電子遷移率，的一端流進去從對側(cè)的另一端流出來球中各點的電子遷移速率是

來源：整理時間：2024-12-27 17:54:05 編輯：智能門戶手機版

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1，的一端流進去從對側(cè)的另一端流出來球中各點的電子遷移速率是
2，si的電子遷移率是多少
3，電子的轉(zhuǎn)移量受到什么因素影響
4，方塊電阻電子遷移率
5，如何計算化學反應方程式中的電子轉(zhuǎn)移總數(shù) 有系數(shù)怎么計算沒有系數(shù)
6，n型硅的電子遷移率
7，什么是載流子的遷移率
8，載流子遷移率的介紹
9，霍爾元件的主要技術參數(shù)
10，COMS門電路和TTL集成門電路外部結(jié)構的區(qū)別

1，的一端流進去從對側(cè)的另一端流出來球中各點的電子遷移速率是

相同

的一端流進去從對側(cè)的另一端流出來球中各點的電子遷移速率是

2，si的電子遷移率是多少

Si的電子遷移率一般在1000cm2/Vs左右，具體數(shù)值還需要考慮雜質(zhì)濃度、溫度等因素的影響。電子遷移率是材料導電性能的一個重要參數(shù)，其數(shù)值越大則說明材料導電性能越好，因此，Si作為一種常用的半導體材料，其電子遷移率尤為重要，在半導體器件制造等領域得到了廣泛應用。

si的電子遷移率是多少

3，電子的轉(zhuǎn)移量受到什么因素影響

樓上正解，會分布均勻

是6mol

電子的轉(zhuǎn)移量受到什么因素影響

4，方塊電阻電子遷移率

方塊電阻電子遷移率測量范圍：100-20000（cm2/v.sec)。遷移率測量范圍：100-20000（cm2/v.sec)。方塊電阻測量范圍：100-3000（ohm/sq)。載流子面密度測量范圍：1E11-1E14（cm-2）。電磁鐵磁場強度：1.0T，探頭線圈直徑：15mm。

5，如何計算化學反應方程式中的電子轉(zhuǎn)移總數(shù) 有系數(shù)怎么計算沒有系數(shù)

先來最簡單的置換反應Mg+2HCl=Mgcl2+H2 鎂從0價變+2價就是Mg 失2mol電子變成鎂離子電子轉(zhuǎn)移總數(shù)就是2mol 再來看 2H2O2==2H2O+O2 過氧化氫的氧既失電子又得電子,,但總的轉(zhuǎn)移電子數(shù)還是4mol...樓主只要標清楚元素化合價的變化..看清楚計量數(shù)就行了...但有些反應的元素是部分參與氧化還原反應的..不參加反應的部分是不算有電子轉(zhuǎn)移..這個得小心

6，n型硅的電子遷移率

n型硅的電子遷移率為1350cm^2/(VS)。根據(jù)查詢相關資料遷移率是指載流子（電子和空宏）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，迂移率越大。運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，An是電子的遷移率高于空穴。如室溫下，低拉小硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/(VS)，而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。

7，什么是載流子的遷移率

遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高于空穴。如室溫下，輕參雜硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（VS），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。遷移率主要影響到晶體管的兩個性能：一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數(shù)）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由于電子的遷移率一般高于空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通?？偸遣捎秒娮幼鳛檩d流子的n溝道結(jié)構，而不采用空穴作為載流子的p溝道結(jié)構. 二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應特性最主要的限制是少數(shù)載流子渡越基區(qū)的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，晶體管的截止頻率與基區(qū)材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高晶體管的開關形影速度。

8，載流子遷移率的介紹

遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高于空穴。如室溫下，輕參雜硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（VS），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。遷移率主要影響到晶體管的兩個性能：一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數(shù)）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由于電子的遷移率一般高于空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通?？偸遣捎秒娮幼鳛檩d流子的n溝道結(jié)構，而不采用空穴作為載流子的p溝道結(jié)構.二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應特性最主要的限制是少數(shù)載流子渡越基區(qū)的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，晶體管的截止頻率與基區(qū)材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高晶體管的開關形影速度。

9，霍爾元件的主要技術參數(shù)

霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）額定激勵電流最大允許激勵電流輸入電阻輸出電阻溫度系數(shù)不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）輸出電壓電壓輸出比率寄生直流電勢不等位電勢電勢溫度系數(shù)僅從實際使用出發(fā)主要關心的是 1、2、3、9。

1. 霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）rh2. 靈敏度kh（又稱霍爾乘積靈敏度）3. 額定激勵電流4. 最大允許激勵電流5. 輸入電阻6. 輸出電阻7. 溫度系數(shù)8. 不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）9. 輸出電壓10. 電壓輸出比率11. 寄生直流電勢12. 不等位電勢13. 電勢溫度系數(shù)僅從實際使用出發(fā)主要關心的是 1、2、3、9。

霍爾元件的輸出特性曲線　?、佥斎胱杩筊IN:在規(guī)定的條件下，霍爾元件控制電流端子之間的阻抗?！　、谳敵鲎杩筊ouT:在規(guī)定的條件下，霍爾元件霍爾電壓產(chǎn)生端子之間的阻抗?！　、劭刂齐娏鱅C:流過霍爾元件控制電流端的電流，它與磁場相互作用產(chǎn)生霍爾電壓。　?、懿坏任浑妱軻O:霍爾元件在額定控制電流的作用下，若不給元件加外磁場，輸出的霍爾電壓的理想值應為零，但由于存在著電極的不對稱以及材料電阻率不均衡等因素，霍爾元件會輸出電壓，該電壓稱為不等位電勢。其值與輸人電壓和電流成正比。VO電壓很小，一般不超過lmV?！　、蒽`敏度KH:在某一規(guī)定控制電流條件下，霍爾電壓與磁感應強度的比值?！　、藁魻栯妷篤H:由霍爾效應引起霍爾元件產(chǎn)生的電壓。圖所示是霍爾元件在恒流源和恒壓源下的霍爾電壓與磁通密度之間的典型曲線，即輸出特性曲線?！　、呋魻栯妷旱臏囟忍匦?當溫度升高時，霍爾電壓減少，呈現(xiàn)負溫度特性

1、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH 在磁場不太強時，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應的強弱。另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。 2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通常可以表征霍爾常數(shù)。3、霍爾額定激勵電流當霍爾元件自身溫升10℃時所流過的激勵電流稱為額定激勵電流。4、霍爾最大允許激勵電流以霍爾元件允許最大溫升為限制所對應的激勵電流稱為最大允許激勵電流。5、霍爾輸入電阻霍爾激勵電極間的電阻值稱為輸入電阻。 6、霍爾輸出電阻霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸入電阻。 7、霍爾元件的電阻溫度系數(shù)在不施加磁場的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時，電阻的相對變化率，用α表示，單位為%/℃。 8、霍爾不等位電勢（又稱霍爾偏移零點）在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為不等位電勢。 9、霍爾輸出電壓在外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，在輸出端空載測得的霍爾電勢差稱為霍爾輸出電壓。 10、霍爾電壓輸出比率霍爾不等位電勢與霍爾輸出電勢的比率 11、霍爾寄生直流電勢在外加磁場為零、霍爾元件用交流激勵時，霍爾電極輸出除了交流不等位電勢外，還有一直流電勢，稱寄生直流電勢。 12、霍爾不等位電勢在沒有外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時，不等位電勢的相對變化率。 13、霍爾電勢溫度系數(shù)在外加磁場和霍爾激勵電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時，不等位電勢的相對變化率。它同時也是霍爾系數(shù)的溫度系數(shù)。14、熱阻Rth霍爾元件工作時功耗每增加1W，霍爾元件升高的溫度值稱為它的熱阻，它反映了元件散熱的難易程度，單位為：攝氏度/whttp://baike.baidu.com/view/282539.htm

