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時(shí)鐘周期，什么是時(shí)鐘周期

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-09-05 09:57:58 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，什么是時(shí)鐘周期

時(shí)鐘周期表示了內(nèi)存所能運(yùn)行的最高頻率。更小的時(shí)鐘周期就意味著更高的工作頻率，這個(gè)周期是可以通過(guò)超頻內(nèi)存得到優(yōu)化的

什么是時(shí)鐘周期

2，計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)時(shí)鐘周期什么意思

時(shí)鐘周期是計(jì)算機(jī)中最基本的、最小的時(shí)間單位。CPU完成一個(gè)最基本的動(dòng)作，為一個(gè)時(shí)鐘周期。
cpu最小時(shí)間的量

計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)時(shí)鐘周期什么意思

3，什么是系統(tǒng)時(shí)鐘周期

計(jì)算機(jī)最基本的時(shí)間單元是時(shí)鐘周期，例如取指令、執(zhí)行指令、存取內(nèi)存等。時(shí)間系統(tǒng)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)非常重要的組成部分，特別是對(duì)于Unix類分時(shí)系統(tǒng)尤為重要。時(shí)間系統(tǒng)主要任務(wù)是維持系統(tǒng)時(shí)間并且防止某個(gè)進(jìn)程獨(dú)占CPU及其他資源，也就是驅(qū)動(dòng)進(jìn)程的調(diào)度。
TCK（TCLK）為時(shí)鐘周期，它代表SDRAM所能運(yùn)行的最大頻率。數(shù)字越小說(shuō)明SDRAM芯片所能運(yùn)行的頻率就越高。對(duì)于一片普通的PC 100 SDRAM來(lái)說(shuō)，它芯片上的標(biāo)識(shí)“-10”代表了它的運(yùn)行時(shí)鐘周期為10ns，即可以在100MHz的外

什么是系統(tǒng)時(shí)鐘周期

4，什么是指令周期機(jī)器周期和時(shí)鐘周期如何計(jì)算機(jī)器周期的確切時(shí)間

總線周期程序存儲(chǔ)器中讀取指令，對(duì)存儲(chǔ)器存取數(shù)據(jù)，對(duì)外設(shè)端口讀寫數(shù)據(jù)等，都須執(zhí)行總線周期。 總線周期通常包含4個(gè)T狀態(tài)：T1，T2，T3,T4。所謂一個(gè)T狀態(tài)就是一個(gè)時(shí)鐘周期。它是CPU執(zhí)行操作的最小時(shí)間單位。 所謂指令周期就是指執(zhí)行一條指令的時(shí)間。 時(shí)鐘周期是一個(gè)時(shí)間的量,一般規(guī)定10納秒(ns)為一個(gè)時(shí)鐘周期。 總線周期 所謂一個(gè)T狀態(tài)就是一個(gè)時(shí)鐘周期。它是CPU執(zhí)行操作的最小時(shí)間單位。 通常包含4個(gè)T狀態(tài)：T1，T2，T3,T4。 時(shí)鐘周期 是一個(gè)時(shí)間的量,一般規(guī)定10納秒(ns)為一個(gè)時(shí)鐘周期。 指令周期 指執(zhí)行一條指令的時(shí)間。希望這些對(duì)你有幫助！

5，什么叫時(shí)鐘周期

時(shí)鐘周期是一個(gè)時(shí)間的量，人們規(guī)定10納秒（ns）為一個(gè)時(shí)鐘周期。時(shí)鐘周期表示了SDRAM所能運(yùn)行的最高頻率。更小的時(shí)鐘周期就意味著更高的工作頻率。對(duì)于PC100規(guī)格的內(nèi)存來(lái)說(shuō)，它的運(yùn)行時(shí)鐘周期應(yīng)該不高于10納秒。納秒與工作頻率之間的轉(zhuǎn)換關(guān)系為：1000 / 時(shí)鐘周期 = 工作頻率。例如，標(biāo)稱10納秒的PC100內(nèi)存芯片，其工作頻率的表達(dá)式就應(yīng)該是1000 / 100 = 100MHZ，這說(shuō)明此內(nèi)存芯片的額定工作頻率為100MHZ。目前市場(chǎng)上一些質(zhì)量?jī)?yōu)秀的內(nèi)存通?？梢怨ぷ髟诒阮~定頻率高的頻率下，這為一些喜歡超頻的朋友帶來(lái)了極大的方便。例如KingMAX的PC100內(nèi)存，此類內(nèi)存多采用8納秒的芯片，相對(duì)于其100MHZ的頻率來(lái)說(shuō)，頻率提高的余地還很大，許多用戶都可以讓它們工作在133MHZ甚至更高的頻率下。能不能超頻使用很大程度上反應(yīng)了內(nèi)存芯片以及PCB板的質(zhì)量。不過(guò)，僅僅憑借時(shí)鐘周期來(lái)判斷內(nèi)存的速度還是不夠的，內(nèi)存CAS的存取時(shí)間和延遲時(shí)間也在一定程度上決定了內(nèi)存的性能。

