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1，生產高分子光阻劑的主要原料是什么
2，tft lcd ps光阻是什么顏色
3，什么叫做光阻
4，電信光纖的光阻大可以用光纖放大器減小光阻嗎
5，為什么CF光阻是負性而array是正性
6，什么是LED光阻及其分類

1，生產高分子光阻劑的主要原料是什么

要看哪種光阻一般就酚醛樹脂、溶劑PGMEA、感光劑DNQ有硅烷、亞克力==

你好！酚醛樹脂我的回答你還滿意嗎~~

生產高分子光阻劑的主要原料是什么

2，tft lcd ps光阻是什么顏色

TFT LCD使用的PS光阻是CF玻璃上用到的，它沒有顏色，PS是個柱子，有主PS和輔PS之分，在TFT和CF玻璃之間作為支撐柱子用。

難道不是aoc？

tft lcd ps光阻是什么顏色

3，什么叫做光阻

光阻主要可分為正光阻及負光阻二種,正光阻就是被光照射的部份可以被顯影液去除掉,而未曝光的光阻則不會被顯影液去除(左邊)。而負光阻則相反,被光照射的部份不會被顯影液去除,而其余不被光所照射的區(qū)域將會被顯影液所去除(右邊)。

什么叫做光阻

4，電信光纖的光阻大可以用光纖放大器減小光阻嗎

到不了的。不要想了。你裝上以后，你的上級服務器給你開通的光纖口沒有那么大帶寬，會直接導致你上不了網的。

你好！用來放大光信號的，光信號在傳輸過程中也會有損耗，所有一些地方信號弱需要放大器僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

5，為什么CF光阻是負性而array是正性

(1)等向性蝕刻 (isotropic etching)大部份的濕蝕刻液均是等向性，換言之，對蝕刻接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好蝕刻掩膜的圖案，暴露出來的區(qū)域，便是往下腐蝕的所在；只要蝕刻配方具高選擇性，便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度.001 Torr 的環(huán)境下。偏「離子轟擊」效應者使用氬氣(argon);方向，足足比lt呵呵。二者之中孰者費時較長，整個蝕刻之快慢也卡在該者；HF：NH4F =1：6) 快的多！因此，腐蝕速率最慢的晶面，往往便是腐蝕后留下的特定面。這部份將在體型微細加工時再詳述。 2；substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系統，應該只對被加工薄膜有腐蝕作用；而干蝕刻采用的氣體，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質反應，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質 (如蝕刻掩膜，或化學活性極高。而偏「化學反應」效應者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經激發(fā)出來的電漿、干蝕刻干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導體工業(yè)所采用的技術。其利用電漿 (plasma) 來進行半導體薄膜材料的蝕刻加工，當其被蝕出某深度時，才有可能被激發(fā)出來，必須向該化學專業(yè)的同儕請教，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象 (undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕蝕刻技術因之而無法應用在類似「次微米」線寬的精密制程技術！(2)非等向性蝕刻 (anisotropic etching) 先前題到之濕蝕刻「選擇性」觀念，是以不同材料之受蝕快慢程度來說明，能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高蝕刻率兩種優(yōu)點，換言之，本技術中所謂「活性離子蝕刻」(reactive ion etch。干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學反應」(chemical reaction) 兩部份蝕刻機制，我以前在半導體做了兩年??！懂一點點吧！以前我在的是蝕刻區(qū)！半導體制蝕刻(Etching)(三)蝕刻(Etching) 蝕刻的機制，按發(fā)生順序可概分為「反應物接近表面」，發(fā)表了許多有關堿性或有機溶液腐蝕單晶硅的文章，其特點是不同的硅晶面腐蝕速率相差極大，均能達成蝕刻的目的，蝕刻掩膜圖案邊緣的部位漸與蝕刻液接觸，故蝕刻液也開始對蝕刻掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，包含反應物接近，故有所謂「reaction limited」與「diffusion limited」兩類蝕刻之分。1、濕蝕刻最普遍、也是設備成本最低的蝕刻方法，其設備如圖2-10所示。其影響被蝕刻物之蝕刻速率 (etching rate) 的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 (stirring) 之有無，或轟擊質量頗巨。舉例來說，以49%的HF蝕刻SiO2，當然比BOE (Buffered-Oxide- Etch。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率、「生成物離開表面」等過程。所以整個蝕刻;方向的腐蝕速率小一到兩個數量級，意指進行蝕刻時。其中電漿必須在真空度約10至0;100;或是110；但濃度之影響則較不明確、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部份。整個蝕刻的時間，等于是擴散與化學反應兩部份所費時間的總和；etching mask，或承載被加工薄膜之基板，尤其是111；但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢！濕蝕刻的配方選用是一項化學的專業(yè)，對于一般不是這方面的研究人員。干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕，而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity)、「表面氧化」、「表面反應」，不必另行成長阻絕遮幕之半導體材料。而其最重要的優(yōu)點。然而自1970年代起，在諸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，加工出來之邊緣側向侵蝕現象極微；RIE) 已足敷「次微米」線寬制程技術的要求，而正被大量使用中

你說呢...

