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本文目錄一覽

1，常用電子元件字母的簡(jiǎn)稱
2，三極管的前綴 c和s分別代表什么意思
3，PCB線路各元器件的對(duì)應(yīng)英文縮寫和作用
4，三極管可以用來干什么
5，電路版里的二極管三級(jí)管是代表什么意思
6，三極管VCCVceoVcboVeboIcmPcmft mHZ分別代表什么以及

1，常用電子元件字母的簡(jiǎn)稱

電阻 R 電容 C 三極管有 NPN 和PNP

常用電子元件字母的簡(jiǎn)稱

2，三極管的前綴 c和s分別代表什么意思

C和S是三極管各國(guó)命名規(guī)則的簡(jiǎn)寫，我認(rèn)為C可為日本產(chǎn)三極管，因?yàn)槿毡镜娜龢O管命名規(guī)則規(guī)定，前三位的第一位表示晶體管的PN結(jié)數(shù)，第二位表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三位用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。一般小功率三極管為了表示簡(jiǎn)便，前兩位2S部分就省略了，而只保留第三位和序號(hào)部分，例如2SC1045，意思是在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體NPN型高頻三極管，1045則是這一類型三極管的序號(hào)，簡(jiǎn)寫后就是C1045。因?yàn)榍皟晌恢灰侨毡疽?guī)則三極管都一樣，所以就省略了。而S據(jù)有關(guān)材料介紹應(yīng)是韓國(guó)制造的晶體三極管，如S系列的9012～9018之類的管子。

C1815日產(chǎn)或仿日三極管：命名方式例：2SC1815AGR7H （1）“2”表示兩個(gè)PN結(jié) （2）“S”表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì) （3）“C”性能及導(dǎo)電類型 A： PNP 高頻 B： PNP 低頻 C： NPN 高頻 D： NPN 低頻（4）“1815”注冊(cè)序號(hào) （5）“A”改進(jìn)序號(hào) （6）“GR”代表放大倍數(shù)是200-400（7）“7H”廠名代號(hào) 注：日產(chǎn)管一般都省略（1）（2）位。

三極管的前綴 c和s分別代表什么意思

3，PCB線路各元器件的對(duì)應(yīng)英文縮寫和作用

元器件中英文：and 與門antenna 天線battery 電池，直流電源bell 鈴,鐘bvc 同軸電纜接插件bridge 整流橋(二極管)buffer 緩沖器buzzer 蜂鳴器cap 電容capacitor 電容器capacitor pol 有極性電容capvar 可調(diào)電容circuit breaker 熔斷絲coax 同軸電纜con 插口crystal 晶體整蕩器db 并行插口diode 二極管diode schottky 穩(wěn)壓二極管diode varactor 變?nèi)荻O管dpy_3-seg 3段leddpy_7-seg 7段leddpy_7-seg_dp 7段led(帶小數(shù)點(diǎn))electro cap電解電容fuse 熔斷器inductor 電感inductor iron 帶鐵芯電感ic集成電路integratecircuitjfet n n溝道場(chǎng)效應(yīng)管jfet p p溝道場(chǎng)效應(yīng)管lamp 燈泡lamp nedn 起輝器j jump wire跳線led 發(fā)光二極管meter 儀表microphone 麥克風(fēng)mosfet mos管motor ac 交流電機(jī)motor servo 伺服電機(jī)nand 與非門nor 或非門not 非門npn-photo 感光三極管opamp 運(yùn)放or 或門photo 感光二極管pnp transistor pnp三極管npn transistor npn三極管pot 滑線變阻器pelay-dpdt 雙刀雙擲繼電器resistor 電阻resistor bridge 橋式電阻scr 晶閘管plug 插頭plug ac female 三相交流插頭socket 插座source current 電流源source voltage 電壓源speaker 揚(yáng)聲器sw switch 開關(guān)sw-dpdy 雙刀雙擲開關(guān)sw-spst 單刀單擲開關(guān)sw-pb 按鈕，開關(guān)thermistor 電熱調(diào)節(jié)器transformer 變壓器triac 三端雙向可控硅triode 三極真空管varistor 變阻器zener diode 齊納二極管

