肖特基接觸定義界面電阻大，這只是肖特基接觸的一個(gè)特點(diǎn)。肖特基三極管的結(jié)構(gòu)和工作原理是什么？肖特基接觸肖特基接觸是指金屬和半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，半導(dǎo)體的能帶在界面處發(fā)生彎曲，形成肖特基勢壘，肖特基結(jié)二極管有金屬和P型半導(dǎo)體嗎？第一件事就是改正，你說的可能是肖特基二極管，沒有肖特基三極管。

pn結(jié)是半導(dǎo)體單晶中P型和N型兩種半導(dǎo)體材料的邊界或界面。1.P(正)側(cè)包含過量的空穴，而N(負(fù))側(cè)在電中性原子的殼層中包含過量的電子。這使得電流只能沿一個(gè)方向通過結(jié)。2.pn結(jié)通過摻雜產(chǎn)生，例如離子注入、摻雜劑擴(kuò)散或外延。用一種摻雜劑摻雜的晶體層生長在用另一種摻雜劑摻雜的晶體層上。如果使用兩種單獨(dú)的材料，這將在半導(dǎo)體之間引入晶界，從而通過散射電子和空穴嚴(yán)重抑制它們的有效性。

1。定義不同的歐姆接觸意味著在接觸處有一個(gè)純電阻，電阻越小越好，這樣在模塊工作時(shí)，大部分電壓降在有源區(qū)而不是接觸面。所以它的IV特性是線性的，斜率越大，接觸電阻越小，直接影響器件的性能指標(biāo)。肖特基接觸是指金屬與半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，半導(dǎo)體的能帶在界面處發(fā)生彎曲，形成肖特基勢壘。勢壘的存在導(dǎo)致大的界面電阻。

然而，肖特基接觸具有大的接觸勢壘。3.形成條件不同形成歐姆接觸有兩個(gè)前提條件:一是金屬與半導(dǎo)體之間有較低的勢壘高度，二是半導(dǎo)體有較高的雜質(zhì)濃度(N_10EXP12cm3)。前者能增加界面電流中的熱激發(fā)；后者使半導(dǎo)體的耗盡區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會直接隧穿，同時(shí)降低Rc電阻。

肖特基二極管在結(jié)構(gòu)和損耗上與普通二極管不同。1.不同結(jié)構(gòu)的普通二極管由P型和N型半導(dǎo)體材料制成。在PN結(jié)構(gòu)中的P和N區(qū)域之間形成勢壘。當(dāng)施加的電壓反向時(shí)，勢壘加強(qiáng)，電子被阻擋流動，即正向工作。當(dāng)施加的電壓為正時(shí)，勢壘減弱，電子可以通過元件傳導(dǎo)，即反方向做功。肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體的接觸特性制成的二極管。

肖特基二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)很淺，電子可以通過金屬和p型半導(dǎo)體之間的肖特基接觸流動。2.失去不同的公共二極管的主要缺點(diǎn)之一是存在正向壓降和反向漏電流。當(dāng)電子通過PN結(jié)時(shí)，由于結(jié)的特性，能量會變成熱能，這種能量在pn結(jié)上會表現(xiàn)為熱量，導(dǎo)致正向壓降的損失。相反，肖特基二極管沒有PN結(jié)，所以沒有這種損耗。

普通二極管在電流流動時(shí)會產(chǎn)生約0.71.7伏的壓降，而肖特基二極管的壓降只有0.150.45伏。當(dāng)然，通常使用N型半導(dǎo)體，主要原因如下:1。載流子遷移率。電子遷移率遠(yuǎn)高于空穴遷移率，因此選擇n型半導(dǎo)體可以獲得良好的頻率特性。2.正向?qū)妷骸ＥcN型相比，P型肖特基結(jié)往往正向?qū)妷禾?，反向漏電流太高，制備難度更大(容易變成歐姆接觸)。

CMOS工藝往往需要高溫退火，而P-肖特基接觸由于漏電流大等問題，退火后容易成為歐姆接觸。當(dāng)然還有其他因素，但基于N型肖特基結(jié)的成熟度，自然是工業(yè)生產(chǎn)的首選。隨著材料科學(xué)的發(fā)展，越來越多性能優(yōu)越的P型半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高質(zhì)量P型。N型肖特基結(jié)最大的問題是使用貴金屬(Au、Pt等。)，而P型肖特基結(jié)使用低功函數(shù)金屬(Al、Ti等。)，這是一個(gè)顯著的優(yōu)勢。

肖特基二極管以其發(fā)明者肖特基博士命名，SBD是SchottkyBarrierDiode (SBD)的縮寫。SBD不是基于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)的原理，而是基于金屬-半導(dǎo)體接觸形成金屬-半導(dǎo)體結(jié)的原理。因此，SBD，也稱為金屬半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，是一種熱載流子二極管。

(1)價(jià)帶電子；(2)自由電子或空穴；(3)雜質(zhì)能級中存在的電子。太陽能電池的可用電子主要是價(jià)帶電子。光的吸收由價(jià)帶電子向?qū)У哪芰寇S遷決定，稱為本征或本征吸收。太陽能電池能量轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)是結(jié)的光伏效應(yīng)。當(dāng)光照射pn結(jié)時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對。在半導(dǎo)體內(nèi)部的結(jié)附近產(chǎn)生的載流子沒有被復(fù)合并到達(dá)空間電荷區(qū)。在內(nèi)建電場的吸引下，電子流入N區(qū)，空穴流入P區(qū)，導(dǎo)致N區(qū)存儲過剩電子，P區(qū)過?？昭?。

光伏場除了部分抵消勢壘電場，還使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，N區(qū)和P區(qū)之間的薄層產(chǎn)生電動勢，這就是光伏效應(yīng)。此時(shí)，如果外電路短路，外電路中就會流過與入射光能成正比的光電流，稱為短路電流。另一方面，如果pn結(jié)兩端開路，則N區(qū)的費(fèi)米能級高于P區(qū)，兩個(gè)費(fèi)米能級之間會產(chǎn)生電勢差voc。

首先要糾正的是，你說的可能是肖特基二極管，沒有肖特基三極管！這里只能簡單描述一下:肖特基二極管是以金屬基體為主要成分的半導(dǎo)體器件。其優(yōu)點(diǎn)是導(dǎo)通電阻和死區(qū)電壓低，開關(guān)速度快。缺點(diǎn)是耐壓值低，一般不超過100V V，肖特基三極管是肖特基二極管和普通三極管的組合。肖特基二極管通常連接在三極管的BC極之間，以提高三極管的某些高頻性能。

界面電阻大，這只是肖特基接觸的一個(gè)特點(diǎn)。肖特基接觸是指金屬與半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，半導(dǎo)體的能帶在界面處發(fā)生彎曲，形成肖特基勢壘，勢壘的存在導(dǎo)致大的界面電阻。對應(yīng)于歐姆接觸，界面處的勢壘很小或者沒有接觸勢壘，肖特基接觸肖特基接觸是指金屬和半導(dǎo)體材料接觸時(shí)，半導(dǎo)體的能帶在界面處發(fā)生彎曲，形成肖特基勢壘。勢壘的存在導(dǎo)致大的界面電阻。