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單結(jié)，什么是單結(jié)晶體管它有什么特殊性能呢

來源：整理時間：2023-08-24 09:11:18 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，什么是單結(jié)晶體管它有什么特殊性能呢
2，單結(jié)晶體管有什么作用是怎樣工作的
3，什么是單結(jié)晶體管為什么他可以用于單向晶閘管的觸發(fā)電路
4，單結(jié)晶體管有哪些特點(diǎn)
5，什么叫單結(jié)晶體管又稱基極二極管
6，什么是單結(jié)晶體管有什么特性詳解41 42

1，什么是單結(jié)晶體管它有什么特殊性能呢

單結(jié)晶體管現(xiàn)在用的很少了，20年前可是個好東西，主要用于：可控硅觸發(fā)，和產(chǎn)生震蕩信號。

什么是單結(jié)晶體管它有什么特殊性能呢

2，單結(jié)晶體管有什么作用是怎樣工作的

二極管就是最常用的單結(jié)型晶體管，沒有二極管，你想吧，首先，交流電無法變成直流電，需要單向?qū)щ姷牡胤蕉紝?shí)現(xiàn)不了。不能提供穩(wěn)定的電壓基準(zhǔn)，不能檢波。。。。。。

單結(jié)晶體管有什么作用是怎樣工作的

3，什么是單結(jié)晶體管為什么他可以用于單向晶閘管的觸發(fā)電路

單結(jié)晶體管也叫做雙基極二極管，兩個基極一個連接電源一個接地通過電阻具有一定分壓比當(dāng)電容充電到一定程度通過發(fā)射結(jié)放電形成觸發(fā)可控硅的電壓。

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什么是單結(jié)晶體管為什么他可以用于單向晶閘管的觸發(fā)電路

4，單結(jié)晶體管有哪些特點(diǎn)

1、當(dāng)發(fā)射極電壓等于峰點(diǎn)電壓UP時，單結(jié)晶體管導(dǎo)通。導(dǎo)通之后，當(dāng)發(fā)射極電壓小于谷點(diǎn)電壓UV時，單結(jié)晶體管就恢復(fù)截止?！　?、單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP與外加固定電壓UBB及其分壓比有關(guān)。而分壓比是由管子結(jié)構(gòu)決定的，可以看做常數(shù)。對于分壓比不同的管子，或者外加電壓UBB的數(shù)值不同時，峰值電壓UP也就不同。　　3、不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓UV和谷點(diǎn)電流IV都不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在2~5V之間。在觸發(fā)電路中，常選用稍大一些、UV低一些和IV大一些的單結(jié)管，以增大輸出脈沖幅度和移相范圍。立創(chuàng)商城提供

單結(jié)晶體管記得叫做雙基極晶體管，兩個基極間具有一定阻值，當(dāng)發(fā)射結(jié)電壓高到預(yù)設(shè)分壓比就會向第一基極放電作為輸出脈沖。這個晶體管通常作為可控硅的觸發(fā)脈沖的產(chǎn)生電路。具體使用方法需要查閱比較早期的晶體管手冊。用它所連接的振蕩器可以作為各種尖脈沖發(fā)生器。

5，什么叫單結(jié)晶體管又稱基極二極管

它只有一個PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個基極的三端半導(dǎo)體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導(dǎo)體作為基區(qū),兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區(qū)中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴(kuò)散法重?fù)诫s制成 PN結(jié)作為發(fā)射極。當(dāng)基極B1和B2之間加上電壓時，電流從B2流向B1,并在結(jié)處基區(qū)對B1的電勢形成反偏狀態(tài)。如果將一個信號加在發(fā)射極上，且此信號超過原反偏電勢時，器件呈導(dǎo)電狀態(tài)。一旦正偏狀態(tài)出現(xiàn)，便有大量空穴注入基區(qū)，使發(fā)射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，并保持導(dǎo)通狀態(tài)，改變兩個基極間的偏置或改變發(fā)射極信號才能使器件恢復(fù)原始狀態(tài)。因此，這種器件顯示出典型的負(fù)阻特性,特別適用于開關(guān)系統(tǒng)中的弛張振蕩器，可用于定時電路、控制電路和讀出電路。

單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，他的主要特點(diǎn)就是具有負(fù)阻特性，所以我認(rèn)為應(yīng)該是正確的。

6，什么是單結(jié)晶體管有什么特性詳解41 42

單結(jié)晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個PN結(jié)和兩個電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號和等效電路如圖所示。單結(jié)晶體管的特性：從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻： rbb=rb1+rb2 式中：rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值與ie無關(guān)；發(fā)射結(jié)是PN結(jié)，與二極管等效。若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb，則A點(diǎn)電壓為： VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb 式中：η----稱為分壓比，其值一般在0.3---0.85之間，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測得單結(jié)晶體管的伏安特性，見圖2（1）當(dāng)Ve＜η Vbb時，發(fā)射結(jié)處于反向偏置，管子截止，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。（2）當(dāng)Ve≥η Vbb+VD VD為二極管正向壓降（約為0.7伏），PN結(jié)正向?qū)?，Ie顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負(fù)阻特性。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱為峰點(diǎn)，與其對就的發(fā)射極電壓和電流，分別稱為峰點(diǎn)電壓Vp和峰點(diǎn)電流Ip和峰點(diǎn)電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb （3）隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點(diǎn)后，Ve不在降了，這點(diǎn)V稱為谷點(diǎn)，與其對應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點(diǎn)電壓，Vv和谷點(diǎn)電流Iv。（4）過了V點(diǎn)后，發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài)，所以uc繼續(xù)增加時，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve＜Vv，管子重新截止。

單結(jié)晶體管有一個負(fù)阻特性區(qū)，由它組成的觸發(fā)電路具有脈沖前沿陡，可以移相等特性。

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