R：電阻L：電感C：電容I：集成電路、芯片J：跳線CON：連接器、插頭、插座Heat Sink：散熱器

PCB線路各元器件的對(duì)應(yīng)英文縮寫和作用

4，三極管可以用來干什么

主要是放大和開關(guān)作用,它是一種控制元件

你好簡(jiǎn)單的說就是高·低頻信號(hào)放大，開關(guān)電源等等。看看書唄，初中三年物理書上就有的。祝你學(xué)業(yè)有成

放大電信號(hào)，老師剛講過。

也稱晶體管，在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)引腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里[1]面的說法是千差萬別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯　　電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這個(gè)詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個(gè)詞最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實(shí)際翻譯的時(shí)候是絕對(duì)不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)恼f，在英文里面根本就沒有三個(gè)腳的管子這樣一個(gè)詞匯?。?！　　電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）　　雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）　　J型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱　　V型槽場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）　　注：這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)結(jié)構(gòu)千差萬別　　J型場(chǎng)效應(yīng)管金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 V溝道場(chǎng)效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）　　其中J型場(chǎng)效應(yīng)管是非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場(chǎng)效應(yīng)管　　VMOS是在 MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改經(jīng)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管他的作用：，如果說三極管的基本原理用這樣的比喻比較牽強(qiáng)附會(huì)的話，在設(shè)計(jì)三極管的版圖時(shí)，它就非常的確切了，我們先畫一條綠色的線條表示通道，再畫一條橫跨過通道的紅色線條表示控制柵極，就象馬路上的綠色的通道和警察掌握的紅燈一樣，綠色通道里的電流的通斷，得看警察的臉色行事。不過在集成電路里通道不叫通道，而叫有源區(qū)，一個(gè)奇怪的名字，不過很好記，我們平時(shí)把半導(dǎo)體器件叫做有源器件，電阻電容叫無源器件，三極管是有源器件，因此只要記住和三極管有關(guān)的區(qū)域叫有源區(qū)就可以了。由 N型或 P型半導(dǎo)體材料組成源極和漏極，在源極和漏極之間放一層多晶硅作為柵極，這就形成了一個(gè) MOS三極管，多做幾個(gè)這樣的三極管，并把它們按要求連接起來，這就形成了集成電路。把許多三極管做在一起就是集成電路。集成電路真的就是這么簡(jiǎn)單，請(qǐng)暫時(shí)不要問什么半導(dǎo)體為什么會(huì)導(dǎo)電之類目前被認(rèn)為是無關(guān)緊要的問題，我們?cè)谶@里探討的是如何快速的學(xué)會(huì)設(shè)計(jì)集成電路，而不是半導(dǎo)體理論。 top

放大和開關(guān)作用，分為2種型號(hào)：ＮＰＮ型和ＰＮＰ型　　3個(gè)極性：Ｅ（發(fā)射極）Ｂ（基極）Ｃ（集電極）　希望采納！

　　晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等）表示。晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。　　三極管詳解半導(dǎo)體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關(guān)作用。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。

5，電路版里的二極管三級(jí)管是代表什么意思

二極管晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象三極管三極管在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，可能是如圖所示的幾種器件，　　可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯　　電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這個(gè)詞匯的唯一英文翻譯，這是和電子三極管最早出現(xiàn)有關(guān)系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極管這個(gè)詞最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三極管的東西，實(shí)際翻譯的時(shí)候是絕對(duì)不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)恼f，在英文里面根本就沒有三個(gè)腳的管子這樣一個(gè)詞匯！??！　　電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）　　雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）　　J型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱　　V型槽場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）　　注：這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)結(jié)構(gòu)千差萬別　　J型場(chǎng)效應(yīng)管金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 V溝道場(chǎng)效應(yīng)管是單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）　　其中J型場(chǎng)效應(yīng)管是非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場(chǎng)效應(yīng)管　　VMOS實(shí)在 MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和，工作電流大幅提升，但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改經(jīng)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管工作原理晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。　　對(duì)于NPN管，它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。　　當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。　　在制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。　　由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給，從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得：　　Ie=Ib+Ic 　　這就是說，在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的Ib，就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系，即：　　β1=Ic/Ib 　　式中：β1--稱為直流放大倍數(shù)，　　集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：　　β= △Ic/△Ib 　　式中β--稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時(shí)β1和β的數(shù)值相差不大，所以有時(shí)為了方便起見，對(duì)兩者不作嚴(yán)格區(qū)分，β值約為幾十至一百多。　　三極管是一種電流放大器件，但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/section>

