半導(dǎo)體技術(shù)，半導(dǎo)體制造技術(shù)哪個學(xué)校最好

來源：整理時間：2023-08-26 17:43:25 編輯：智能門戶手機版

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1，半導(dǎo)體制造技術(shù)哪個學(xué)校最好
2，半導(dǎo)體的應(yīng)用有哪些
3，想從事微電子半導(dǎo)體方向的工作要學(xué)哪些課程先學(xué)什么
4，DFN是什么
5，半導(dǎo)體是什么
6，半導(dǎo)體的性質(zhì) 作用具有什么性

1，半導(dǎo)體制造技術(shù)哪個學(xué)校最好

半導(dǎo)體制造技術(shù)是材料學(xué)院的吧？我覺得我們學(xué)校的材院很不錯，武漢理工。。。當(dāng)然肯定清華最好吧

半導(dǎo)體制造技術(shù)哪個學(xué)校最好

2，半導(dǎo)體的應(yīng)用有哪些

最早的實用“半導(dǎo)體”是「電晶體（Transistor）/ 二極體（Diode）」。　　一、在無電收音機（Radio）及電視機（Television）中，作為“訊號放大器 /整流器”用。　　二、近來發(fā)展「太陽能（Solar Power）」，也用在「光電池（Solar Cell）」中。　　三、半導(dǎo)體可以用來測量溫度，測溫范圍可以達到生產(chǎn)、生活、醫(yī)療衛(wèi)生、科研教學(xué)等應(yīng)用的70%的領(lǐng)域，有較高的準確度和穩(wěn)定性，分辨率可達0.1攝氏度，甚至達到0.01度也不是不可能，線性度0.2%，測溫范圍-100~+300攝氏度，是性價比極高的一種測溫元件。

半導(dǎo)體的應(yīng)用有哪些

3，想從事微電子半導(dǎo)體方向的工作要學(xué)哪些課程先學(xué)什么

大方向主要有：集成電路制造(半導(dǎo)體工藝，半導(dǎo)體器件)集成電路設(shè)計(底層電路設(shè)計(偏物理)--->SOC設(shè)計(偏編程)…)MEMS(微機電系統(tǒng))，需要非常雜的知識面EDA，是介于制造和設(shè)計之間的一個比較獨特的領(lǐng)域，需要比較廣的知識面和編程能力一般來說最基礎(chǔ)的四門課程包括：半導(dǎo)體(器件)物理，半導(dǎo)體工藝，模擬電路，數(shù)字電路

從事微電子有兩個方向一個是工藝：包括半導(dǎo)體物理，集成電路生產(chǎn)工藝；一個是從事設(shè)計包括晶體管原理集成電路設(shè)計集成電路EDA

哈哈再看看別人怎么說的。

你學(xué)通信的有優(yōu)勢，建議先學(xué)verilog編程，你就按照協(xié)議能編號程序，直接能生成網(wǎng)表，工藝直接是標準工藝，不用攝入太深

想從事微電子半導(dǎo)體方向的工作要學(xué)哪些課程先學(xué)什么

4，DFN是什么

http://baike.baidu.com/view/494168.htmDFN　　DFN: 　　DFN/QFN是一種最新的的電子封裝工藝.ON Semiconductor公司的各種元器件都采用了先進的雙邊或方形扁平無鉛封裝（DFN/QFN）。DFN/QFN平臺是最新的表面貼裝封裝技術(shù)。印刷電路板（PCB）的安裝墊、阻焊層和模版樣式設(shè)計以及組裝過程，都需要遵循相應(yīng)的原則。 DFN/QFN封裝概述 DFN/QFN平臺具有多功能性，可以讓一個或多個半導(dǎo)體器件在無鉛封裝內(nèi)連接。下圖就展示出了這一封裝的靈活性。 dfn 對象表明術(shù)語的定義實例。成員表標簽屬性屬性描述 ACCESSKEY accessKey設(shè)置或獲取對象的快捷鍵

