介乎導(dǎo)體和絕緣體之間。用得最多的半導(dǎo)體是鍺和硅，都是四價元素。將鍺或硅材料提純后形成的完全純凈、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同條件下有很大差別。一般來說，本征半導(dǎo)體相鄰原子間存在穩(wěn)固的共價鍵，導(dǎo)電能力并不強。但有些半導(dǎo)體在溫度增高、受光照等條件下，導(dǎo)電能力會大大增強，利用這種特性可制造熱敏電阻、光敏電阻等器件。更重要的是，在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)后，其導(dǎo)電能力就可增加幾十萬乃至幾百萬倍，利用這種特性就可制造二極管、三極管等半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體的這種與導(dǎo)體和絕緣體截然不同的導(dǎo)電特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電機理決定的。在半導(dǎo)體共價鍵結(jié)構(gòu)中，價電子（原子的最外層電子）不像在絕緣體（8價元素）中那樣被束縛得很緊，在獲得一定能量（溫度增高、受光照等）后，即可擺脫原子核的束縛（電子受到激發(fā)），成為自由電子，同時共價鍵中留下的空位稱為空穴。在外電場的作用下，半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流：一是自由電子作定向運動形成的電子電流，一是仍被原子核束縛的價電子（不是自由電子）遞補空穴形成的空穴電流。也就是說，在半導(dǎo)體中存在自由電子和空穴兩種載流子，這是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電機理上的本質(zhì)區(qū)別。本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，同時又不斷復(fù)合，在一定溫度下達到動態(tài)平衡，載流子便維持一定數(shù)目。溫度愈高，載流子數(shù)目愈多，導(dǎo)電性能也就愈好。所以，溫度對半導(dǎo)體器件性能的影響很大。