謂的極管，實(shí)際上就是指電子工程技術(shù)上所說的一種電子器件。最早，人們是在玻璃管內(nèi)用金屬做成兩個(gè)電極，其中一個(gè)電極是用電熱絲做成，引出電熱絲的頭和尾。另一個(gè)電極只引出一個(gè)腳。這樣，就形成了三個(gè)引腳的帶有兩個(gè)電極的玻璃管。然后抽成真空后，將電熱絲的這兩個(gè)引出腳通電使其發(fā)熱，然后再在另外一個(gè)電極的引腳和電熱絲這個(gè)電極之間，通上交流電，人們這時(shí)發(fā)現(xiàn)這兩個(gè)電極具有電子向一個(gè)方向流動(dòng)的性能，即單方向?qū)щ姷男阅?。人們利用這個(gè)性能，來實(shí)現(xiàn)將交流電轉(zhuǎn)換成直流電。人們就把這種有兩個(gè)極的管子稱為二極管。后來人們又在二極管的基礎(chǔ)上，制成了有三個(gè)電極的真空管，發(fā)現(xiàn)它能起到將電流放大的作用，人們稱其為三極管。二極管和三極管被廣泛用于當(dāng)時(shí)的通訊領(lǐng)域。當(dāng)然在三極管的基礎(chǔ)上人們又制成了四極管、五極管、六極管、七極管等等。但這些管子最基本的功能都是起放大電流的作用，只是性能上有差異。后來，人們發(fā)明了半導(dǎo)體，兩個(gè)極的也是有能將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的特征，人們將這只有兩個(gè)引腳的半導(dǎo)體器件稱之為半導(dǎo)體二極管。三個(gè)電極引腳的、起放大電流作用的半導(dǎo)體器件，人們稱之為半導(dǎo)體三極管?，F(xiàn)在沒有電子管了，所能人們將半導(dǎo)體這三個(gè)字也給省略了，只叫它二極管、三極管。它是電子電路中最基本的單元，當(dāng)然還有其它一些最基本的單元，比如電阻器、電容器、電感器等，但在電子電路里，這些東西和二極管、三極管比起來可以說都不太重要了。特殊用途的半導(dǎo)體元器件比方說氣敏管、壓敏管、發(fā)光管等等，但它們不是電子電路最基本的單元構(gòu)件。那怕是再大規(guī)模的所謂半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體模塊、再大的所謂集成電路、那怕是電腦里用的中央處理器或者說是CPU，它們都必須由一個(gè)一個(gè)的三極管二極管再輔以電阻器電容器和電感器等，一級(jí)一級(jí)一個(gè)系統(tǒng)一個(gè)系統(tǒng)有機(jī)的連接起來的。一下兩下子我也給你說不清楚。簡(jiǎn)而言之，二極管、三極管是組成電子電路的最基本的元件。二極管是起整流作用的，三極管是起放大作用的，除此之外再也沒有更多的極管了。

電路版里的二極管,三級(jí)管都是電子元器件，二極管具有整流、續(xù)流、檢波等作用，三極管有開關(guān)、放大等作用，他們?cè)陔娐防锱c其他電子元器件組合在一起形成不同的電路，起著不同的作用，而且是在電路中應(yīng)用很廣泛的元器件。

