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首頁(yè) > 產(chǎn)品 > 問(wèn)答 > 電子遷移率，的一端流進(jìn)去從對(duì)側(cè)的另一端流出來(lái)球中各點(diǎn)的電子遷移速率是

電子遷移率，的一端流進(jìn)去從對(duì)側(cè)的另一端流出來(lái)球中各點(diǎn)的電子遷移速率是

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1，的一端流進(jìn)去從對(duì)側(cè)的另一端流出來(lái)球中各點(diǎn)的電子遷移速率是

相同

的一端流進(jìn)去從對(duì)側(cè)的另一端流出來(lái)球中各點(diǎn)的電子遷移速率是

2，si的電子遷移率是多少

Si的電子遷移率一般在1000cm2/Vs左右，具體數(shù)值還需要考慮雜質(zhì)濃度、溫度等因素的影響。電子遷移率是材料導(dǎo)電性能的一個(gè)重要參數(shù)，其數(shù)值越大則說(shuō)明材料導(dǎo)電性能越好，因此，Si作為一種常用的半導(dǎo)體材料，其電子遷移率尤為重要，在半導(dǎo)體器件制造等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

si的電子遷移率是多少

3，電子的轉(zhuǎn)移量受到什么因素影響

樓上正解，會(huì)分布均勻
是6mol

電子的轉(zhuǎn)移量受到什么因素影響

4，方塊電阻電子遷移率

方塊電阻電子遷移率測(cè)量范圍：100-20000（cm2/v.sec)。遷移率測(cè)量范圍：100-20000（cm2/v.sec)。方塊電阻測(cè)量范圍：100-3000（ohm/sq)。載流子面密度測(cè)量范圍：1E11-1E14（cm-2）。電磁鐵磁場(chǎng)強(qiáng)度：1.0T，探頭線圈直徑：15mm。

5，如何計(jì)算化學(xué)反應(yīng)方程式中的電子轉(zhuǎn)移總數(shù) 有系數(shù)怎么計(jì)算 沒(méi)有系數(shù)

先來(lái)最簡(jiǎn)單的置換反應(yīng)Mg+2HCl=Mgcl2+H2 鎂從0價(jià)變+2價(jià) 就是Mg 失2mol電子 變成鎂離子 電子轉(zhuǎn)移總數(shù)就是2mol 再來(lái)看 2H2O2==2H2O+O2 過(guò)氧化氫的氧既失電子又得電子,,但總的轉(zhuǎn)移電子數(shù)還是4mol...樓主只要標(biāo)清楚元素化合價(jià)的變化..看清楚計(jì)量數(shù)就行了...但有些反應(yīng)的元素是部分參與氧化還原反應(yīng)的..不參加反應(yīng)的部分是不算有電子轉(zhuǎn)移..這個(gè)得小心
先來(lái)最簡(jiǎn)單的置換反應(yīng)Mg+2HCl=Mgcl2+H2 鎂從0價(jià)變+2價(jià) 就是Mg 失2mol電子 變成鎂離子 電子轉(zhuǎn)移總數(shù)就是2mol 再來(lái)看 2H2O2==2H2O+O2 過(guò)氧化氫的氧既失電子又得電子,,但總的轉(zhuǎn)移電子數(shù)還是4mol...樓主只要標(biāo)清楚元素化合價(jià)的變化..看清楚計(jì)量數(shù)就行了...但有些反應(yīng)的元素是部分參與氧化還原反應(yīng)的..不參加反應(yīng)的部分是不算有電子轉(zhuǎn)移..這個(gè)得小心

6，n型硅的電子遷移率

n型硅的電子遷移率為1350cm^2/(VS)。根據(jù)查詢相關(guān)資料遷移率是指載流子（電子和空宏）在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度，即載流子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度，運(yùn)動(dòng)得越快，迂移率越大。運(yùn)動(dòng)得慢，遷移率小。同一種半導(dǎo)體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，An是電子的遷移率高于空穴。如室溫下，低拉小硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/(VS)，而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。

