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1，sdram規(guī)范中的lbank怎么定義的
2，long和bank發(fā)音一樣么
3，怎么將LBank里面的虛擬幣轉(zhuǎn)到imToken錢包
4，LC是電匯嗎電匯是怎樣的一種付款方式
5，以信用卡辦貸款有那些l銀行
6，什么是EDO和SDRAM

1，sdram規(guī)范中的lbank怎么定義的

看此DDR SDRAM的BA(SDRAM Bank Addresses) pin腳有幾pin 例如BA[2:0]表示他有0.1.2共三pin所以他的bank數(shù)為2^3=8當(dāng)然有datasheet的話，里面就會(huì)告知了!

sdram規(guī)范中的lbank怎么定義的

2，long和bank發(fā)音一樣么

long 英[l??] 美[l?:?] bank 英[b??k] 美[b??k] 發(fā)音不一樣望采納

不一樣的哦

顯然不一樣的。。。

不一樣

long和bank發(fā)音一樣么

3，怎么將LBank里面的虛擬幣轉(zhuǎn)到imToken錢包

要鏈接轉(zhuǎn)吧，地址填對(duì)了就好。這里下載的im錢包挺好用www.yinmalaw.com

任務(wù)占坑

比如想轉(zhuǎn)ETH，把imtoken上以太坊的地址復(fù)制，到Lbank上點(diǎn)擊以太坊提幣，輸入地址就可以了，其他幣同上望采納謝謝

怎么將LBank里面的虛擬幣轉(zhuǎn)到imToken錢包

4，LC是電匯嗎電匯是怎樣的一種付款方式

L/C是指信用證結(jié)匯.電匯是T/T.t/t就是指國(guó)外把錢通過他們國(guó)家的銀行直接匯到你的銀行帳戶.這是一種商業(yè)信用,收匯有一定的風(fēng)險(xiǎn).也就是客人到時(shí)不匯錢給你就慘了.而L/C是信用證,是屬于銀行信用的.只要你的單證符合信用證的規(guī)定,收匯就不會(huì)有什么問題的.

以上說得對(duì)，我同意他們的觀點(diǎn)。

如果我這里是上海,把錢匯入上海地區(qū),就用貸記憑證如是上海匯入外地,就用電匯.

電匯屬于即時(shí)付款，信用證屬于信用付款

5，以信用卡辦貸款有那些l銀行

招行推出的e招貸，最高可貸30萬額度。e招貸和借唄、微粒貸差不多，是招行推出的一款貸款產(chǎn)品。那么，招行e招貸怎么申請(qǐng)？　　招行e招貸1、閃電借款：無需材料、無需抵押、在線申請(qǐng)，最快30秒完成申請(qǐng)；　　2、專享額度：獨(dú)立e招貸賬戶，專享現(xiàn)金額度，最高可借30W，單獨(dú)出賬，單獨(dú)還款；　　3、首次測(cè)評(píng)辦理會(huì)調(diào)用人行接口（意味著會(huì)查信用報(bào)告），辦理成功會(huì)新增一個(gè)賬戶，貸款一次打入借記卡（支持多家銀行）；　　4、按日計(jì)息：日利率0.05%（推廣期日利率0.04%），e招貸可隨時(shí)還清，與個(gè)人賬戶互不影響；　　5、還款靈活：每月只需還滿最低額，最低還款額按照賬單日總欠款的10%計(jì)算。掌上生活申請(qǐng)流程：登錄掌上生活A(yù)PP，選擇“卡.支付”→e招貸，即可嘗試申請(qǐng)，系統(tǒng)實(shí)時(shí)給出審核結(jié)果。

信用卡貸款是指銀行根據(jù)信用卡持卡人的資信狀況給予一定的額度，持卡人可以利用信用卡進(jìn)行刷卡消費(fèi)。信用卡貸款償還方式分為一次性還本和分期償還兩種方式。期是銀行信用卡消費(fèi)信貸服務(wù)之一，即信用卡持卡人在進(jìn)行購物消費(fèi)的時(shí)候，可以選擇將購買的商品或者服務(wù)的總價(jià)平均分成3期、6期、12期或者24期等若干期數(shù)(月份)分期支付。再看看別人怎么說的。

