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1，什么是砷化鎵
2，砷化鎵是一種什么東西可以給我具體介紹一下嗎謝謝
3，砷化鎵的主要特性
4，什么是砷化鎵
5，砷化鎵屬于哪類化合物
6，能不能給一下這個材料具體一點的信息

1，什么是砷化鎵

砷化鎵是GaAs

什么是砷化鎵

2，砷化鎵是一種什么東西可以給我具體介紹一下嗎謝謝

GaAs是一種半導體原材料，用于電子原器件的制造。由于性能良好用途非常廣泛，目前的弱電器件都采用這一材料。

沒看懂什么意思？

砷化鎵是一種什么東西可以給我具體介紹一下嗎謝謝

3，砷化鎵的主要特性

規(guī) 格砷化鎵傳輸范圍(微米) 1.0-22 折射指數(shù) 10微米 3.277 折射指數(shù)的溫度系數(shù) 10.6微米， 149 x 10/度體積吸收系數(shù) 10微米/厘米 <0.01 熔點,攝氏度 1238 硬度(努普)千克/平方毫米 750 密度,克/立方厘米 5.37 斷裂模數(shù),兆帕 13.8 楊式彈性模數(shù),千兆帕 8.3 斷裂韌度兆帕/米 0.31

我不會~~~但還是要微笑~~~：）

砷化鎵的主要特性

4，什么是砷化鎵

GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，性能比硅更優(yōu)良。它的禁帶寬度大，電子遷移率高，介電常數(shù)小，能引入深能級雜質(zhì)，電子有效質(zhì)量小，能帶結(jié)構(gòu)特殊，具有雙能谷導帶，可以制備發(fā)光器件、半導體激光器、微波體效應器件、太陽能電池和高速集成電路等，廣泛用于雷達、電子計算機、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術中。

砷化鎵（gallium arsenide），化學式 gaas。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。中益興業(yè)砷化鎵薄膜太陽能電池即是一種高效的太陽能轉(zhuǎn)電能的新型量產(chǎn)技術。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

5，砷化鎵屬于哪類化合物

GaAs是原子晶體，共價化合物。其晶體結(jié)2113構(gòu)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它由面心立5261方晶格套構(gòu)而成。每個Ga原子與它周圍四個As原子間靠共價鍵結(jié)合。但是4102砷化鎵中的Ga-As原子間的鍵合，不是純粹的共1653價鍵，由于Ga、As的負電性差異產(chǎn)生極性，稱為極性鍵內(nèi)，具有離子鍵的特征，因此砷化鎵中離子鍵成分大約37%。容

是的，是晶態(tài)化合物半導體，由共價鍵形成，是原子晶體，類比氯化鋁化學式 gaas。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。一種重要的半導體材料。屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體?；瘜W式gaas，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生長理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。氯化鋁（熔融狀態(tài)實際以al2cl6分子形式存在，不能導電；簡寫作alcl3（三氯化鋁））是共價化合物。結(jié)構(gòu)為是每一個鋁原子分別和三個氯原子形成鋁氯單鍵，兩個鋁原子之間沒有單鍵連接。因為alcl3為缺電子分子，al傾向于接受電子形成sp3雜化軌道，兩個alcl3分子間發(fā)生cl->al的電子對授予而配位,形成al2cl6分子.配位鍵是一種特殊的共價鍵，所以三氯化鋁是共價化合物。不過嚴格點說應該是形成了氯橋鍵。兩個alcl3分子靠氯橋鍵（三中心兩電子鍵）結(jié)合起來形成al2cl6分子，這種氯橋鍵與b2h6的氫橋鍵結(jié)構(gòu)相似。從價鍵理論的觀點（價鍵理論要求兩個原子之間通過各自提供一個滿足要求的原子軌道的重疊來形成共價鍵）看，氯橋鍵仍然屬于共價鍵范疇。所以al2cl6是共價化合物。其實，學化學不一定非得刨根問底才學得好，有時候，基礎性的東西只須記

化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點復 1238℃。它在600℃以下，能制在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸2113侵蝕。跟SiC是等電子5261體，也就是結(jié)構(gòu)性質(zhì)相似！SiC是原子晶4102體，GaAs也是原子晶體！也可1653以從他的熔點1238進行判斷！

