在一定條件下,Ga和As可以合成GaAs、GaAs,且(CH3 GaAs、(CH3)Ga的晶型不同。GaAs是金屬元素嗎?GaAs砷化鎵是ⅲ ⅴ族元素的化合物,呈暗灰色固體,熔點1238℃,GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料,在砷化鎵(化學(xué)式:GaAs GaAs)中,施主是GaAs,施主是深能級,這個氧原子還可以和其他點缺陷形成復(fù)合點缺陷,都起到施主作用。
在1、砷化鎵(化學(xué)式為 GaAs
2、 GaAs中起施主作用的是
GaAs中,施主是施主類型的深層次;這個氧原子還可以和其他點缺陷形成復(fù)合點缺陷,都起到施主作用。一個As原子占據(jù)了Ge原子的位置,As原子有五個價電子,其中四個與周圍的四個Ge原子形成共價鍵,剩下一個價電子。同時,as原子多了一個正電荷 q,稱為帶正電荷中心的As 原子。這個額外的價電子以 的形式束縛在正電荷中心周圍,但這種束縛作用比共價鍵弱得多。它可以脫離束縛,變成一個能量很小的導(dǎo)電電子。這種能釋放電子產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電荷中心的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。
GaAs和(CH3)Ga的晶體類型不同。GaAs的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型,即采用纖鋅礦結(jié)構(gòu);具體結(jié)構(gòu)為六方密排晶體結(jié)構(gòu)(簡稱HCP)。在這種結(jié)構(gòu)中,每個鎵離子被四個砷離子和四個鎵離子包圍。這種晶體的合金化特性可以通過在GaAs單晶中摻雜雜質(zhì)來實現(xiàn)。(CH3)Ga是分子式為Ga(CH3)3的有機金屬化合物。它是三甲基鎵的有機衍生物,沒有固定的晶體結(jié)構(gòu),但呈現(xiàn)液態(tài)或氣態(tài)形式。
GaAs砷化鎵是ⅲ ⅴ族元素的化合物,為黑灰色固體,熔點1238℃。在低于600℃的空氣中能穩(wěn)定存在,不被酸氧化。砷化鎵可用作高電子遷移率、低介電常數(shù)、低電子有效質(zhì)量和特殊能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料,并可用作外延片。
5、Ga和As在一定條件下可以合成 GaAs, GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料,其性...(1)在Ga原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖中,最外層有四個電子層和三個電子,因此屬于第四周期的IIIA族,33號元素也是如此,其原子結(jié)構(gòu)示意圖如下;所以,答案是:第四周期的群IIIA;(2)Ga是31號元素,所以Ga的核外電子排列公式為1s 22s 22 p 63s 23 p 63d 104s 24 p 1;;所以答案是:1s 22s 22 p 63s 23 p 63d 104s 24 p 1;;(3)GaCl3 _ 3的價電子對數(shù)為3 12(33×1)3,沒有孤電子對,其空間構(gòu)型為平面三角形結(jié)構(gòu);AsF3中價電子對的數(shù)目為3 12(53×1)4,有一個孤電子對,所以它的空間構(gòu)型是三角錐。所以答案是:平面三角形,三角錐;(4)4)SiC的結(jié)構(gòu)與金剛石相似,金剛石是原子晶體,而碳化硅是高熔點、高硬度的原子晶體;所以,答案是:原子硬度高,熔點高;(5)同一周期,VA族元素的第一電離能大于VIA族元素,As和Se屬于同一周期,As是VA族元素,Se是VIA族元素,所以第一電離能as > se所以答案是:>;(6)根據(jù)圖片,每個S離子連接四個Zn離子,它們是匹配的。