6，什么是EDO和SDRAM

EDO內(nèi)存　　EDO是Extended Data Out（擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）的簡(jiǎn)稱，它取消了主板與內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，每隔2個(gè)時(shí)鐘脈沖周期傳輸一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時(shí)間，使存取速度提高30％，達(dá)到60ns。EDO內(nèi)存主要用于72線的SIMM內(nèi)存條，以及采用EDO內(nèi)存芯片的PCI顯示卡。這種內(nèi)存流行在486以及早期的奔騰計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，它有72線和168線之分，采用5V工作電壓，帶寬32 bit，必須兩條或四條成對(duì)使用，可用于英特爾430FX/430VX甚至430TX芯片組主板上。目前也已經(jīng)被淘汰，只能在某些老爺機(jī)上見到。 SDRAM 　　 SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫?！　DRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(顯卡上的DDR已經(jīng)發(fā)展到DDR5)　　第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時(shí)鐘信號(hào),第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。　　SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的頻率，第一代內(nèi)存用時(shí)鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時(shí)鐘信號(hào)為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz?！　≈蟮牡诙?，三，四代DDR（Double Data Rate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號(hào)，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G?！　DR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1600?！　『芏嗳藢DRAM錯(cuò)誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導(dǎo)?！　DR不等于SDRAM?！　in:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。　　SIMM：Single In-line Memory Module,單列內(nèi)存模組。內(nèi)存模組就是我們常說的內(nèi)存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳（雖然兩側(cè)都有金手指）?！　IMM：Double In-line Memory Module，雙列內(nèi)存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側(cè)的金手指對(duì)應(yīng)一列引腳?！　IMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內(nèi)存模塊，這種內(nèi)存槽只能插DDR或Rambus內(nèi)存?！　O-DIMM:筆記本常用的內(nèi)存模組?！　」ぷ麟妷海骸　DR：3.3V　　DDR：2.5V　　DDR2：1.8V　　DDR3：1.5V　　SDRAM內(nèi)存條的金手指通常是168線，而DDR SDRAM內(nèi)存條的金手指通常是184線的?！　状a(chǎn)品金手指的缺口數(shù)及缺口位置也不同有效防止反插與錯(cuò)插，SDRAM有兩個(gè)缺口，DDR只有一個(gè)缺口。　　SDRAM的結(jié)構(gòu)、時(shí)序與性能的關(guān)系　　一、影響性能的主要時(shí)序參數(shù)　　所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因?yàn)橐忻?、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時(shí)間越短，內(nèi)存工作的效率越高，性能也就越好。　　非數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應(yīng)該很明顯看出有三個(gè)參數(shù)對(duì)內(nèi)存的性能影響至關(guān)重要，它們是tRCD、CL和tRP。每條正規(guī)的內(nèi)存模組都會(huì)在標(biāo)識(shí)上注明這三個(gè)參數(shù)值，可見它們對(duì)性能的敏感性?！　∫詢?nèi)存最主要的操作——讀取為例。tRCD決定了行尋址（有效）至列尋址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列尋址到數(shù)據(jù)進(jìn)行真正被讀取所花費(fèi)的時(shí)間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的速度?，F(xiàn)在可以想象一下讀取時(shí)可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時(shí)不用考慮CL即可）：　　1、要尋址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關(guān)閉的，此時(shí)可直接發(fā)送行有效命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時(shí)為tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中（PH，Page Hit）。　　2、要尋址的行正好是前一個(gè)操作的工作行，也就是說要尋址的行已經(jīng)處于選通有效狀態(tài)，此時(shí)可直接發(fā)送列尋址命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時(shí)僅為CL，這就是所謂的背靠背（Back to Back）尋址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。　　