6，能不能給一下這個材料具體一點的信息

砷化鎵（英文名稱為Gallium arsenide，化學式為GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物。也是很重要的半導體材料，被用來制作像微波集成電路（例如單晶微波集成電路 MMIC）、紅外線發(fā)光二極管、雷射二極管和太陽電池等元件。砷化鎵的優(yōu)點GaAs擁有一些比Si還要好的電子特性，如高的飽和電子速率及高的電子移動率，使得GaAs可以用在高于250 GHz的場合。如果等效的GaAs和Si元件同時都操作在高頻時，GaAs會擁有較少的噪聲。也因為GaAs有較高的崩潰電壓，所以GaAs比同樣的Si元件更適合操作在高功率的場合。因為這些特性，GaAs電路可以運用在移動電話、衛(wèi)星通訊、微波點對點連線、雷達系統(tǒng)等地方。GaAs曾用來做成Gunn diode (中文翻做甘恩二極管或微波二極管) 以發(fā)射微波。GaAs的的另一個優(yōu)點：它是直接能隙的材料，所以可以用來發(fā)光。而Si是間接能隙的材料，只能發(fā)射非常微弱的光。(但是，最近的技術已經(jīng)可以用Si做成LED和運用在雷射。)因為GaAs的切換速度很快，所以GaAs被認為是電腦應用的理想材料。1980年代時，大家都認為微電子市場的主力將從Si換成GaAs。首先試著要去改變的有超級電腦的供應商Cray電腦公司、Convex電腦公司，Alliant電腦系統(tǒng)公司，這些公司都試著要搶下CMOS微處理器技術的領導地位。Cray公司最后終于在1990年代早期建造了一臺GaAs為基礎的機器，叫Cray-3。但這項成就還沒有被充分地運用，公司就在1995年破產(chǎn)了。硅的優(yōu)點Si比GaAs好，有三個主要理由。第一，Si制程是大量生產(chǎn)且便宜的制程。且Si有較好的物理應力，所以可做成大尺寸的晶圓（現(xiàn)今，Si晶圓直徑約為300 mm，而GaAs晶圓最大直徑約只有150 mm）。在地球表面上有大量Si的原料：硅酸鹽礦。硅工業(yè)已發(fā)展到規(guī)模經(jīng)濟（透過高的產(chǎn)能以降低單位產(chǎn)品的成本）的情形了，更降低了工業(yè)界使用GaAs的意愿。第二個主要的優(yōu)點是，Si很容易就會變成二氧化硅（在電子元件中，這是一種很好的絕緣體）。二氧化硅可以輕易地被整合到Si電路中，且二氧化硅和Si擁有很好的界面特性。反觀，GaAs不能產(chǎn)生一層穩(wěn)定且附著在GaAs上的絕緣層。第三，大概也是最重要的Si的優(yōu)點，是Si擁有高很多的電洞移動率。在需要CMOS邏輯時，高的電洞率可以做成高速的P-通道場效應晶體管。如果需要快速的CMOS結(jié)構(gòu)時，雖然GaAs的電子移動率快，但因為它的功率消耗高，所以使的GaAs電路無法被整合到Si邏輯電路中。砷化鎵的異質(zhì)結(jié)構(gòu)因為GaAs和AlAs的晶格常數(shù)幾乎是一樣的，所以可以利用分子束磊晶（molecular beam epitaxy, MBE）或有機金屬氣相磊晶（metal-organic vapour phase epitaxy，MOVPE，也稱做有機金屬化學氣相沉積法），在GaAs上輕易地形成異質(zhì)的結(jié)構(gòu)，如成長砷化鋁（AlAs）或砷化鋁鎵（AlxGa1-xAs）合金。且因為成長出來的層應力很小，所以幾乎可以成長任意的厚度。GaAs的另一個很重要的應用是高效率的太陽電池。1970年時，Zhores Alferov和他的團隊在蘇聯(lián)做出第一個GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的太陽電池。用GaAs、Ge和InGaP三種材料做成的三接面太陽電池，有32%以上的效率，且可以操作在2,000 suns下的光。這種太陽電池曾運用在探測火星表面的機器人：精神號漫游者 (spirit rover) 和機會號漫游者 (opportunity rover)。而且很多太陽電池都是用GaAs來做電池陣列的。利用Bridgeman技術可以制造出GaAs的單晶，因為GaAs的力學特性，所以用Czochralski法是很難運用在GaAs材料的。但，曾經(jīng)有人有Czochralski法做出超高純度的GaAs當做半絕緣體。安全GaAs的毒性至今仍沒有被很完整的研究。因為它含有As，經(jīng)研究指出，As是有毒的，As也是一種致癌物質(zhì)。但，因為GaAs的晶體很穩(wěn)定，所以如果身體吸收了少量的GaAs，其實是可以忽略的。當要做晶圓拋光制程（磨GaAs晶圓使表面微粒變?。r，表面的區(qū)域會和水起反應，釋放或分解出少許的As。就環(huán)境、健康和安全等方面來看GaAs（就像是三甲基鎵 trimethylgallium和As）時，及有機金屬前驅(qū)物的工業(yè)衛(wèi)生監(jiān)控研究，都最近指出以上的觀點。

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