10，COMS門電路和TTL集成門電路外部結(jié)構的區(qū)別

集成電路的產(chǎn)生與晶體管和硅平面工藝的發(fā)明是分不開的。集成電路起源于半導體物理學和固態(tài)電子器件的研究。集成電路的發(fā)展，如高速電路、低功耗電路、高可靠、高集成度和高集成密度等電路方面的研究與半導體物理、固態(tài)電子器件的研究有著不可分的密切關系。與材料科學和晶體生長技術的關系固態(tài)器件和集成電路的發(fā)明、發(fā)展與材料科學、晶體生長技術有淵源關系。40年代，晶體管現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)是由于當時鍺、硅單元素半導體材料的研究達到了相當高的水平。制備集成電路芯片要求高質(zhì)量、大直徑硅單晶。對硅單晶的純度、位錯、均勻性、含氧量、微缺陷等的研究，以及砷化鎵材料和其他新材料的研究，都依賴于材料科學和晶體生長技術發(fā)展。與超純化學的關系在集成電路制備過程中，如引入微量不需要的雜質(zhì)，就會引起電路失效。在幾十道制備工序中所用的超純試劑、超純氣體、超純水和感光膠等，無不有賴于超純化學的研究成果。與光學、精密機械和電子、電工學的關系集成電路專用設備和專用儀器儀表，是研究和生產(chǎn)集成電路必不可少的手段，制備工藝采用微米、亞微米量級的微細加工技術，高精度、高真空、高氣壓下操作實驗和程序控制、自動化等都須借助于設備、儀器儀表的研究和制造。與環(huán)境凈化科學的關系集成電路需要在潔凈的環(huán)境下進行研制和生產(chǎn)。例如，掩模制作技術、光刻技術等要求在100級、局部0級的超凈環(huán)境下操作。集成電路進一步向超集成密度發(fā)展，制備的環(huán)境條件離不開環(huán)境凈化科學。科學研究內(nèi)容集成電路的研究和發(fā)展包括 6個方面的內(nèi)容。設計和結(jié)構分析早期，中、小規(guī)模集成電路設計和掩模版制作多靠人工完成,進入大規(guī)模集成階段后,人工設計必須借助集成電路計算機輔助設計，通過人機交互自動實現(xiàn)。①邏輯設計：對數(shù)字邏輯電路來說包括初步邏輯設計、邏輯綜合、繪制出邏輯圖、劃分并列出接線表、產(chǎn)生自動測試圖案和進行邏輯模擬，由計算機模擬輸出。②電路設計：在邏輯設計之后進行，包括初步電路設計、單元布局、電路分析、建立電路元件數(shù)學模型和通過計算機進行電路模擬計算。③器件設計：根據(jù)器件中的雜質(zhì)分布計算器件的電特性。④工藝設計：模擬工藝過程，根據(jù)工藝參數(shù)對器件、電路的電性能參數(shù)的影響,選擇最佳工藝條件,必要時也可對電路設計、器件設計提出修改。⑤版圖設計：根據(jù)電路分析模擬完成電路設計圖，進行電路幾何圖形和版圖設計，并由計算機輔助制版系統(tǒng)實現(xiàn)自動制版。⑥編制計算機輔助測試程序。為了完成上述各種模擬設計，需要建立標準單元庫和模型參數(shù)庫。計算機輔助設計新方法和手段的研究研究如何用好計算機進行輔助設計，建立新方法和新手段是設計和結(jié)構分析中的新課題。為集成電路設計提供的常用軟件有：①邏輯設計方面的如邏輯檢查程序、邏輯綜合程序、自動設計 PLA程序和測試碼自動產(chǎn)生程序等。它們用于研究邏輯簡化、布爾代數(shù)關系檢查、測試碼的自動產(chǎn)生和邏輯電路自動設計；②電路設計方面的如電路模擬程序、時序模擬程序、混合模擬程序和器件模型參數(shù)的優(yōu)化提取程序；③器件設計方面的如一維、二維和三維的器件模擬程序；④工藝設計方面的如工藝模擬程序；⑤統(tǒng)計分析和優(yōu)化設計方面的有工藝統(tǒng)計模擬程序和電路容差分析程序；⑥版圖設計方面的如交互式版圖編輯程序、自動布局、布線程序和設計規(guī)則檢查程序等。制備工藝和工藝物理集成電路制備工藝是在硅平面工藝基礎上逐步發(fā)展起來的。每當工藝技術有了新的突破，集成電路性能就向新的水平推進一步。