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ddr3和ddr4的區(qū)別，筆記本內(nèi)存DDR3和DDR4有區(qū)別么

來源：整理時間：2023-08-19 09:07:16 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，筆記本內(nèi)存DDR3和DDR4有區(qū)別么
2，DDR3和DDR4有什么不同
3，DDR4與DDR3有什么區(qū)別

1，筆記本內(nèi)存DDR3和DDR4有區(qū)別么

DDR4的帶寬大，但對筆記本來講，基本上沒什么區(qū)別。不過這個事你不必糾結(jié)，因?yàn)椴荒苓x。主板只能認(rèn)一種內(nèi)存。

ddr3和ddr4是不同的內(nèi)存規(guī)格，內(nèi)存還有很多規(guī)格現(xiàn)在的電腦只是常用ddr3和ddr4這兩種規(guī)格的內(nèi)存

筆記本內(nèi)存DDR3和DDR4有區(qū)別么

2，DDR3和DDR4有什么不同

1. DDR4和DDR3的區(qū)別概述;最早的內(nèi)存類型是SDRAM，它在電腦中被廣泛使用，從起初的SDRAM到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場，2015年，DDR4開始進(jìn)入消費(fèi)市場。2. 外觀尺寸DDR4 模組上的卡槽與 DDR3 模組卡槽的位置不同。兩者的卡槽都位于插入側(cè)，但 DDR4 卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不兼容的主板或平臺中。3. 事實(shí)上， DDR1、DDR2、DDR3和DDR4的插槽都不同，它們互不兼容。4. 需要注意的是，有些同時存在DDR3和DDR4主板，DDR3插槽和DDR4無法同時啟用，你只能選擇使用DDR3或者DDR4。5. 上圖為DDR4內(nèi)存，下方則為DDR3內(nèi)存，仔細(xì)觀察，你會發(fā)現(xiàn)DDR4內(nèi)存的金手指并非平直到底，而是中間略凸，兩邊微有彎曲。6. DDR4內(nèi)存條提供曲線邊的目的是方便插入和緩解內(nèi)存安裝期間對PCB 的壓力。7. 容量；相較于DDR3，DDR4理論上每根DIMM模塊能達(dá)到512GiB的容量，而DDR3每個DIMM模塊的理論最大容量僅128GiB。8. 速度；DDR3的最高速率為2133MT/s ，DDR4的數(shù)據(jù)傳輸率也從2133MT/s起跳，最高速率在2013年的標(biāo)準(zhǔn)中暫定為4266MT/s。9. 能耗；DDR3的工作電壓是1.5V，而DDR4是1.2V，并且能源節(jié)省高達(dá)40%。這對臺式機(jī)的作用不大，但對提高移動設(shè)備的續(xù)航時間和降低發(fā)熱有重要意義。10. 性能；在Anandtech的獨(dú)立測試中， DDR4的性能比DDR3略好，但差距很小。[5]11. 價格；一般新的內(nèi)存類型初上市時，其價格都會比較高。隨著時間推移，它的價格會下降到上一代產(chǎn)品的水平，然后大量普及，取代上一代產(chǎn)品。12. 就像DDR3淘汰DDR2一樣，DDR4早晚要取代DDR3。截至2017年，DDR4和DDR3的價差已經(jīng)被抹平，因此選擇DDR4就好了。

DDR3和DDR4有什么不同

3，DDR4與DDR3有什么區(qū)別

【概括而言，區(qū)別如下】：1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB4.DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低【詳細(xì)區(qū)別包括以下5方面】：一、頻率和電壓在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達(dá)到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當(dāng)大的提升。在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預(yù)計(jì)最低可以做到1.2V。二、傳輸機(jī)制相對于DDR3，DDR4的一大改進(jìn)就體現(xiàn)在信號傳輸機(jī)制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統(tǒng)SE信號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )技術(shù)。三、訪問機(jī)制對于DDR3內(nèi)存來說，目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機(jī)制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問機(jī)制已經(jīng)改為了點(diǎn)對點(diǎn)技術(shù)，這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計(jì)。點(diǎn)對點(diǎn)相當(dāng)于一條主管道只對應(yīng)一個水箱（這種機(jī)制的改變其實(shí)并不會對傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因?yàn)橹鞴艿赖拇笮〔]有改變），這樣設(shè)計(jì)的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)、更容易達(dá)到更高的頻率。四、封裝技術(shù)DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。五、外觀DDR3內(nèi)存金手指是240個，內(nèi)存金手指是平直的；而DDR4內(nèi)存金手指是284個，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。

ddr4與ddr3內(nèi)存差異一：處理器每次內(nèi)存升級換代時，必須支持的就是處理器。haswell-e平臺的內(nèi)存同ivb-e/snb-e一樣為四通道設(shè)計(jì)，ddr4內(nèi)存頻率原生支持2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點(diǎn)一個是6核升級8核，另一點(diǎn)是對ddr4的支持。上市初期整體成本相當(dāng)高，并且不會同時支持ddr3和ddr4內(nèi)存，所以增加了ddr4普及的門檻。ddr4與ddr3內(nèi)存差異二：外型一直一來，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證ddr4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。接口位置同時也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通ddr4內(nèi)存有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。ddr4與ddr3內(nèi)存差異三：參數(shù) ddr4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。ddr4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的帶寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。另外就是其它參數(shù)的改變，比如容量和電壓。 ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8gb（單顆芯片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達(dá)到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。