7，什么是載流子的遷移率

遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度，即載流子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度，運(yùn)動(dòng)得越快，遷移率越大；運(yùn)動(dòng)得慢，遷移率小。同一種半導(dǎo)體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高于空穴。如室溫下，輕參雜硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（VS），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。 遷移率主要影響到晶體管的兩個(gè)性能： 一是載流子濃度一起決定半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率（電阻率的倒數(shù)）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過(guò)相同電流時(shí)，功耗越小，電流承載能力越大。由于電子的遷移率一般高于空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通?？偸遣捎秒娮幼鳛檩d流子的n溝道結(jié)構(gòu)，而不采用空穴作為載流子的p溝道結(jié)構(gòu). 二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應(yīng)特性最主要的限制是少數(shù)載流子渡越基區(qū)的時(shí)間。遷移率越大，需要的渡越時(shí)間越短，晶體管的截止頻率與基區(qū)材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時(shí)，提高晶體管的開(kāi)關(guān)形影速度。

8，載流子遷移率的介紹

遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場(chǎng)作用下的平均漂移速度，即載流子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度，運(yùn)動(dòng)得越快，遷移率越大；運(yùn)動(dòng)得慢，遷移率小。同一種半導(dǎo)體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高于空穴。如室溫下，輕參雜硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（VS），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。遷移率主要影響到晶體管的兩個(gè)性能：一是載流子濃度一起決定半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率（電阻率的倒數(shù)）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過(guò)相同電流時(shí)，功耗越小，電流承載能力越大。由于電子的遷移率一般高于空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通?？偸遣捎秒娮幼鳛檩d流子的n溝道結(jié)構(gòu)，而不采用空穴作為載流子的p溝道結(jié)構(gòu).二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應(yīng)特性最主要的限制是少數(shù)載流子渡越基區(qū)的時(shí)間。遷移率越大，需要的渡越時(shí)間越短，晶體管的截止頻率與基區(qū)材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時(shí)，提高晶體管的開(kāi)關(guān)形影速度。

9，霍爾元件的主要技術(shù)參數(shù)

霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度）額定激勵(lì)電流最大允許激勵(lì)電流輸入電阻輸出電阻溫度系數(shù)不等位電勢(shì)（又稱霍爾偏移零點(diǎn)）輸出電壓電壓輸出比率寄生直流電勢(shì)不等位電勢(shì)電勢(shì)溫度系數(shù)僅從實(shí)際使用出發(fā)主要關(guān)心的是 1、2、3、9。