6，什么是LED光阻及其分類

LED（Light Emitting Diode），發(fā)光二極管，簡稱LED,，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態(tài)的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。它是一種通過控制半導體發(fā)光二極管的顯示方式，用來顯示文字、圖形、圖像、動畫、行情、、錄像信號等各種信息的顯示屏幕。由于具有容易控制、低壓直流驅動、組合后色彩表現豐富、使用壽命長等優(yōu)點，廣泛應用于城市各工程中、大屏幕顯示系統。LED可以作為顯示屏，在計算機控制下，顯示色彩變化萬千的和圖片。 LED是一種能夠將電能轉化為可見光的半導體。LED外延片工藝流程：近十幾年來，為了開發(fā)藍色高亮度發(fā)光二極管，世界各地相關研究的人員無不全力投入。而商業(yè)化的產品如藍光及綠光發(fā)光二級管LED及激光二級管LD的應用無不說明了III－V族元素所蘊藏的潛能。在目前商品化LED之材料及其外延技術中，紅色及綠色發(fā)光二極管之外延技術大多為液相外延成長法為主，而黃色、橙色發(fā)光二極管目前仍以氣相外延成長法成長磷砷化鎵GaAsP材料為主。一般來說，GaN的成長須要很高的溫度來打斷NH3之N-H的鍵解，另外一方面由動力學仿真也得知NH3和MO Gas會進行反應產生沒有揮發(fā)性的副產物。LED外延片工藝流程如下：襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發(fā)光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片外延片- 設計、加工掩模版 - 光刻 - 離子刻蝕 - N型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片 - 芯片分檢、分級具體介紹如下：固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣。退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣。分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產生廢磨片劑。清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除硅片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質和金屬離子。具體工藝流程如下：SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。 HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗后的硅片的質量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。腐蝕A/B：經切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度硅片。產生精拋廢液。檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。芯片到制作成小芯片之前，是一張比較大的外延片，所以芯片制作工藝有切割這快，就是把外延片切割成小芯片。它應該是LED制作過程中的一個環(huán)節(jié)LED晶片的作用：LED晶片為LED的主要原材料，LED主要依靠晶片來發(fā)光。LED晶片的組成：主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。LED晶片的分類1、按發(fā)光亮度分：A、一般亮度：R、H、G、Y、E等B、高亮度：VG、VY、SR等C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等D、不可見光(紅外線)：R、SIR、VIR、HIRE、紅外線接收管：PTF、光電管：PD2、按組成元素分：A、二元晶片(磷、鎵)：H、G等B、三元晶片（磷、鎵、砷）：SR、HR、UR等C、四元晶片(磷、鋁、鎵、銦)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UGLED晶片特性表：LED晶片型號發(fā)光顏色組成元素波長（nm）晶片型號發(fā)光顏色組成元素波長（nm）SBI藍色lnGaN/sic 430 HY超亮黃色AlGalnP 595SBK較亮藍色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610DBK較亮藍色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620SGL青綠色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620DGL較亮青綠色LnGaN/GaN 505 URF最亮紅色AlGalnP 630DGM較亮青綠色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635PG純綠GaP 555 R紅色GAaAsP 655SG標準綠GaP 560 SR較亮紅色GaA/AS 660G綠色GaP 565 HR超亮紅色GaAlAs 660VG較亮綠色GaP 565 UR最亮紅色GaAlAs 660UG最亮綠色AIGalnP 574 H高紅GaP 697Y黃色GaAsP/GaP585 HIR紅外線GaAlAs 850VY較亮黃色GaAsP/GaP 585 SIR紅外線GaAlAs 880UYS最亮黃色AlGalnP 587 VIR紅外線GaAlAs 940UY最亮黃色AlGalnP 595 IR紅外線GaAs 940其它：1、LED晶片廠商名稱：A、光磊（ED） B、國聯（FPD）C、鼎元（TK）D、華上（AOC）E、漢光（HL） F、AXT G、廣稼。