在一定條件下，Ga和As可以合成GaAs、GaAs，且(CH3 GaAs、(CH3)Ga的晶型不同。GaAs是金屬元素嗎？GaAs砷化鎵是ⅲ ⅴ族元素的化合物，呈暗灰色固體，熔點(diǎn)1238℃，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，在砷化鎵(化學(xué)式:GaAs GaAs)中，施主是GaAs，施主是深能級(jí)，這個(gè)氧原子還可以和其他點(diǎn)缺陷形成復(fù)合點(diǎn)缺陷，都起到施主作用。

在1、砷化鎵(化學(xué)式為 GaAs

2、 GaAs中起施主作用的是

GaAs中，施主是施主類型的深層次；這個(gè)氧原子還可以和其他點(diǎn)缺陷形成復(fù)合點(diǎn)缺陷，都起到施主作用。一個(gè)As原子占據(jù)了Ge原子的位置，As原子有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與周圍的四個(gè)Ge原子形成共價(jià)鍵，剩下一個(gè)價(jià)電子。同時(shí)，as原子多了一個(gè)正電荷 q，稱為帶正電荷中心的As 原子。這個(gè)額外的價(jià)電子以 的形式束縛在正電荷中心周圍，但這種束縛作用比共價(jià)鍵弱得多。它可以脫離束縛，變成一個(gè)能量很小的導(dǎo)電電子。這種能釋放電子產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電荷中心的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。

GaAs和(CH3)Ga的晶體類型不同。GaAs的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，即采用纖鋅礦結(jié)構(gòu)；具體結(jié)構(gòu)為六方密排晶體結(jié)構(gòu)(簡(jiǎn)稱HCP)。在這種結(jié)構(gòu)中，每個(gè)鎵離子被四個(gè)砷離子和四個(gè)鎵離子包圍。這種晶體的合金化特性可以通過(guò)在GaAs單晶中摻雜雜質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)。(CH3)Ga是分子式為Ga(CH3)3的有機(jī)金屬化合物。它是三甲基鎵的有機(jī)衍生物，沒(méi)有固定的晶體結(jié)構(gòu)，但呈現(xiàn)液態(tài)或氣態(tài)形式。

GaAs砷化鎵是ⅲ ⅴ族元素的化合物，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。在低于600℃的空氣中能穩(wěn)定存在，不被酸氧化。砷化鎵可用作高電子遷移率、低介電常數(shù)、低電子有效質(zhì)量和特殊能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，并可用作外延片。

(1)在Ga原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖中，最外層有四個(gè)電子層和三個(gè)電子，因此屬于第四周期的IIIA族，33號(hào)元素也是如此，其原子結(jié)構(gòu)示意圖如下；所以，答案是:第四周期的群IIIA；(2)Ga是31號(hào)元素，所以Ga的核外電子排列公式為1s 22s 22 p 63s 23 p 63d 104s 24 p 1；；所以答案是:1s 22s 22 p 63s 23 p 63d 104s 24 p 1；；(3)GaCl3 _ 3的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3 12(33×1)3，沒(méi)有孤電子對(duì)，其空間構(gòu)型為平面三角形結(jié)構(gòu)；AsF3中價(jià)電子對(duì)的數(shù)目為3 12(53×1)4，有一個(gè)孤電子對(duì)，所以它的空間構(gòu)型是三角錐。所以答案是:平面三角形，三角錐；(4)4)SiC的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，金剛石是原子晶體，而碳化硅是高熔點(diǎn)、高硬度的原子晶體；所以，答案是:原子硬度高，熔點(diǎn)高；(5)同一周期，VA族元素的第一電離能大于VIA族元素，As和Se屬于同一周期，As是VA族元素，Se是VIA族元素，所以第一電離能as > se所以答案是:>；(6)根據(jù)圖片，每個(gè)S離子連接四個(gè)Zn離子，它們是匹配的。