1. 霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）rh2. 靈敏度kh（又稱霍爾乘積靈敏度）3. 額定激勵(lì)電流4. 最大允許激勵(lì)電流5. 輸入電阻6. 輸出電阻7. 溫度系數(shù)8. 不等位電勢(shì)（又稱霍爾偏移零點(diǎn)）9. 輸出電壓10. 電壓輸出比率11. 寄生直流電勢(shì)12. 不等位電勢(shì)13. 電勢(shì)溫度系數(shù)僅從實(shí)際使用出發(fā)主要關(guān)心的是 1、2、3、9。
霍爾元件的輸出特性曲線　?、佥斎胱杩筊IN:在規(guī)定的條件下，霍爾元件控制電流端子之間的阻抗?！　、谳敵鲎杩筊ouT:在規(guī)定的條件下，霍爾元件霍爾電壓產(chǎn)生端子之間的阻抗?！　、劭刂齐娏鱅C:流過(guò)霍爾元件控制電流端的電流，它與磁場(chǎng)相互作用產(chǎn)生霍爾電壓?！　、懿坏任浑妱?shì)VO:霍爾元件在額定控制電流的作用下，若不給元件加外磁場(chǎng)，輸出的霍爾電壓的理想值應(yīng)為零，但由于存在著電極的不對(duì)稱以及材料電阻率不均衡等因素，霍爾元件會(huì)輸出電壓，該電壓稱為不等位電勢(shì)。其值與輸人電壓和電流成正比。VO電壓很小，一般不超過(guò)lmV?！　、蒽`敏度KH:在某一規(guī)定控制電流條件下，霍爾電壓與磁感應(yīng)強(qiáng)度的比值。　?、藁魻栯妷篤H:由霍爾效應(yīng)引起霍爾元件產(chǎn)生的電壓。圖所示是霍爾元件在恒流源和恒壓源下的霍爾電壓與磁通密度之間的典型曲線，即輸出特性曲線?！　、呋魻栯妷旱臏囟忍匦?當(dāng)溫度升高時(shí)，霍爾電壓減少，呈現(xiàn)負(fù)溫度特性
1、霍爾系數(shù)（又稱霍爾常數(shù)）RH 在磁場(chǎng)不太強(qiáng)時(shí)，霍爾電勢(shì)差UH與激勵(lì)電流I和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH稱為霍爾系數(shù)，它表示霍爾效應(yīng)的強(qiáng)弱。 另RH=μ*ρ即霍爾常數(shù)等于霍爾片材料的電阻率ρ與電子遷移率μ的乘積。 2、霍爾靈敏度KH（又稱霍爾乘積靈敏度） 霍爾靈敏度與霍爾系數(shù)成正比而與霍爾片的厚度δ成反比，即KH=RH/δ，它通?？梢员碚骰魻柍?shù)。3、霍爾額定激勵(lì)電流當(dāng)霍爾元件自身溫升10℃時(shí)所流過(guò)的激勵(lì)電流稱為額定激勵(lì)電流。4、霍爾最大允許激勵(lì)電流以霍爾元件允許最大溫升為限制所對(duì)應(yīng)的激勵(lì)電流稱為最大允許激勵(lì)電流。5、霍爾輸入電阻霍爾激勵(lì)電極間的電阻值稱為輸入電阻。 6、霍爾輸出電阻霍爾輸出電極間的電阻值稱為輸入電阻。 7、霍爾元件的電阻溫度系數(shù)在不施加磁場(chǎng)的條件下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，電阻的相對(duì)變化率，用α表示，單位為%/℃。 8、霍爾不等位電勢(shì)（又稱霍爾偏移零點(diǎn)） 在沒(méi)有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為不等位電勢(shì)。 9、霍爾輸出電壓在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，在輸出端空載測(cè)得的霍爾電勢(shì)差稱為霍爾輸出電壓。 10、霍爾電壓輸出比率霍爾不等位電勢(shì)與霍爾輸出電勢(shì)的比率 11、霍爾寄生直流電勢(shì)在外加磁場(chǎng)為零、霍爾元件用交流激勵(lì)時(shí)，霍爾電極輸出除了交流不等位電勢(shì)外，還有一直流電勢(shì)，稱寄生直流電勢(shì)。 12、霍爾不等位電勢(shì)在沒(méi)有外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。 13、霍爾電勢(shì)溫度系數(shù)在外加磁場(chǎng)和霍爾激勵(lì)電流為I的情況下，環(huán)境溫度每變化1℃時(shí)，不等位電勢(shì)的相對(duì)變化率。它同時(shí)也是霍爾系數(shù)的溫度系數(shù)。14、熱阻Rth霍爾元件工作時(shí)功耗每增加1W，霍爾元件升高的溫度值稱為它的熱阻，它反映了元件散熱的難易程度，單位為： 攝氏度/whttp://baike.baidu.com/view/282539.htm