6，時(shí)鐘周期指令周期機(jī)器周期總線周期都是什么東東

時(shí)鐘周期：也稱為振蕩周期，定義為時(shí)鐘脈沖的倒數(shù)(時(shí)鐘周期就是單片機(jī)外接晶振的倒數(shù)，例如12M的晶振，它的時(shí)鐘周期就是1/12us)，是計(jì)算機(jī)中的最基本的、最小的時(shí)間單位。在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，CPU僅完成一個(gè)最基本的動(dòng)作。時(shí)鐘脈沖是計(jì)算機(jī)的基本工作脈沖，控制著計(jì)算機(jī)的工作節(jié)奏。時(shí)鐘頻率越高，工作速度就越快。指令周期：執(zhí)行一條指令所需要的時(shí)間，一般由若干個(gè)機(jī)器周期組成。指令不同，所需的機(jī)器周期也不同。機(jī)器周期：計(jì)算機(jī)中，常把一條指令的執(zhí)行過(guò)程劃分為若干個(gè)階段，每一個(gè)階段完成一項(xiàng)工作。每一項(xiàng)工作稱為一個(gè)基本操作，完成一個(gè)基本操作所需要的時(shí)間稱為機(jī)器周期?？偩€周期：微處理器是在時(shí)鐘信號(hào)CLK控制下按節(jié)拍工作的。8086/8088系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率為4.77MHz，每個(gè)時(shí)鐘周期約為200ns。由于存貯器和I/O端口是掛接在總線上的，CPU對(duì)存貯器和I/O接口的訪問(wèn)，是通過(guò)總線實(shí)現(xiàn)的。通常把CPU通過(guò)總線對(duì)微處理器外部(存貯器或 I/O接口)進(jìn)行一次訪問(wèn)所需時(shí)間稱為一個(gè)總線周期。一個(gè)總線周期一般包含4個(gè)時(shí)鐘周期，這4個(gè)時(shí)鐘周期分別稱4個(gè)狀態(tài)即T1狀態(tài)、T2狀態(tài)、T3狀態(tài)和 T4狀態(tài)http://www.21ic.com/jichuzhishi/mcu/questions/2014-11-05/606176.html
cpu從內(nèi)存取出一條指令并執(zhí)行這條指令的時(shí)間總和是指令周期~！ 總線周期是 1.微處理器是在時(shí)鐘信號(hào)clk控制下按節(jié)拍工作的。8086/8088系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率為4.77mhz，每個(gè)時(shí)鐘周期約為200ns。 2.由于存貯器和i/o端口是掛接在總線上的，cpu對(duì)存貯器和i/o接口的訪問(wèn)，是通過(guò)總線實(shí)現(xiàn)的。通常把cpu通過(guò)總線對(duì)微處理器外部（存貯器或 i/o接口）進(jìn)行一次訪問(wèn)所需時(shí)間稱為一個(gè)總線周期。一個(gè)總線周期一般包含4個(gè)時(shí)鐘周期，這4個(gè)時(shí)鐘周期分別稱4個(gè)狀態(tài)即t1狀態(tài)、t2狀態(tài)、t3狀態(tài)和 t4狀態(tài)。時(shí)鐘周期時(shí)鐘周期是一個(gè)時(shí)間的量，人們規(guī)定10納秒（ns）為一個(gè)時(shí)鐘周期。時(shí)鐘周期表示了sdram所能運(yùn)行的最高頻率。更小的時(shí)鐘周期就意味著更高的工作頻率。對(duì)于pc100規(guī)格的內(nèi)存來(lái)說(shuō)，它的運(yùn)行時(shí)鐘周期應(yīng)該不高于10納秒。納秒與工作頻率之間的轉(zhuǎn)換關(guān)系為：1000 / 時(shí)鐘周期 = 工作頻率。例如，標(biāo)稱10納秒的pc100內(nèi)存芯片，其工作頻率的表達(dá)式就應(yīng)該是1000 / 100 = 100mhz，這說(shuō)明此內(nèi)存芯片的額定工作頻率為100mhz。目前市場(chǎng)上一些質(zhì)量?jī)?yōu)秀的內(nèi)存通?？梢怨ぷ髟诒阮~定頻率高的頻率下，這為一些喜歡超頻的朋友帶來(lái)了極大的方便。例如kingmax的pc100內(nèi)存，此類內(nèi)存多采用8納秒的芯片，相對(duì)于其100mhz的頻率來(lái)說(shuō)，頻率提高的余地還很大，許多用戶都可以讓它們工作在133mhz甚至更高的頻率下。能不能超頻使用很大程度上反應(yīng)了內(nèi)存芯片以及pcb板的質(zhì)量。不過(guò)，僅僅憑借時(shí)鐘周期來(lái)判斷內(nèi)存的速度還是不夠的，內(nèi)存cas的存取時(shí)間和延遲時(shí)間也在一定程度上決定了內(nèi)存的性能。
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