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1，硅化物是不是硅在右sic是硅化物還是碳化物
2，征求常見硅化物的性質(zhì)
3，請簡單介紹金屬硅化物特性及主要用途謝謝
4，請教金屬硅化物的問題
5，硅化物的集成電路中的金屬硅化物2
6，si 的顏色狀態(tài)氣味密度毒性植被化學(xué)性質(zhì)分別是什么搜

1，硅化物是不是硅在右sic是硅化物還是碳化物

硅化物一般硅在右SiC是共價型碳化物共價型碳化物：主要是硅和硼的碳化物，如碳化硅和碳化硼（見硼）。在這些碳化物中，碳原子與硅、硼原子以共價鍵結(jié)合，屬原子晶體。它們具有高硬度、高熔點和化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的特點。

硅化物是不是硅在右sic是硅化物還是碳化物

2，征求常見硅化物的性質(zhì)

常見石英砂的主要成份就是二氧化硅。其高溫也以熔化?？梢杂闷渲圃觳Ａ?。有一種玻璃就是用純石英砂熔化而成的。所以自然界中的二氧化硅的透明的。是砂子中的所含成份。

物理性質(zhì) ：銀白色有金屬光澤導(dǎo)電性、延展性、導(dǎo)熱性一般是固態(tài) 汞例外化學(xué)：還原性

征求常見硅化物的性質(zhì)

3，請簡單介紹金屬硅化物特性及主要用途謝謝

金屬與硅生成的化合物。常分成兩大類：(1)難熔金屬硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如硅化鈦、硅化鋯、硅化鉭、硅化鎢等；(2)貴金屬和近貴金屬硅化物，如硅化鈀、硅化鉑、硅化鈷等。其共同特點是：熔點高(大都在1500℃以上)，最低共熔溫度高(大都在1000℃以上)。電阻率低(約為10-7Ω·m)，硬度高。多在超大規(guī)模集成電路中使用，如用作金屬柵、肖特基接觸、歐姆接觸等。制備方法主要是用淀積金屬與硅的混合物燒結(jié)而成。淀積法主要有：蒸發(fā)、濺射、電鍍、化學(xué)氣相淀積等。

請簡單介紹金屬硅化物特性及主要用途謝謝

4，請教金屬硅化物的問題

SBD就是為了阻止不讓形成硅化物的地方實現(xiàn)mask，其實關(guān)于Ti氧化層的去除，可以參考后段Al刻蝕的菜單，一般我們采用三明治結(jié)構(gòu)的AL,在Al的上下鍍一層TiN （ARC)，去除表面氧化層，用的是氯氣

最近一直在做這方面的試驗,現(xiàn)在有結(jié)果了,但這個屬于機密,不能泄露.

我這邊沒有Cl氣干法刻蝕的機器，但是我在網(wǎng)上查過，CF4可以刻蝕TiO2，但是也會刻蝕TiSi2，有沒有人嘗試過呢？如果用APM好像也會刻蝕TiSi2，如果只用SPM（H2SO4 H2O2）可不可以，時間溫度如何控制呢？我希望的是將上面一層TiO2能去除，又不能刻蝕到TiSi2。

APM和SPM濕法去除金屬等的配比的混合液具體什么自己查吧其實在工藝?yán)锩?，我們一般會?.2um以下在poly上淀積TI或者Co，之后就是ARC和ILD1的沉積。至于一般看是否刻蝕完全，我們肯定要知道它的刻蝕速率，而且干法腐蝕一般都會多刻蝕一點(OE)一般可以測厚度開是否刻蝕干凈，但是這里表面的自然氧化層肯定會刻蝕完的

謝謝樓上的！請問，Al上下鍍TiN，在合金的時候下層的TiN合金時，會生成什么，生成的氮化物會對勢壘高度有影響嗎？ARC是什么？用氯氣刻，是干法刻蝕的意思嗎？謝謝

謝謝樓上的熱心人！但是我這現(xiàn)在不具備干法刻蝕的機器。4樓的人說用APM SPM可以去除，具體我不太明白。我要去除合金后表面的TiO2，留下硅化物TiSi2。網(wǎng)上查，APM會去除TiSi2。那我怎樣濕法去除TiO2？時間和溫度如何控制呢？