10，COMS門電路和TTL集成門電路外部結(jié)構(gòu)的區(qū)別

集成電路的產(chǎn)生與晶體管和硅平面工藝的發(fā)明是分不開(kāi)的。集成電路起源于半導(dǎo)體物理學(xué)和固態(tài)電子器件的研究。集成電路的發(fā)展，如高速電路、低功耗電路、高可靠、高集成度和高集成密度等電路方面的研究與半導(dǎo)體物理、固態(tài)電子器件的研究有著不可分的密切關(guān)系。 與材料科學(xué)和晶體生長(zhǎng)技術(shù)的關(guān)系 固態(tài)器件和集成電路的發(fā)明、發(fā)展與材料科學(xué)、晶體生長(zhǎng)技術(shù)有淵源關(guān)系。40年代，晶體管現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)是由于當(dāng)時(shí)鍺、硅單元素半導(dǎo)體材料的研究達(dá)到了相當(dāng)高的水平。制備集成電路芯片要求高質(zhì)量、大直徑硅單晶。對(duì)硅單晶的純度、位錯(cuò)、均勻性、含氧量、微缺陷等的研究，以及砷化鎵材料和其他新材料的研究，都依賴于材料科學(xué)和晶體生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展。 與超純化學(xué)的關(guān)系 在集成電路制備過(guò)程中，如引入微量不需要的雜質(zhì)，就會(huì)引起電路失效。在幾十道制備工序中所用的超純?cè)噭⒊儦怏w、超純水和感光膠等，無(wú)不有賴于超純化學(xué)的研究成果。 與光學(xué)、精密機(jī)械和電子、電工學(xué)的關(guān)系 集成電路專用設(shè)備和專用儀器儀表，是研究和生產(chǎn)集成電路必不可少的手段，制備工藝采用微米、亞微米量級(jí)的微細(xì)加工技術(shù)，高精度、高真空、高氣壓下操作實(shí)驗(yàn)和程序控制、自動(dòng)化等都須借助于設(shè)備、儀器儀表的研究和制造。 與環(huán)境凈化科學(xué)的關(guān)系 集成電路需要在潔凈的環(huán)境下進(jìn)行研制和生產(chǎn)。例如，掩模制作技術(shù)、光刻技術(shù)等要求在100級(jí)、局部0級(jí)的超凈環(huán)境下操作。集成電路進(jìn)一步向超集成密度發(fā)展，制備的環(huán)境條件離不開(kāi)環(huán)境凈化科學(xué)。 科學(xué)研究?jī)?nèi)容 集成電路的研究和發(fā)展包括 6個(gè)方面的內(nèi)容。 設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)分析 早期，中、小規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)和掩模版制作多靠人工完成,進(jìn)入大規(guī)模集成階段后,人工設(shè)計(jì)必須借助集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，通過(guò)人機(jī)交互自動(dòng)實(shí)現(xiàn)。①邏輯設(shè)計(jì)：對(duì)數(shù)字邏輯電路來(lái)說(shuō)包括初步邏輯設(shè)計(jì)、邏輯綜合、繪制出邏輯圖、劃分并列出接線表、產(chǎn)生自動(dòng)測(cè)試圖案和進(jìn)行邏輯模擬，由計(jì)算機(jī)模擬輸出。②電路設(shè)計(jì)：在邏輯設(shè)計(jì)之后進(jìn)行，包括初步電路設(shè)計(jì)、單元布局、電路分析、建立電路元件數(shù)學(xué)模型和通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行電路模擬計(jì)算。③器件設(shè)計(jì)：根據(jù)器件中的雜質(zhì)分布計(jì)算器件的電特性。④工藝設(shè)計(jì)：模擬工藝過(guò)程，根據(jù)工藝參數(shù)對(duì)器件、電路的電性能參數(shù)的影響,選擇最佳工藝條件,必要時(shí)也可對(duì)電路設(shè)計(jì)、器件設(shè)計(jì)提出修改。⑤版圖設(shè)計(jì)：根據(jù)電路分析模擬完成電路設(shè)計(jì)圖，進(jìn)行電路幾何圖形和版圖設(shè)計(jì)，并由計(jì)算機(jī)輔助制版系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)制版。⑥編制計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試程序。為了完成上述各種模擬設(shè)計(jì)，需要建立標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和模型參數(shù)庫(kù)。 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)新方法和手段的研究 研究如何用好計(jì)算機(jī)進(jìn)行輔助設(shè)計(jì)，建立新方法和新手段是設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)分析中的新課題。為集成電路設(shè)計(jì)提供的常用軟件有：①邏輯設(shè)計(jì)方面的如邏輯檢查程序、邏輯綜合程序、自動(dòng)設(shè)計(jì) PLA程序和測(cè)試碼自動(dòng)產(chǎn)生程序等。