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1n4007，1n4007是什么

來源：整理時(shí)間：2023-08-19 13:56:26 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，1n4007是什么
2，請(qǐng)問二極管1N4007的參數(shù)
3，普通硅整流二極管1N4007什么電器上有
4，二極管1N4007各字母數(shù)字代表什么意思
5，1n4007二極管是什么二極管
6，晶體管1N4007可以代替1N5819嗎

1，1n4007是什么

整流二極管

1n4007是什么

2，請(qǐng)問二極管1N4007的參數(shù)

電流參數(shù)：IO=1A/IFSM=30A/IR=10μA 電壓參數(shù)：URRM=URWM=UR=1000V/URSM=1200V/UF=1.1V/UR(RMS)=700V 功率：PD=3W 備注：整流二極管

請(qǐng)問二極管1N4007的參數(shù)

3，普通硅整流二極管1N4007什么電器上有

二極管1N4007是1A/1000V的硅二極管，應(yīng)用廣泛，常見的電器如節(jié)能燈、充電器和很多小電器中均有應(yīng)用。

所有節(jié)能燈上面至少具有4個(gè)1n4007。一般低頻器件的整流器都是可以應(yīng)用，比方電子琴的穩(wěn)壓電源。

普通硅整流二極管1N4007什么電器上有

4，二極管1N4007各字母數(shù)字代表什么意思

型號(hào)中的“1”，表示其是具有一個(gè)PN結(jié)的半導(dǎo)體器件（即二極管）；字母“N”為美國(guó)EIA（電子工業(yè)協(xié)會(huì)）注冊(cè)登記標(biāo)志，帶有該字母的二極管，表明其已在美國(guó)EIA注冊(cè)登記；“4007”為該器件在美國(guó)EIA的登記號(hào)。擴(kuò)展資料：1N4007基本參數(shù)：較強(qiáng)的正向浪涌承受能力：30A最大正向平均整流電流：1.0A極限參數(shù)為VRM≥50V最高反向耐壓：1000V最大反向漏電流：5uA正向壓降：1.0V最大反向峰值電流：30uA典型熱阻：65℃/W典型結(jié)電容：15pF工作溫度：－50℃～+150℃參考資料來源：《世界最新晶體管代換手冊(cè)》.P6

因?yàn)槎O管是一個(gè)PN結(jié)組成所以開頭是1N也就是一個(gè)PN結(jié)，1N開頭的都是二極管，2N開頭的就是三極管，我們可以把兩個(gè)PN結(jié)接在一起就可以構(gòu)成一個(gè)三極管。1N就說明管子是一個(gè)PN結(jié)組成，4007就是管子的型號(hào)。　　1N4007 是封裝形式為 DO-15 的塑料封裝型通用硅材料整流二極管。廣泛應(yīng)用于各種交流變直流的整流電路中?！　?N4007利用二極管單向?qū)щ娦裕梢园逊较蚪惶孀兓慕涣麟娮儞Q成單一方向的脈沖直流電。

5，1n4007二極管是什么二極管

1N4007是低頻整流二極管，額定電流1A ，耐壓700V 。二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。

1N4007是低頻整流二極管，額定電流1A ，耐壓700V 。用作摩托車電路開關(guān)，耐壓沒有問題，電流也許不夠。可以考慮用1N5407，額定電流3A。 1.5KE250A 最大整流電流：20 A

朋友，這是普通整流二極管啊，用作摩托車上面的開關(guān)是不可以的，除非你利用它做限流反向截止之類的倒是可以的。

6，晶體管1N4007可以代替1N5819嗎

一般是不可以的。它們的參數(shù)相差挺大的。1N4007主要特性：特征：低的反向漏電流、普通塑封整流二極管、較強(qiáng)的正向浪涌承受能力、高溫焊接保證、250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引線長(zhǎng)度、250℃/10 seconds。較強(qiáng)的正向浪涌承受能力：30A最大正向平均整流電流：1.0A極限參數(shù)為VRM≥50V最高反向耐壓：1000V最大反向漏電流：5uA正向壓降：1.0V最大反向峰值電流：30uA典型熱阻：65℃/W典型結(jié)電容：15pF工作溫度：－50℃～+150℃1N5819是肖特基二極管，它的反向耐壓40V，額定正向電流1A，可以用指標(biāo)高于它的肖特基二極管如1N5822（40V/3A）、MBR150（50V/1A）、MBR160（60V/1A）等來代替。1N5819的反向恢復(fù)時(shí)間極短，適合高頻電路工作。二極管類型:肖特基二極管外徑:2.7mm正向壓降:0.2V正向平均可持續(xù)電流:1A峰值電流:25A

不過電流才50mA,1N5819二極管的另一個(gè)用途是穩(wěn)壓--利用反向特性.所以,耐壓底,而電流又不大的時(shí)候,可以考慮用穩(wěn)壓管代替.

1979年，mos柵功率開關(guān)器件作為igbt概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)（p-n-p-n四層組成），其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了v形槽柵。 80年代初期，用于功率mosfet制造技術(shù)的dmos（雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到igbt中來。[2]在那個(gè)時(shí)候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的npt（非穿通）型設(shè)計(jì)。后來，通過采用pt（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)顯著改進(jìn)，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的[3]。幾年當(dāng)中，這種在采用pt設(shè)計(jì)的外延片上制備的dmos平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。 90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的igbt，它是采用從大規(guī)模集成（lsi）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（pt）型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通（npt）結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通（lpt）結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)（soa）得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。這次從穿通（pt）型技術(shù)先進(jìn)到非穿通（npt）型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（pt）技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面，非穿通（npt）技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通（npt）技術(shù)又被軟穿通（lpt）技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”（spt）或“電場(chǎng)截止”（fs）型技術(shù)，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進(jìn)一步改善。