因此，新的制備工藝和工藝物理研究是一項重要的內(nèi)容。現(xiàn)有的制備工藝包括單晶大圓片的切、磨、拋、清洗、合金化、擴散摻雜、離子注入摻雜、氧化、表面鈍化、光刻曝光和微細刻蝕、蒸發(fā)、濺射、壓焊、化學汽相淀積工藝、外延生長、隔離技術、自對準技術、金屬互連工藝、亞微米微細加工工藝技術等。在制備工藝的不斷發(fā)展過程中，在傳統(tǒng)的高溫工藝基礎上提出了低溫工藝，在化學腐蝕工藝方面提出了干法工藝、全離子工藝，從機械對準發(fā)展為自對準技術等。測試方法研究和測試手段隨著集成電路進入超大規(guī)模集成和系統(tǒng)集成階段，大規(guī)模集成電路測試已成為一個重要方面。超集成元件數(shù)量增加和功能齊全，測試項目和測試速度已非人工所能勝任，計算機輔助測試已成為必要手段，而計算機輔助測試中新方法的研究、新圖形的產(chǎn)生都屬于這方面的研究內(nèi)容。集成電路從設計開始就必須同時進行測試方法的設計。可靠性和失效分析集成電路把傳統(tǒng)的電子電路的焊接點減少到幾十個焊點,使電路的可靠性大大提高?？煽啃愿呤羌呻娐返奶攸c之一?？煽啃缘难芯堪ǎ孩偌呻娐樊a(chǎn)品按宏觀統(tǒng)計量抽樣進行例行試驗。例行試驗的每一項目是模仿使用集成電路產(chǎn)品時的客觀現(xiàn)場環(huán)境、惡劣條件進行的。模擬項目有振動、諧振、機械沖擊、例行加速、高低溫循環(huán)、高溫存儲、鹽霧、高壓水汽、動態(tài)加電老化、氦質(zhì)譜檢漏、輻照、靜電感應、寄生參量效應等試驗。這些項目按集成電路類別和使用要求選擇進行。②建立失效分析模型,對不合格的集成電路產(chǎn)品進行失效分析。從集成電路的設計、制備工藝、原材料、封裝、測試和使用條件各個環(huán)節(jié)尋找失效原因，進行綜合性研究。新集成電路的研制硅集成電路的研究已開拓了廣闊領域，而全部采用硅制作集成電路的局面正在發(fā)生變化。①砷化鎵的電子遷移率比硅的高4～5倍，寄生電容又可以做得小，電路的速度更高，如數(shù)字邏輯集成電路的速度可達10吉赫，而電路功耗僅為硅集成電路類同樣產(chǎn)品的1/25～1/40。砷化鎵與其他Ⅲ－Ⅴ族化合物材料結(jié)合，可望獲得更高的電子遷移率，并可以和光電器件集成在同一襯底上,它比硅器件更耐高溫和輻射。在77K低溫下工作優(yōu)于4K的約瑟夫遜結(jié)器件。這是未來超高速超大規(guī)模集成電路的研究方向之一。②高電子遷移率晶體管由砷化鎵和鎵、鋁、砷結(jié)合而成，速度甚高，室溫單門延遲已達10～20皮秒。③光集成電路和光存儲器能利用光子片借助光傳遞信息。這種芯片對光、電信號都能處理，預計芯片面積更小，速度快，發(fā)熱量小。光存儲器組成光盤具有存儲14兆字節(jié)以上的容量。④超晶格器件是利用分子束外延把近似100埃的InAs、AlSb、GeSb三層結(jié)構分別以原子層一層一層地外延生長制成的，能達到高集成度和高速度。⑤三維集成電路使硅集成電路從傳統(tǒng)的平面結(jié)構，走向立體多層結(jié)構?？衫矛F(xiàn)有集成電路工藝制作多層、層間用絕緣層隔離，并立體互連的結(jié)構。人們已提出疊層高密度結(jié)構和疊層多功能結(jié)構兩種電路模式，這兩種模式正向智能集成電路方向發(fā)展。

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7，什么是載流子的遷移率

8，載流子遷移率的介紹

9，霍爾元件的主要技術參數(shù)

10，COMS門電路和TTL集成門電路外部結(jié)構的區(qū)別

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5，如何計算化學反應方程式中的電子轉(zhuǎn)移總數(shù) 有系數(shù)怎么計算 沒有系數(shù)

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