它們用于研究邏輯簡(jiǎn)化、布爾代數(shù)關(guān)系檢查、測(cè)試碼的自動(dòng)產(chǎn)生和邏輯電路自動(dòng)設(shè)計(jì)；②電路設(shè)計(jì)方面的如電路模擬程序、時(shí)序模擬程序、混合模擬程序和器件模型參數(shù)的優(yōu)化提取程序；③器件設(shè)計(jì)方面的如一維、二維和三維的器件模擬程序；④工藝設(shè)計(jì)方面的如工藝模擬程序；⑤統(tǒng)計(jì)分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)方面的有工藝統(tǒng)計(jì)模擬程序和電路容差分析程序；⑥版圖設(shè)計(jì)方面的如交互式版圖編輯程序、自動(dòng)布局、布線程序和設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序等。 制備工藝和工藝物理 集成電路制備工藝是在硅平面工藝基礎(chǔ)上逐步發(fā)展起來(lái)的。每當(dāng)工藝技術(shù)有了新的突破，集成電路性能就向新的水平推進(jìn)一步。因此，新的制備工藝和工藝物理研究是一項(xiàng)重要的內(nèi)容?，F(xiàn)有的制備工藝包括單晶大圓片的切、磨、拋、清洗、合金化、擴(kuò)散摻雜、離子注入摻雜、氧化、表面鈍化、光刻曝光和微細(xì)刻蝕、蒸發(fā)、濺射、壓焊、化學(xué)汽相淀積工藝、外延生長(zhǎng)、隔離技術(shù)、自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)、金屬互連工藝、亞微米微細(xì)加工工藝技術(shù)等。在制備工藝的不斷發(fā)展過(guò)程中，在傳統(tǒng)的高溫工藝基礎(chǔ)上提出了低溫工藝，在化學(xué)腐蝕工藝方面提出了干法工藝、全離子工藝，從機(jī)械對(duì)準(zhǔn)發(fā)展為自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)等。 測(cè)試方法研究和測(cè)試手段 隨著集成電路進(jìn)入超大規(guī)模集成和系統(tǒng)集成階段，大規(guī)模集成電路測(cè)試已成為一個(gè)重要方面。超集成元件數(shù)量增加和功能齊全，測(cè)試項(xiàng)目和測(cè)試速度已非人工所能勝任，計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試已成為必要手段，而計(jì)算機(jī)輔助測(cè)試中新方法的研究、新圖形的產(chǎn)生都屬于這方面的研究?jī)?nèi)容。集成電路從設(shè)計(jì)開(kāi)始就必須同時(shí)進(jìn)行測(cè)試方法的設(shè)計(jì)。 可靠性和失效分析 集成電路把傳統(tǒng)的電子電路的焊接點(diǎn)減少到幾十個(gè)焊點(diǎn),使電路的可靠性大大提高。可靠性高是集成電路的特點(diǎn)之一。可靠性的研究包括：①集成電路產(chǎn)品按宏觀統(tǒng)計(jì)量抽樣進(jìn)行例行試驗(yàn)。例行試驗(yàn)的每一項(xiàng)目是模仿使用集成電路產(chǎn)品時(shí)的客觀現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境、惡劣條件進(jìn)行的。模擬項(xiàng)目有振動(dòng)、諧振、機(jī)械沖擊、例行加速、高低溫循環(huán)、高溫存儲(chǔ)、鹽霧、高壓水汽、動(dòng)態(tài)加電老化、氦質(zhì)譜檢漏、輻照、靜電感應(yīng)、寄生參量效應(yīng)等試驗(yàn)。這些項(xiàng)目按集成電路類別和使用要求選擇進(jìn)行。②建立失效分析模型,對(duì)不合格的集成電路產(chǎn)品進(jìn)行失效分析。從集成電路的設(shè)計(jì)、制備工藝、原材料、封裝、測(cè)試和使用條件各個(gè)環(huán)節(jié)尋找失效原因，進(jìn)行綜合性研究。 新集成電路的研制 硅集成電路的研究已開(kāi)拓了廣闊領(lǐng)域，而全部采用硅制作集成電路的局面正在發(fā)生變化。①砷化鎵的電子遷移率比硅的高4～5倍，寄生電容又可以做得小，電路的速度更高，如數(shù)字邏輯集成電路的速度可達(dá)10吉赫，而電路功耗僅為硅集成電路類同樣產(chǎn)品的1/25～1/40。砷化鎵與其他Ⅲ－Ⅴ族化合物材料結(jié)合，可望獲得更高的電子遷移率，并可以和光電器件集成在同一襯底上,它比硅器件更耐高溫和輻射。在77K低溫下工作優(yōu)于4K的約瑟夫遜結(jié)器件。這是未來(lái)超高速超大規(guī)模集成電路的研究方向之一。②高電子遷移率晶體管由砷化鎵和鎵、鋁、砷結(jié)合而成，速度甚高，室溫單門延遲已達(dá)10～20皮秒。③光集成電路和光存儲(chǔ)器能利用光子片借助光傳遞信息。這種芯片對(duì)光、電信號(hào)都能處理，預(yù)計(jì)芯片面積更小，速度快，發(fā)熱量小。光存儲(chǔ)器組成光盤具有存儲(chǔ)14兆字節(jié)以上的容量。④超晶格器件是利用分子束外延把近似100埃的InAs、AlSb、GeSb三層結(jié)構(gòu)分別以原子層一層一層地外延生長(zhǎng)制成的，能達(dá)到高集成度和高速度。⑤三維集成電路使硅集成電路從傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，走向立體多層結(jié)構(gòu)?？衫矛F(xiàn)有集成電路工藝制作多層、層間用絕緣層隔離，并立體互連的結(jié)構(gòu)。人們已提出疊層高密度結(jié)構(gòu)和疊層多功能結(jié)構(gòu)兩種電路模式，這兩種模式正向智能集成電路方向發(fā)展。
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