5，硅化物的集成電路中的金屬硅化物2

鈦硅化物TiSi2：鈦硅化物TiSi2因具有工藝簡單、高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)點，被最早廣泛應(yīng)用于0.25微米以上MOS技術(shù)。其工藝是首先采用諸如物理濺射等方法將Ti金屬沉積在晶片上，然后經(jīng)過稍低溫度的第一次退火（600～700℃），得到高阻的中間相C49，然后再經(jīng)過溫度稍高的第二次退火（800～900℃）使C49相轉(zhuǎn)變成最終需要的低阻C54相。對于鈦硅化物而言，最大的挑戰(zhàn)在TiSi2的線寬效應(yīng)。即TiSi2電阻會隨著線寬或接觸面積的減小而增加。原因是當(dāng)線寬變得過窄時，從C49相到C54相的相變過程會由原先的二維模式轉(zhuǎn)變成一維模式，這使得相變的溫度和時間將大大增加。而過高的退火溫度會使主要的擴散元素Si擴散加劇而造成漏電甚至短路的問題。因此隨著MOS尺寸的不斷變小，會出現(xiàn)TiSi2相變不充分而使接觸電阻增加的現(xiàn)象。鈷硅化物CoSi2：鈷硅化物作為鈦硅化物的替代品最先被應(yīng)用于從0.18微米到90納米技術(shù)節(jié)點，其主要原因在于它在該尺寸條件下沒有出現(xiàn)線寬效應(yīng)。另外，鈷硅化物形成過程中的退火溫度相比于鈦硅化物有所降低，有利于工藝熱預(yù)算的降低。同時由于橋通(bridge)造成的漏電和短路也得到改善。雖然在90納米及其以上尺寸，從高阻的 CoSi到低阻的CoSi2的成核過程還十分迅速，在CoSi2相變過程中沒有出現(xiàn)線寬效應(yīng)。但當(dāng)技術(shù)向前推進(jìn)到45納米以下時，這種相變成核過程會受到極大的限制，因此線寬效應(yīng)將會出現(xiàn)。另外，隨著有源區(qū)摻雜深度不斷變淺，鈷硅化物形成過程中對表面高摻雜硅的過度消耗也變得不能滿足先進(jìn)制程的要求。MOS進(jìn)入45納米以后，由于短溝道效應(yīng)(short channel effect)的影響對硅化物過程中熱預(yù)算提出了更高的要求。CoSi2的第二次退火溫度通常還在700℃以上，因此必須尋找更具熱預(yù)算優(yōu)勢的替代品。鎳硅化物NiSi：對于45納米及其以下技術(shù)節(jié)點的半導(dǎo)體制程，鎳硅化物（NiSi）正成為接觸應(yīng)用上的選擇材料。相對于之前的鈦鈷硅化物而言, 鎳硅化物具有一系列獨特的優(yōu)勢。鎳硅化物仍然沿用之前硅化物類似的兩步退火工藝，但是退火溫度有了明顯降低(<600oC), 這樣就大大減少對器件已形成的超淺結(jié)的破壞。從擴散動力學(xué)的角度來說，較短的退火時間可以有效地抑制離子擴散。因此，尖峰退火（spike anneal）越來越被用于鎳硅化物的第一次退火過程。該退火只有升降溫過程而沒有保溫過程，因此能大大限制已摻雜離子在硅化物形成過程中的擴散。

6，si 的顏色狀態(tài)氣味密度毒性植被化學(xué)性質(zhì)分別是什么搜

有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色，無定形硅為黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔點1410℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。元素分區(qū)p區(qū) 密度2328.3 kg/m3常見化合價+4,硬度6.5,彈性模190GPa（有些文獻(xiàn)中為這個值）,密度2.33g/cm3（18℃）熔點687K（1414℃）[10] 沸點3173K（2900℃）[10] 原子核外電子排布：1s2 2s22p6 3s23p2；晶胞類型：立方金剛石型；[11] 晶胞參數(shù)：20℃下測得其晶胞參數(shù)a=0.543087nm；顏色和外表：深灰色、帶藍(lán)色調(diào)；采用納米壓入法測得單晶硅（100）的E為140～150GPa；電導(dǎo)率：硅的電導(dǎo)率與其溫度有很大關(guān)系，隨著溫度升高，電導(dǎo)率增大，在1480℃左右達(dá)到最大，而溫度超過1600℃后又隨溫度的升高而減小。電負(fù)性1.90（鮑林標(biāo)度）[10] 熱導(dǎo)率148 W/（m·K）[10] 2.有三種天然的穩(wěn)定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），還有質(zhì)量數(shù)為25、26、27、31和32的人工放射性同位素。[2] 3.硅（原子質(zhì)量單位： 28.0855，共有23種同位素，其中有3種同位素是穩(wěn)定的?；瘜W(xué)性質(zhì)Si的熱力學(xué)數(shù)據(jù)（來源于JANAF表格）[12]硅有明顯的非金屬特性，可以溶于堿金屬氫氧化物溶液中，產(chǎn)生（偏）硅酸鹽和氫氣。[13] 硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序數(shù)為Z=14，核外有14個電子。電子在原子核外，按能級由低硅原子到高，由里到外，層層環(huán)繞，這稱為電子的殼層結(jié)構(gòu)。硅原子的核外電子第一層有2個電子，第二層有8個電子，達(dá)到穩(wěn)定態(tài)。最外層有4個電子即為價電子，它對硅原子的導(dǎo)電性等方面起著主導(dǎo)作用。正因為硅原子有如此結(jié)構(gòu)，所以有其一些特殊的性質(zhì)：最外層的4個價電子讓硅原子處于亞穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，這些價電子使硅原子相互之間以共價鍵結(jié)合，由于共價鍵比較結(jié)實，硅具有較高的熔點和密度；化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定，常溫下很難與其他物質(zhì)（除氟化氫和堿液以外）發(fā)生反應(yīng)；硅晶體中沒有明顯的自由電子，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。[9] 加熱下能同單質(zhì)的鹵素、氮、碳等非金屬作用，也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般無機酸中，可溶于堿溶液中，并有氫氣放出，形成相應(yīng)的堿金屬硅酸鹽溶液，于赤熱溫度下，與水蒸氣能發(fā)生作用。[10] 分類：純凈物、單質(zhì)、非金屬單質(zhì)。（1）與單質(zhì)反應(yīng)：Si + O? == SiO?，條件：加熱Si + 2F? == SiF?Si + 2Cl? == SiCl?，條件：高溫（2）高溫真空條件下可以與某些氧化物反應(yīng)：2MgO + Si=高溫真空 =Mg(g)+SiO?（硅熱還原法煉鎂）（3）與酸反應(yīng)：只與氫氟酸反應(yīng)：Si + 4HF == SiF?↑ + 2H?↑（4）與堿反應(yīng)：Si + 2OH-+ H?O == SiO?2-+ 2H?↑（如NaOH，KOH）