游戲

DNF是一款網(wǎng)絡(luò)游戲

騰訊代理的網(wǎng)絡(luò)游戲《地下城與勇士》《地下城與勇士》是一款韓國網(wǎng)絡(luò)游戲公司NEOPLE開發(fā)的免費角色扮演2D游戲，由三星電子發(fā)行，并于2005年8月在韓國正式發(fā)布。該游戲是一款2D卷軸式橫版格斗過關(guān)網(wǎng)絡(luò)游戲 (MMOACT)，大量繼承了眾多家用機、街機2D格斗游戲的特色。以任務(wù)引導(dǎo)角色成長為中心，結(jié)合副本、PVP、PVE為輔，與其他網(wǎng)絡(luò)游戲同樣具有裝備與等級的改變，并擁有共500多種裝備道具。每個人物有8個道具裝備位置，在游戲中可以允許最多4個玩家進行組隊挑戰(zhàn)關(guān)卡，同樣也可以進行4對4的PK。

dfn　　德國科研網(wǎng)，為德國的研究和教育部門提供了一個高性能的基礎(chǔ)組織，它將德國科研和教育團體緊密聯(lián)系在一起，并支持創(chuàng)新應(yīng)用的發(fā)展。，x-win由dfn-verein操縱，并由其保證x-win的長遠使用和發(fā)展。dfn-verein是由德國研究、發(fā)展、教育部門組建的一個非盈利性組織，負責(zé)推動基于計算機通信和信息服務(wù)的發(fā)展。從2006年起，dfn的骨干網(wǎng)成為x-win。x-win連接到歐洲骨干網(wǎng)géant上，成為全球教育和科研網(wǎng)絡(luò)不可分割的一部分。根據(jù)合同，x-win還連接到全球的internet網(wǎng)上。　　半導(dǎo)體封裝技術(shù)（semiconductor packaging）　　dfn : dual flat no lead 　　即半導(dǎo)體的作為點連接面的四個邊都有引腳，且引腳為導(dǎo)電面而非傳統(tǒng)的插接式引腳　　dfn可以大大減小半導(dǎo)體的體積

5，半導(dǎo)體是什么

◆半導(dǎo)體( semiconductor)，指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性是可以受控的，范圍可從絕緣體至幾個歐姆之間。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。半導(dǎo)體在收音機、電視機、儀器儀表以及測溫上都有著廣泛的應(yīng)用。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。●半導(dǎo)體五大特性∶摻雜性（在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地摻入特定的雜質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。），熱敏性，光敏性（在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。），負電阻率溫度特性，整流特性。●半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。

當(dāng)電流通過各種物體時，不同的物體對電流的通過有著不同的阻止能力，有的物體可使電流順利通過，也有的物體不讓其通過，或者在一定的阻力下讓它通過。這種不同的物體通過電流的能力，叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能，凡是導(dǎo)電性能很好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之，導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有，有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差，但比絕緣體強，這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機 CPU都是半導(dǎo)體半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成過程，示意載流子的擴散作用大于漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態(tài)平衡。

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，叫做半導(dǎo)體。半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特性可制成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。半導(dǎo)體還有一個最重要的性質(zhì)，如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管等。把一塊半導(dǎo)體的一邊制成p型區(qū)，另一邊制成n型區(qū)，則在交界處附近形成一個具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為pn結(jié)。圖中上部分為p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結(jié)的形成過程，示意載流子的擴散作用大于漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向）。下邊部分為pn結(jié)的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態(tài)平衡

