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肖特基勢壘，肖特基勢壘高度為什么會低于PN結(jié)勢壘高度

來源：整理時間：2023-08-28 07:18:35 編輯：智能門戶手機版

本文目錄一覽

1，肖特基勢壘高度為什么會低于PN結(jié)勢壘高度
2，什么是肖脫基效應(yīng)
3，什么是肖特基勢壘
4，肖特基勢壘的優(yōu)點
5，肖特基箝位是什么
6，肖特基勢壘二極管和普通二極管有什么區(qū)別

1，肖特基勢壘高度為什么會低于PN結(jié)勢壘高度

肖特基二極管是以金屬為正極，N型半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘，從而具有整流特性的金屬-半導體器件。因此它不是P-N結(jié)，而是金屬-N結(jié)。由于金屬導體內(nèi)部有大量的導電電子，使得金屬的費米能級低于半導體的費米能級，所以當金屬與半導體接觸時，形成的勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，勢壘高度低的外在表現(xiàn)為正向?qū)▔航敌?，因而損耗小。

肖特基勢壘高度為什么會低于PN結(jié)勢壘高度

2，什么是肖脫基效應(yīng)

肖特基效應(yīng)可能指華特·肖特基的一些不同方面的貢獻：熱電子輻射（Thermionic emission，又稱熱離子輻射）中的肖特基輻射（Schottky emission）效應(yīng) .肖特基效應(yīng)：電子從物質(zhì)內(nèi)部（被原子核束縛的狀態(tài)）逃離到表面所需的能量稱為脫出功。兩種物質(zhì)的脫出功不同，那么電子就不能從脫出功大的物質(zhì)自由地跑到脫出功小的物質(zhì)。所需外加能量為兩個脫出功之差，也稱為肖特基勢壘。

什么是肖脫基效應(yīng)

3，什么是肖特基勢壘

金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域.金屬-半導體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級.由半導體到金屬,電子需要克服勢壘;而由金屬向半導體,電子受勢壘阻擋.在加正向偏置時半導體一側(cè)的勢壘下降;相反,在加反向偏置時,半導體一側(cè)勢壘增高.使得金屬-半導體接觸具有整流作用(但不是一切金屬-半導體接觸均如此.如果對于P型半導體,金屬的功函數(shù)大于半導體的功函數(shù),對于N型半導體,金屬的功函數(shù)小于半導體的功函數(shù),以及半導體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級時會出現(xiàn)歐姆接觸,它會因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng),以致勢壘不起整流作用).當半導體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致.

什么是肖特基勢壘

4，肖特基勢壘的優(yōu)點

由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應(yīng)用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設(shè)計中，它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來保護電路上的其它器件。然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導體器件來說能被應(yīng)用的領(lǐng)域并不廣。

肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體結(jié)，適合用于二極管。肖特基勢壘與pn結(jié)最大的區(qū)別是其典型的低結(jié)電壓，減小金屬的(幾乎不存在)耗盡區(qū)寬度。但并不是所有的有整流特性的金屬-半導體結(jié)都是肖特基勢壘. 金屬-半導體結(jié)沒有整流特性的叫做歐姆接觸.。整流屬性取決于金屬的功函、固有半導體的帶隙，以及類型和半導體的摻雜濃度。

5，肖特基箝位是什么

肖特基箝位晶體管，Schottky-clamped transistor （SCT）：SCT是在n-p-n晶體管的基極與集電極之間加接有一個SBD（Schottky 勢壘二極管）的BJT。其優(yōu)點就是使得當BJT進入飽和狀態(tài)時，其集電結(jié)電壓Vbc被箝位在SBD的導通電壓（≈0.45V）上，從而避免了BJT進入深飽和狀態(tài)，減小了超量少子存儲電荷，則可減短BJT開關(guān)過程中的存儲時間（可縮短1個數(shù)量級），導致集成電路中的信號傳輸延遲時間大大減短（延遲時間可降低到2~4ns，延遲時間與功耗的乘積大約可降低一半），結(jié)果可提高集成電路的工作速度。SCT是制作高速數(shù)字集成電路的基本器件。

特基效應(yīng)：電子從物質(zhì)內(nèi)部（被原子核束縛的狀態(tài)）逃離到表面所需的能量稱為脫出功。兩種物質(zhì)的脫出功不同，那么電子就不能從脫出功大的物質(zhì)自由地跑到脫出功小的物質(zhì)。所需外加能量為兩個脫出功之差，也稱為肖特基勢壘。

6，肖特基勢壘二極管和普通二極管有什么區(qū)別

　　肖特基勢壘二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒）；正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基（Schottky）二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流較大。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管（比如開關(guān)電源次極整流二極管），續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。http://baike.soso.com/v55469.htm?pid=baike.box二極管(diode);它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質(zhì)。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。http://baike.baidu.com/view/1016.htm

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