2、LED晶片在生產使用過程中需注意靜電防護。LED顯示屏分為圖文顯示屏和顯示屏，均由LED矩陣塊組成。圖文顯示屏可與計算機同步顯示漢字、英文文本和圖形；顯示屏采用微型計算機進行控制，圖文、圖像并茂，以實時、同步、清晰的信息傳播方式播放各種信息，還可顯示二維、三維動畫、錄像、電視、VCD節(jié)目以及現場實況。LED顯示屏顯示畫面色彩鮮艷，立體感強，靜如油畫，動如電影，廣泛應用于車站、碼頭、機場、商場、、賓館、銀行、證券市場、建筑市場、拍賣行、工業(yè)管理和其它公共場所。[編輯本段]LED特點LED的內在特征決定了它是最理想的光源去代替?zhèn)鹘y的光源，它有著廣泛的用途。體積小LED基本上是一塊很小的晶片被封裝在環(huán)氧樹脂里面，所以它非常的小，非常的輕。耗電量低LED耗電非常低，一般來說LED的工作電壓是2-3.6V。工作電流是0.02-0.03A。這就是說：它消耗的電不超過0.1W。使用壽命長在恰當的電流和電壓下，LED的使用壽命可達10萬小時。高亮度、低熱量比HID或白熾燈更少的熱輻射。環(huán)保LED是由無毒的材料作成，不像熒光燈含水銀會造成污染，同時LED也可以回收再利用。紅光LED含有大量的As（砷），劇毒堅固耐用LED是被完全的封裝在環(huán)氧樹脂里面，它比燈泡和熒光燈管都堅固。燈體內也沒有松動的部分，這些特點使得LED可以說是不易損壞的。可控性強可以實現各種顏色的變化。led光源的特點1、電壓： led使用低壓電源，供電電壓在6-24v之間，根據產品不同而異，所以它是一個比使用高壓電源更安全的電源，特別適用于公共場所。2、效能：消耗能量較同光效的白熾燈減少 80% 3、適用性：很小，每個單元 led小片是3-5mm的正方形，所以可以制備成各種形狀的器件，并且適合于易變的環(huán)境 4、穩(wěn)定性： 10萬小時，光衰為初始的50% 5、響應時間：其白熾燈的響應時間為毫秒級， led燈的響應時間為納秒級 6、對環(huán)境污染：無有害金屬汞 7、顏色：改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過化學修飾方法，調整材料的能帶結構和帶隙，實現紅黃綠蘭橙多色發(fā)光。如小電流時為紅色的 led，隨著電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬?，黃色，最后為綠色 8、價格：led的價格比較昂貴，較之于白熾燈，幾只led的價格就可以與一只白熾燈的價格相當，而通常每組信號燈需由上300～500只二極管構成[編輯本段]LED分類1、按發(fā)光管發(fā)光顏色分按發(fā)光管發(fā)光顏色分，可分成紅色、橙色、綠色（又細分黃綠、標準綠和純綠）、藍光等。另外，有的發(fā)光二極管中包含二種或三種顏色的芯片。根據發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色，上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型。散射型發(fā)光二極管和達于做指示燈用。2、按發(fā)光管出光面特征分按發(fā)光管出光面特征分圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側向管、表面安裝用微型管等。圓形燈按直徑分為φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。國外通常把φ3mm的發(fā)光二極管記作T-1；把φ5mm的記作T-1（3/4）；把φ4.4mm的記作T-1（1/4）。由半值角大小可以估計圓形發(fā)光強度角分布情況。從發(fā)光強度角分布圖來分有三類：（1）高指向性。一般為尖頭環(huán)氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯用以組成自動檢測系統。（2）標準型。通常作指示燈用，其半值角為20°～45°。（3）散射型。這是視角較大的指示燈，半值角為45°～90°或更大，散射劑的量較大。3、按發(fā)光二極管的結構分按發(fā)光二極管的結構分有全環(huán)氧包封、金屬底座環(huán)氧封裝、陶瓷底座環(huán)氧封裝及玻璃封裝等結構。4、按發(fā)光強度和工作電流分按發(fā)光強度和工作電流分有普通亮度的LED（發(fā)光強度100mcd）；把發(fā)光強度在10～100mcd間的叫高亮度發(fā)光二極管。一般LED的工作電流在十幾mA至幾十mA，而低電流LED的工作電流在2mA以下（亮度與普通發(fā)光管相同）。除上述分類方法外，還有按芯片材料分類及按功能分類的方法。

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光阻，生產高分子光阻劑的主要原料是什么

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1，生產高分子光阻劑的主要原料是什么

2，tft lcd ps光阻是什么顏色

3，什么叫做光阻

4，電信光纖的光阻大可以用光纖放大器減小光阻嗎

5，為什么CF光阻是負性而array是正性

6，什么是LED光阻及其分類

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光阻，生產高分子光阻劑的主要原料是什么

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3，什么叫做光阻

4，電信光纖的光阻大可以用光纖放大器減小光阻嗎

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