單晶硅片又稱硅片或硅晶片，是制造半導(dǎo)體設(shè)備的基礎(chǔ)材料。單晶硅棒屬于單晶硅片的中間產(chǎn)品，單晶硅片生產(chǎn)車間的設(shè)備還沒有安裝，什么是單晶硅片？電子級(jí)單晶硅的制備方法電子級(jí)單晶硅的制備方法一般分為三步:1 .硅的制備；2.單晶硅的制備；3.電子級(jí)單晶硅的制備。

目前主要有六種:1。蘭花科創(chuàng)():蘭花科創(chuàng)表示，重慶蘭花太陽(yáng)能發(fā)電有限公司建設(shè)的1000噸單晶硅項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期500噸。蘭花太陽(yáng)能的主要產(chǎn)品是單晶硅片。目前該項(xiàng)目仍處于建設(shè)階段，單晶硅棒生產(chǎn)車間設(shè)備安裝已完成60%，少量單晶硅棒已試產(chǎn)，尚未進(jìn)入批量生產(chǎn)。單晶硅棒屬于單晶硅片的中間產(chǎn)品。單晶硅片生產(chǎn)車間的設(shè)備還沒有安裝。

中國(guó)網(wǎng)石家莊3月30日訊(記者曹)記者近日從河北京龍集團(tuán)獲悉，位于江蘇東?？h的太陽(yáng)能科技有限公司自主研發(fā)的“超大晶粒準(zhǔn)單晶硅錠”技術(shù)取得重大突破。采用這種生產(chǎn)多晶硅錠的技術(shù)，可以獲得接近直拉單晶硅的高質(zhì)量，并且成本大大降低。目前，該技術(shù)已通過連云港市科技局組織的專家組鑒定。由廈大光伏工程教授陳超、清華大學(xué)工程熱物理與材料科學(xué)教授鄭麗麗等7位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)“超大晶粒準(zhǔn)單晶硅錠”技術(shù)進(jìn)行了鑒定，認(rèn)為“該技術(shù)可操作性強(qiáng)，易于推廣，穩(wěn)定可靠，產(chǎn)品性能具有單晶優(yōu)勢(shì)，氧含量低于直拉晶體，相比單晶硅片具有較強(qiáng)的成本優(yōu)勢(shì)。

P和N型單晶硅片的區(qū)別主要有三點(diǎn):1。導(dǎo)電性不同:N型是電子導(dǎo)電性，P型是空穴導(dǎo)電性。2.摻雜不同:單晶硅中的磷摻雜是N型，單晶硅中的硼摻雜是P型。3.性質(zhì)不同:摻氮磷越多，自由電子越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)，電阻率越低。硼摻雜的P型越多，取代硅產(chǎn)生的空穴越多，導(dǎo)電性越強(qiáng)，電阻率越低。擴(kuò)展信息1。單晶硅可用于二極管級(jí)、整流器級(jí)、電路級(jí)和太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，在軍用電子裝備中也占有重要地位。

大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個(gè)九。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科技中不可缺少的基礎(chǔ)材料。3.單晶硅太陽(yáng)能電池是目前發(fā)展最快的太陽(yáng)能電池。其組成和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于航天和地面設(shè)施。這種太陽(yáng)能電池以高純單晶硅棒為原料，純度要求為99.999%。

中文別名:硅單晶英文名:Monocrystallinesilicon分子式:Si分子量:28.086CASNo編號(hào):7440213硅是地球上最豐富的物質(zhì)之一。自從19世紀(jì)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)晶體硅的半導(dǎo)體特性以來(lái)，它幾乎改變了一切，甚至改變了人類的思維。直到20世紀(jì)60年代，硅材料取代了原來(lái)的鍺材料。硅材料因其耐高溫、抗輻射，特別適合制造大功率器件，成為應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料。目前，大多數(shù)集成電路半導(dǎo)體器件都是由硅材料制成的。