6，半導(dǎo)體的性質(zhì) 作用具有什么性

以鍺硅合金為例。1、性質(zhì)：高頻特性良好，材料安全性佳，導(dǎo)熱性好，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢。2、作用：不但可以直接利用半導(dǎo)體現(xiàn)有200mm 晶圓制程，達到高集成度，據(jù)以創(chuàng)造經(jīng)濟規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來IDM 大廠的投入，SiGe 技術(shù)已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題獲得改善而日趨實用。SiGe既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優(yōu)勢，又具備第3 到第5 類半導(dǎo)體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe 半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無源部件。擴展資料：半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性介紹：導(dǎo)體具有良好的導(dǎo)電特性，常溫下，其內(nèi)部存在著大量的自由電子，它們在外電場的作用下做定向運動形成較大的電流。因而導(dǎo)體的電阻率很小，只有金屬一般為導(dǎo)體，如銅、鋁、銀等。絕緣體幾乎不導(dǎo)電，如橡膠、陶瓷、塑料等。在這類材料中，幾乎沒有自由電子，即使受外電場作用也不會形成電流，所以，絕緣體的電阻率很大，在以上。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在之間。半導(dǎo)體之所以得到廣泛應(yīng)用，是因為它的導(dǎo)電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導(dǎo)體單晶硅在室溫下電阻率約為，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(zhì)(如磷)后，其電阻率急劇下降為，幾乎降低了一百萬倍。半導(dǎo)體具有這種性能的根本原因在于半導(dǎo)體原子結(jié)構(gòu)的特殊性。參考資料來源：搜狗百科-半導(dǎo)體搜狗百科-鍺硅合金

性質(zhì) 光敏性,熱敏性,摻雜性作用半導(dǎo)體最基本的是二極管和MOS管，原理都是基于N型和P型半導(dǎo)體構(gòu)成的PN結(jié)。二極管是單向?qū)щ娖骷?，可以實現(xiàn)整流控制等。MOS管是柵控器件，是目前集成電路中最基本的單元。半導(dǎo)體是微電子產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)?？刂剖撬暮诵?。回答的簡潔，具體知識參見http://baike.baidu.com/view/19928.htm

半導(dǎo)體是介于像銅那樣易于電流通過的導(dǎo)體和像橡膠那樣的不導(dǎo)通電流的絕緣體之間的物質(zhì)。性質(zhì):光敏性,熱敏性,摻雜性作用：半導(dǎo)體的作用與價值：目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。用半導(dǎo)體材料制成的部件、集成電路等是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)產(chǎn)品，在電子技術(shù)的各個方面已大量使用。半導(dǎo)體材料、器件、集成電路的生產(chǎn)和科研已成為電子工業(yè)的重要組成部分。在新產(chǎn)品研制及新技術(shù)發(fā)展方面，比較重要的領(lǐng)域有：（1）集成電路它是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中最活躍的一個領(lǐng)域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬只晶體管，可在一片硅片上制成一臺微信息處理器，或完成其它較復(fù)雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達到微微秒級。（2）微波器件半導(dǎo)體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達到數(shù)瓦，人們正在通過研制新器件、發(fā)展新技術(shù)來獲得更大的輸出功率。（3）光電子器件半導(dǎo)體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個重要的領(lǐng)域。它們的應(yīng)用范圍主要是：光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。

什么是半導(dǎo)體呢？顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）．物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院唵蔚陌呀橛趯?dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與金屬和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認可。電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等。本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實際應(yīng)用不多。半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時，雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結(jié)合，多余的一個電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級。雜質(zhì)能級位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主，相應(yīng)能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結(jié)合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級，通常位于禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級上填補這個空位，使雜質(zhì)原子成為負離子。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。存在受主雜質(zhì)時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導(dǎo)體情形要小得多。半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小，半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，屬電子型導(dǎo)電，稱n型半導(dǎo)體。摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電，稱p型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對，故n型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴，p型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子，它們均稱為少數(shù)載流子。在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。 pn結(jié) p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體相互接觸時，其交界區(qū)域稱為pn結(jié)。p區(qū)中的自由空穴和n區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴散，造成正負電荷在 pn 結(jié)兩側(cè)的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，p區(qū)和n區(qū)之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由于p 區(qū)中的空穴向n區(qū)擴散后與n區(qū)中的電子復(fù)合，而n區(qū)中的電子向p區(qū)擴散后與p 區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成pn結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 pn結(jié)具有單向?qū)щ娦?，半?dǎo)體整流管就是利用pn結(jié)的這一特性制成的。pn結(jié)的另一重要性質(zhì)是受到光照后能產(chǎn)生電動勢，稱光生伏打效應(yīng)，可利用來制造光電池。半導(dǎo)體三極管、可控硅、pn結(jié)光敏器件和發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件均利用了pn結(jié)的特性。