有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色，無定形硅為黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔點1410℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。元素分區(qū)p區(qū)密度2328.3 kg/m3常見化合價+4硬度6.5地殼含量25.7% 彈性模190GPa（有些文獻(xiàn)中為這個值）密度2.33g/cm3（18℃）熔點687K（1414℃）[10] 沸點3173K（2900℃）[10] 原子核外電子排布：1s2 2s22p6 3s23p2；晶胞類型：立方金剛石型；[11] 晶胞參數(shù)：20℃下測得其晶胞參數(shù)a=0.543087nm；顏色和外表：深灰色、帶藍(lán)色調(diào)；采用納米壓入法測得單晶硅（100）的E為140～150GPa；電導(dǎo)率：硅的電導(dǎo)率與其溫度有很大關(guān)系，隨著溫度升高，電導(dǎo)率增大，在1480℃左右達(dá)到最大，而溫度超過1600℃后又隨溫度的升高而減小。電負(fù)性1.90（鮑林標(biāo)度）[10] 熱導(dǎo)率148 W/（m·K）[10] 2.有三種天然的穩(wěn)定同位素Si（92.2%）、Si（4.7%）和Si（3.1%），還有質(zhì)量數(shù)為25、26、27、31和32的人工放射性同位素。[2] 3.硅（原子質(zhì)量單位： 28.0855，共有23種同位素，其中有3種同位素是穩(wěn)定的。化學(xué)性質(zhì)Si的熱力學(xué)數(shù)據(jù)（來源于JANAF表格）[12]硅有明顯的非金屬特性，可以溶于堿金屬氫氧化物溶液中，產(chǎn)生（偏）硅酸鹽和氫氣。[13] 硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序數(shù)為Z=14，核外有14個電子。電子在原子核外，按能級由低硅原子到高，由里到外，層層環(huán)繞，這稱為電子的殼層結(jié)構(gòu)。硅原子的核外電子第一層有2個電子，第二層有8個電子，達(dá)到穩(wěn)定態(tài)。最外層有4個電子即為價電子，它對硅原子的導(dǎo)電性等方面起著主導(dǎo)作用。正因為硅原子有如此結(jié)構(gòu)，所以有其一些特殊的性質(zhì)：最外層的4個價電子讓硅原子處于亞穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，這些價電子使硅原子相互之間以共價鍵結(jié)合，由于共價鍵比較結(jié)實，硅具有較高的熔點和密度；化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定，常溫下很難與其他物質(zhì)（除氟化氫和堿液以外）發(fā)生反應(yīng)；硅晶體中沒有明顯的自由電子，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。[9] 加熱下能同單質(zhì)的鹵素、氮、碳等非金屬作用，也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般無機酸中，可溶于堿溶液中，并有氫氣放出，形成相應(yīng)的堿金屬硅酸鹽溶液，于赤熱溫度下，與水蒸氣能發(fā)生作用。[10] 分類：純凈物、單質(zhì)、非金屬單質(zhì)。（1）與單質(zhì)反應(yīng)：Si + O? == SiO?，條件：加熱Si + 2F? == SiF?Si + 2Cl? == SiCl?，條件：高溫（2）高溫真空條件下可以與某些氧化物反應(yīng)：2MgO + Si=高溫真空 =Mg(g)+SiO?（硅熱還原法煉鎂）（3）與酸反應(yīng)：只與氫氟酸反應(yīng)：Si + 4HF == SiF?↑ + 2H?↑（4）與堿反應(yīng)：Si + 2OH-+ H?O == SiO?2-+ 2H?↑（如NaOH，KOH）注意：硅、鋁是既能和酸反應(yīng)，又能和堿反應(yīng)，放出氫氣的單質(zhì)。