晶格結(jié)構(gòu)基本完整的晶體。不同的方向有不同的性質(zhì)，所以是很好的半導(dǎo)體材料。純度要求是99.9999%，甚至99以上。%.用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。它是在單晶爐中從高純度多晶硅中提取的。當(dāng)單晶硅的熔融元素硅凝固時(shí)，硅原子在金剛石晶格中排列成許多晶核。如果這些晶核生長(zhǎng)成具有相同晶面取向的晶粒，這些晶粒平行結(jié)合并結(jié)晶成單晶硅。

電子級(jí)單晶硅的制備方法一般分為三步:1 .硅的制備；2.單晶硅的制備；3.電子級(jí)單晶硅的制備。1.硅的制備:硅的制備方法有很多種，其中三氯化硅(SiCl3)和氫氣(H2)是常用的制備硅的方法。首先將三氯化硅和氫氣混合，在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成四氫化硅(SiH4)，然后四氫化硅在高溫下分解成高純硅。

制備單晶硅主要有兩種方法:提拉法和切片法。直拉法是將硅材料放入應(yīng)時(shí)坩堝中，在高溫下熔化，然后通過旋轉(zhuǎn)和提拉使硅晶體逐漸生長(zhǎng)為單晶。切片規(guī)則是將硅材料切成小塊，然后將小塊再結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。3.電子級(jí)單晶硅的制備:電子級(jí)單晶硅需要進(jìn)一步提高硅的純度和晶體質(zhì)量。在單晶硅生長(zhǎng)過程中，控制硅晶體的生長(zhǎng)速度和溫度，以保證晶體的純度和質(zhì)量。

單晶硅生產(chǎn)工藝流程:1。石材加工從石頭開始(所有的石頭都含有硅)。石頭受熱就變成液體，受熱就變成氣體，氣體通過一個(gè)密封的大盒子。盒子里有N多個(gè)亞晶，兩端用石墨夾住。當(dāng)氣體突破這個(gè)盒子時(shí)，亞晶會(huì)將其中一種氣體吸附到亞晶上，亞晶會(huì)逐漸變厚。2、酸洗，當(dāng)然有很多廢氣，(四氯化硅)是在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的，現(xiàn)在看來(lái)這個(gè)東西都處理不好，廢話不說(shuō)，等初級(jí)多晶有了，就開始酸洗，用氫氟酸，硝酸，醋酸等等把初級(jí)多晶外面的東西清洗干凈，然后在烘干室烘干，無(wú)塵檢驗(yàn)，包裝。

單晶硅片按直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)、18英寸(450毫米)。晶圓直徑越大，可以刻的集成電路越多，芯片成本越低。而大尺寸晶圓對(duì)材料和工藝的要求更高。根據(jù)晶體生長(zhǎng)方法的不同，單晶硅可分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。單晶硅棒用直拉法和區(qū)熔法生長(zhǎng)，單晶硅膜用外延法生長(zhǎng)。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底和太陽(yáng)能電池。

區(qū)熔單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視等產(chǎn)品。目前晶體直徑可以控制在φ 3 ~ 6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。CZ單晶硅材料由于其成本和性能而被最廣泛地使用。IC行業(yè)使用的材料主要是CZ拋光片和外延片。CZ拋光墊由于成本低，通常用于存儲(chǔ)電路。

單晶硅片:硅單晶，具有基本完整的晶格結(jié)構(gòu)。不同的方向有不同的性質(zhì)，所以是很好的半導(dǎo)體材料，純度要求99.9999%，甚至99以上。%.用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等，它是在單晶爐中從高純度多晶硅中提取的。單晶硅片又稱硅片或硅晶片，是制造半導(dǎo)體設(shè)備的基礎(chǔ)材料，它們是通過將高純度硅加熱到液態(tài)，通過特殊工藝(通常是直拉法或浮區(qū)法)生長(zhǎng)單個(gè)大晶體，然后將該晶體切片而獲得的。