6，三極管VCCVceoVcboVeboIcmPcmft mHZ分別代表什么以及

以下是我的收藏：奉獻(xiàn)給你吧！三極管的參數(shù)解釋 △ λ---光譜半寬度 △VF---正向壓降差 △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量 av---電壓溫度系數(shù) a---溫度系數(shù) BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓 BVcbo---發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓 BVceo---基極開路，CE結(jié)擊穿電壓 BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓 BVebo--- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓 Cib---共基極輸入電容 Cic---集電結(jié)勢(shì)壘電容 Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容 Cies---共發(fā)射極短路輸入電容 Cie---共發(fā)射極輸入電容 Cjo/Cjn---結(jié)電容變化 Cjo---零偏壓結(jié)電容 Cjv---偏壓結(jié)電容 Cj---結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 CL---負(fù)載電容（外電路參數(shù)） Cn---中和電容（外電路參數(shù)） Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容 Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容 Coe---共發(fā)射極輸出電容 Co---零偏壓電容 Co---輸出電容 Cp---并聯(lián)電容（外電路參數(shù)） Cre---共發(fā)射極反饋電容 Cs---管殼電容或封裝電容 CTC---電容溫度系數(shù) CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下，穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比 Ct---總電容 Cvn---標(biāo)稱電容 di/dt---通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率 D---占空比 ESB---二次擊穿能量 fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率 fT---特征頻率 f---頻率 h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù) hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù) hfe---共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù) hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗 hie---共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗 hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo) hoe---共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納 hre---共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù) IAGC---正向自動(dòng)控制電流 IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值 IB---基極直流電流或交流電流的平均值 Icbo---基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流 Iceo---發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Ices---發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 ICMP---集電極最大允許脈沖電流 ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。 ICM---最大輸出平均電流 Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值 IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流 ID---暗電流 IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流 Iebo---基極接地，集電極對(duì)地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流 IEM---發(fā)射極峰值電流 IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值 IF（AV）---正向平均電流 IF(ov)---正向過載電流 IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IFMP---正向脈沖電流 IFRM---正向重復(fù)峰值電流 IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流） IF---正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流 iF---正向總瞬時(shí)電流 IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流 IGFM---控制極正向峰值電流 IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流 IH---恒定電流、維持電流。 Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流 IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時(shí)電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流 Iop---工作電流 Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IP---峰點(diǎn)電流 IR（AV）---反向平均電流 IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測(cè)反向特性時(shí)，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時(shí)，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。 IRM---反向峰值電流 Irp---反向恢復(fù)電流 IRRM---反向重復(fù)峰值電流 IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流 IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流） ir---反向恢復(fù)電流 iR---反向總瞬時(shí)電流 ISB---二次擊穿電流 Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 IV---谷點(diǎn)電流 Izk---穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流 IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流 Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測(cè)試電流）。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí)，給定的反向電流 n---電容變化指數(shù)；電容比 PB---承受脈沖燒毀功率 PCM---集電極最大允許耗散功率 Pc---集電極耗散功率 PC---控制極平均功率或集電極耗散功率 Pd---耗散功率 PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β? PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率 PGM---門極峰值功率 PG---門極平均功率 Pi---輸入功率 Pi---輸入功率 PK---最大開關(guān)功率 PMP---最大漏過脈沖功率 PMS---最大承受脈沖功率 PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率 Pn---噪聲功率 Pomax---最大輸出功率 Posc---振蕩功率 Po---輸出功率 Po---輸出功率 PR---反向浪涌功率 Psc---連續(xù)輸出功率 PSM---不重復(fù)浪涌功率 Ptot---總耗散功率 Ptot---總耗散功率 PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率 Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素） r δ---衰減電阻 R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻 R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻 r(th)---瞬態(tài)電阻 rbb分鐘Cc---基極-集電極時(shí)間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積 rbb分鐘---基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻） RBB---雙基極晶體管的基極間電阻 RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)） RB---外接基極電阻（外電路參數(shù)） Rc ---外接集電極電阻（外電路參數(shù)） RE---射頻電阻 RE---外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)） RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻 RG---信號(hào)源內(nèi)阻 rie---發(fā)射極接地，交流輸出短路時(shí)的輸入電阻 RL---負(fù)載電阻 RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)） roe---發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測(cè)定的交流輸入短路時(shí)的輸出電阻 Rs(rs)----串聯(lián)電阻 Rth---熱阻 Rth----熱阻 Rz(ru)---動(dòng)態(tài)電阻 Ta---環(huán)境溫度 Ta---環(huán)境溫度 Tc---管殼溫度 Tc---殼溫 td---延遲時(shí)間 td----延遲時(shí)間 tfr---正向恢復(fù)時(shí)間 tf---下降時(shí)間 tf---下降時(shí)間 tgt---門極控制極開通時(shí)間 tg---電路換向關(guān)斷時(shí)間 Tjm---最大允許結(jié)溫 Tjm---最高結(jié)溫 Tj---結(jié)溫 toff---關(guān)斷時(shí)間 toff---關(guān)斷時(shí)間 ton---開通時(shí)間 ton---開通時(shí)間 trr---反向恢復(fù)時(shí)間 tr---上升時(shí)間 tr---上升時(shí)間 tstg---溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度 Tstg---貯存溫度 ts---存儲(chǔ)時(shí)間 ts---存貯時(shí)間 Ts---結(jié)溫 V n---噪聲電壓 V v---谷點(diǎn)電壓 V（BR）---擊穿電壓 VAGC---正向自動(dòng)增益控制電壓 VB2B1---基極間電壓 VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VBE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降） VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓 VBE---基極發(fā)射極（直流）電壓 VB---反向峰值擊穿電壓 VCBO---基極接地，發(fā)射極對(duì)地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCB---集電極-基極（直流）電壓 Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VCE(sat)---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降 VCEO---發(fā)射極接地，基極對(duì)地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓 VCES---發(fā)射極接地，基極對(duì)地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓 VCE---集電極-發(fā)射極（直流）電壓 Vc---整流輸入電壓 VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VEBO---基極接地，集電極對(duì)地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VEB---飽和壓降 VEE---發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)） VF（AV）---正向平均電壓 VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓） VF---正向壓降（正向直流電壓） VGD---門極不觸發(fā)電壓 VGFM---門極正向峰值電壓 VGRM---門極反向峰值電壓 VGT---門極觸發(fā)電壓 Vk---膝點(diǎn)電壓（穩(wěn)流二極管） VL ---極限電壓 Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值 Vn---中心電壓 VOM---最大輸出平均電壓 Vop---工作電壓 Vo---交流輸入電壓 Vp---穿通電壓。 Vp---峰點(diǎn)電壓 VRM---反向峰值電壓（最高測(cè)試電壓） VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓） VRWM---反向工作峰值電壓 VR---反向工作電壓（反向直流電壓） VSB---二次擊穿電壓 Vs---通向電壓（信號(hào)電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 Vth---閥電壓（門限電壓） Vz---穩(wěn)定電壓 δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移 η---單結(jié)晶體管分壓比或效率 λp---發(fā)光峰值波長(zhǎng)