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漏極,漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極

來(lái)源:整理 時(shí)間:2023-08-29 00:28:08 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極

場(chǎng)效應(yīng)管的漏極,相當(dāng)于晶體三極管的集電極。源極相當(dāng)于發(fā)射劑。柵極相當(dāng)于基極。
柵極相當(dāng)于三極管的基極,再看看別人怎么說(shuō)的。

漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極

2,什么是漏極開路

漏極開路(Open Drain)即高阻狀態(tài),適用于輸入/輸出,其可獨(dú)立輸入/輸出低電平和高阻狀態(tài),若需要產(chǎn)生高電平,則需使用外部上拉電阻或使用如LCX245等電平轉(zhuǎn)換芯片。

什么是漏極開路

3,源極 柵極 漏極是什么

場(chǎng)效晶體管:Field Effect Transistor 源極:Source 漏極:Drain 柵極:Gate
源極:Source 漏極:Drain 柵極:Gate
你說(shuō)的是場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)級(jí)別嗎

源極 柵極 漏極是什么

4,芯片的引腳設(shè)置漏極開路功能的作用是什么

漏極開路,主要用于不同電平之間的轉(zhuǎn)換,例如如何讓3.3VCPU輸出5V電平呢?,就需要將引腳設(shè)為開漏模式,然后引腳接上拉電阻到5V,這時(shí)高電平輸出就是5V,輸出能力由上拉電阻確定,低電平輸出能力由CPU引腳灌電流決定。
一定不是推挽輸出,內(nèi)部是漏極開路方式。選通了模擬輸入的話,模擬輸入的輸入阻抗一般很大(理想是無(wú)窮大),這樣才能檢測(cè)模擬信號(hào)。
這個(gè)腳是輸出信號(hào)用的,芯片的另外腳檢測(cè)無(wú)信號(hào)時(shí)輸出引腳高阻抗,不導(dǎo)通,芯片檢測(cè)有信號(hào)時(shí)輸出腳低阻抗,導(dǎo)通。

5,場(chǎng)效應(yīng)管什么叫漏極開路輸出

漏極開路是驅(qū)動(dòng)電路的輸出MOS管的漏極開路,可以通過(guò)外接的上拉電阻提高驅(qū)動(dòng)能力。這種輸出用的是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)三極管或金屬氧化物管(MOS),這個(gè)管子的柵極和輸入連接,源極接公共端,漏極懸空(開路)什么也沒(méi)有接,因此使用時(shí)需要接一個(gè)適當(dāng)阻值的電阻到電源,才能使這個(gè)管子正常工作,這個(gè)電阻就叫上拉電阻。漏極開路輸出,一般情況下都需要外接上拉電阻,才能輸出高電平,例如,在有些芯片的引腳就定義為漏極開路輸出;還有一些帶漏極開路輸出的反向器等都需要外接上拉電阻才能正常工作。對(duì)于漏極開路(OD)輸出,跟集電極開路輸出是十分類似的。將上面的三極管換成場(chǎng)效應(yīng)管即可。這樣集電極就變成了漏極,OC就變成了OD,原理分析是一樣的。
漏極開路輸出與集電極開路輸出相同,就是內(nèi)部沒(méi)有負(fù)載電阻。漏極開路輸出高電平時(shí)必須在輸出端與正電源(VCC)間外接一個(gè)上拉電阻。否則只能輸出高阻態(tài)。

6,漏極輸出中的漏極是什么意思

漏極直接輸出,不接上拉電阻。如果對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管印象不深,理解為普通三級(jí)管好理解:就是集電極開路。參考資料:http://blog.21ic.com/more.asp?name=ic921&id=9437在電路設(shè)計(jì)時(shí)我們常常遇到開漏(open drain)和開集(open collector)的概念。本人雖然在念書時(shí)就知道其基本的用法,而且在設(shè)計(jì)中并未遇的過(guò)問(wèn)題。但是前兩天有位同事向我問(wèn)起了這個(gè)概念。我忽然覺(jué)得自己對(duì)其概念了解的并不系統(tǒng)。近日,忙里偷閑對(duì)其進(jìn)行了下總結(jié)。所謂開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。同理,開集電路中的“集”就是指三極管的集電極。開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會(huì)在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開漏電路應(yīng)該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。如圖1所示: 300)this.width=300" align=middle border=0 bbimg(this="">組成開漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn):1. 利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ,MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很下的柵極驅(qū)動(dòng)電流。如圖1。2. 可以將多個(gè)開漏輸出的Pin,連接到一條線上。形成“與邏輯”關(guān)系。如圖1,當(dāng)PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個(gè)變低后,開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。3. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。如圖2, IC的邏輯電平由電源Vcc1決定,而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。4. 開漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。5. 標(biāo)準(zhǔn)的開漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路,才能具備雙向輸入、輸出的能力。300)this.width=300" align=middle border=0 bbimg(this="">應(yīng)用中需注意:1. 開漏和開集的原理類似,在許多應(yīng)用中我們利用開集電路代替開漏電路。例如,某輸入Pin要求由開漏電路驅(qū)動(dòng)。則我們常見的驅(qū)動(dòng)方式是利用一個(gè)三極管組成開集電路來(lái)驅(qū)動(dòng)它,即方便又節(jié)省成本。如圖3。2. 上拉電阻R pull-up的阻值決定了邏輯電平轉(zhuǎn)換的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。
場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極,柵級(jí)、源級(jí)、漏極,簡(jiǎn)單講,場(chǎng)效應(yīng)管如同閥門一樣,柵級(jí)是控制流量的,源級(jí)是供應(yīng)能量的,漏極是輸出能量的。柵級(jí)、源級(jí)、漏極、是發(fā)明者為讓人好理解而起的名字。
漏極是場(chǎng)效應(yīng)管FET的一個(gè)腳的名稱,所謂漏極開路就是指驅(qū)動(dòng)用的晶體管為FET,且FET的漏極是開路的(即漏極與VCC不相連)。集電極是三極管BJT的一個(gè)腳的名稱,所謂集電極開路就是指驅(qū)動(dòng)用的晶體管為BJT,且BJT的集電極是開路的(即集電極與VCC不相連)。
漏極--drain就是電流由此到源極去,也就是電荷由此離開溝道了。
文章TAG:柵極相當(dāng)于三三極管漏極源極柵極相當(dāng)于三極管的哪極

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