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三代半導體，第AVA元素組成的化合物GaNGaPGaAs等是人工合成的新

來源：整理時間：2023-08-21 20:26:37 編輯：智能門戶手機版

本文目錄一覽

1，第AVA元素組成的化合物GaNGaPGaAs等是人工合成的新
2，我國第三代半導體材料遇到了什么瓶頸
3，第三代半導體是中國芯崛起的希望嗎
4，說中國的半導體芯片是28納米與10納米相比差3代啥意思
5，15分砷化鎵為第三代半導體以其為材料制造的燈泡壽命長耗能
6，關(guān)于發(fā)光二極管LED

1，第AVA元素組成的化合物GaNGaPGaAs等是人工合成的新

Ⅰ（1）（2）AC（3）非極性分子 sp 2Ⅱ（1） 6（2）略

第AVA元素組成的化合物GaNGaPGaAs等是人工合成的新

2，我國第三代半導體材料遇到了什么瓶頸

以碳化硅(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料稱為第三代半導體材料。

我國第三代半導體材料遇到了什么瓶頸

3，第三代半導體是中國芯崛起的希望嗎

全球半導體業(yè)己處于成熟階段，如增長緩慢，兼并加劇，以及”大者恒大”。除了三星，臺積電，英特爾，東芝，海力士等少數(shù)超級大廠仍繼續(xù)投資之外，更多的IDM芯片制造廠是執(zhí)行“輕晶園廠策略”，”Fablite”，它們的作法是紛紛售出芯片生產(chǎn)線

應該不是吧。

第三代半導體是中國芯崛起的希望嗎

4，說中國的半導體芯片是28納米與10納米相比差3代啥意思

這個三代定義很模糊，但是大致上28-20-14-10nm，這就是三代了。具體的話，其實從整體上講，就是差了深紫外到極紫外光刻機技術(shù)的一個大代

半導體激光芯片有很多意義，首先半導體材料很多很復雜而以激光來制造的芯片，可以叫半導體激光芯片。另外半導體芯片帶有激光線路，或以半導體裝配的激光設(shè)備制造芯片，全都是這名稱。

5，15分砷化鎵為第三代半導體以其為材料制造的燈泡壽命長耗能

（15分）（1）BC （2分）（2）（CH 3 ） 3 Ga + AsH 3 GaAs + 3CH 4 （3分）（3）三角錐. （2分） sp 2 （2分）（4）銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構(gòu)成，自由電子在外加電場的作用下可發(fā)生定向移動（2分）［Ar］3d 9 或1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 9 （2分）（5）離子鍵，（1分）配位鍵（1分）略

6，關(guān)于發(fā)光二極管LED

LED Lamp(led 燈)主要由支架、銀膠、晶片、金線、環(huán)氧樹脂五種物料所組成。

樓上的多是專家?，F(xiàn)在國際照明大力向LED發(fā)展，就是LED環(huán)保節(jié)能。性

發(fā)光二極管簡稱為LED。由鎵（Ga）與砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二極管，當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡寫為LED。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦?。當給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。發(fā)光二極管的反向擊穿電壓約5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時必須串聯(lián)限流電阻以控制通過管子的電流。限流電阻R可用下式計算：R＝（E－UF）／IF式中E為電源電壓，UF為LED的正向壓降，IF為LED的一般工作電流。發(fā)光二極管的兩根引線中較長的一根為正極，應按電源正極。有的發(fā)光二極管的兩根引線一樣長，但管殼上有一凸起的小舌，靠近小舌的引線是正極。

LED 是英文Light Emitting Diode 的簡稱，是一種具有兩個電極的半導體發(fā)光器件，讓其流過小量電流就會發(fā)出可見光，第一個商用二極管產(chǎn)生于 1960 年。它的基本結(jié)構(gòu)是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環(huán)氧樹脂密封，起到保護內(nèi)部芯線的作用，所以LED 的抗震性能好。發(fā)光二極管的核心部分是由p 型半導體和n型半導體組成的晶片，在p型半導體和n型半導體之間有一個過渡層，稱為p-n 結(jié)。在某些半導體材料的PN 結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。當它處于正向工作狀態(tài)時（即兩端加上正向電壓），電流從LED陽極流向陰極時，半導體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關(guān)。

就是發(fā)光用的

導體發(fā)光二極管(LED)作為第三代半導體照明光源。這種產(chǎn)品具有很多夢幻般優(yōu)點：(1)光效率高：光譜幾乎全部集中于可見光頻率，效率可以達到80%-90%。而光效差不多的白熾燈可見光效率僅為10%-20%。(2)光線質(zhì)量高：由于光譜中沒有紫外線和紅外線，故沒有熱量，沒有輻射，屬于典型的綠色照明光源。(3)能耗?。簡误w功率一般在0.05-1w，通過集群方式可以量體裁衣地滿足不同的需要，浪費很少。以其作為光源，在同樣亮度下耗電量僅為普通白熾燈的1/8-10。(4)壽命長：光通量衰減到70%的標準壽命是10萬小時。一個半導體燈正常情況下可以使用50年，即使長命百歲的人，一生最多也就用2只燈。(5)可靠耐用：沒有鎢絲、玻殼等容易損壞的部件，非正常報廢率很小，維護費用極為低廉。(6)應用靈活：體積小，可以平面封裝，易開發(fā)成輕薄短小的產(chǎn)品，做成點、線、面各種形式的具體應用產(chǎn)品。(7)安全：單位工作電壓大致在1.5-5v之間，工作電流在20-70mA之間。(8)綠色環(huán)保：廢棄物可回收，沒有污染，不像熒光燈一樣含有汞成分。(9)響應時間短：適應頻繁開關(guān)以及高頻運作的場合。

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