3、要尋址的行所在的L-Bank中已經(jīng)有一個(gè)行處于活動(dòng)狀態(tài)（未關(guān)閉），這種現(xiàn)象就被稱作尋址沖突，此時(shí)就必須要進(jìn)行預(yù)充電來關(guān)閉工作行，再對(duì)新行發(fā)送行有效命令。結(jié)果，總耗時(shí)就是tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯(cuò)失（PM，Page Miss）。　　顯然，PFH是最理想的尋址情況，PM則是最糟糕的尋址情況。上述三種情況發(fā)生的機(jī)率各自簡(jiǎn)稱為PHR——PH Rate、PFDR——PFH Rate、PMR——PM Rate。因此，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員（包括內(nèi)存與北橋芯片）都盡量想提高PHR與PFHR，同時(shí)減少PMR，以達(dá)到提高內(nèi)存工作效率的目的?！　《⒃黾覲HR的方法　　顯然，這與預(yù)充電管理策略有著直接的關(guān)系，目前有兩種方法來盡量提高PHR。自動(dòng)預(yù)充電技術(shù)就是其中之一，它自動(dòng)的在每次行操作之后進(jìn)行預(yù)充電，從而減少了日后對(duì)同一L-Bank不同行尋址時(shí)發(fā)生沖突的可能性。但是，如果要在當(dāng)前行工作完成后馬上打開同一L-Bank的另一行工作時(shí)，仍然存在tRP的延遲。怎么辦？此時(shí)就需要L-Bank交錯(cuò)預(yù)充電了?！　IA的4路交錯(cuò)式內(nèi)存控制就是在一個(gè)L-Bank工作時(shí)，對(duì)下一個(gè)要工作的L-Bank進(jìn)行預(yù)充電。這樣，預(yù)充電與數(shù)據(jù)的傳輸交錯(cuò)執(zhí)行，當(dāng)訪問下一個(gè)L-Bank時(shí)，tRP已過，就可以直接進(jìn)入行有效狀態(tài)了。目前VIA聲稱可以跨P-Bank進(jìn)行16路內(nèi)存交錯(cuò)，并以LRU算法進(jìn)行預(yù)充電管理。　　有關(guān)L-Bank交錯(cuò)預(yù)充電（存取）的具體執(zhí)行在本刊2001年第2期已有詳細(xì)介紹，這里就不再重復(fù)了?！　-Bank交錯(cuò)自動(dòng)預(yù)充電/讀取時(shí)序圖（可點(diǎn)擊放大）：L-Bank 0與L-Bank 3實(shí)現(xiàn)了無間隔交錯(cuò)讀取，避免了tRP對(duì)性能的影響三、增加PFHR的方法　　無論是自動(dòng)預(yù)充電還是交錯(cuò)工作的方法都無法消除tRCD所帶來的延遲。要解決這個(gè)問題，就要盡量讓一個(gè)工作行在進(jìn)行預(yù)充電前盡可能多的接收多個(gè)工作命令，以達(dá)到背靠背的效果，此時(shí)就只剩下CL所造成的讀取延遲了（寫入時(shí)沒有延遲）?！　∪绾巫龅竭@一點(diǎn)呢？這就是北橋芯片的責(zé)任了。在上文的時(shí)序圖中有一個(gè)參數(shù)tRAS（Active to Precharge Command，行有效至預(yù)充電命令間隔周期）。它有一個(gè)范圍，對(duì)于PC133標(biāo)準(zhǔn)，一般是預(yù)充電命令至少要在行有效命令5個(gè)時(shí)鐘周期之后發(fā)出，最長(zhǎng)間隔視芯片而異（基本在120000ns左右），否則工作行的數(shù)據(jù)將有丟失的危險(xiǎn)。那么這也就意味著一個(gè)工作行從有效（選通）開始，可以有120000ns的持續(xù)工作時(shí)間而不用進(jìn)行預(yù)充電。顯然，只要北橋芯片不發(fā)出預(yù)充電（包括允許自動(dòng)預(yù)充電）的命令，行打開的狀態(tài)就會(huì)一直保持。在此期間的對(duì)該行的任何讀寫操作也就不會(huì)有tRCD的延遲?？梢?，如果北橋芯片在能同時(shí)打開的行（頁）越多，那么PFHR也就越大。需要強(qiáng)調(diào)的是，這里的同時(shí)打開不是指對(duì)多行同時(shí)尋址（那是不可能的），而是指多行同時(shí)處于選通狀態(tài)。我們可以看到一些SDRAM芯片組的資料中會(huì)指出可以同時(shí)打開多少個(gè)頁的指標(biāo)，這可以說是決定其內(nèi)存性能的一個(gè)重要因素?！　ntel 845芯片組MCH的資料：其中表明它可以支持24個(gè)頁面同時(shí)處于打開狀態(tài)　　但是，可同時(shí)打開的頁數(shù)也是有限制的。從SDRAM的尋址原理講，同一L-Bank中不可能有兩個(gè)打開的行（S-AMP只能為一行服務(wù)），這就限制了可同時(shí)打開的頁面總數(shù)。以SDRAM有4個(gè)L-Bank，北橋最多支持8個(gè)P-Bank為例，理論上最多只能有32個(gè)頁面能同時(shí)處于打開的狀態(tài)。而如果只有一個(gè)P-Bank，那么就只剩下4個(gè)頁面，因?yàn)橛袔讉€(gè)L-Bank才能有同時(shí)打開幾個(gè)行而互不干擾。Intel 845的MHC雖然可以支持24個(gè)打開的頁面，那也是指6個(gè)P-Bank的情況下（845MCH只支持6個(gè)P-Bank）?？梢?45已經(jīng)將同時(shí)打開頁數(shù)發(fā)揮到了極致?！　〔贿^，同時(shí)打開頁數(shù)多了，也對(duì)存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數(shù)據(jù)不存在（讀取時(shí)）或頁存滿了（寫入時(shí)）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續(xù)讀/寫。而打開新頁時(shí)就必須要關(guān)閉一個(gè)打開的頁，如果此時(shí)打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話，就需要一個(gè)替換策略，一般都是用LRU算法來進(jìn)行，這與VIA的交錯(cuò)控制大同小異。

edo是早期的72線內(nèi)內(nèi)存。和386、486等cpu配合使用。現(xiàn)在已經(jīng)看不到了。 sdram是以前的168線內(nèi)存，和以前的賽揚(yáng)cpu1、２、３代，和amd的早期cｐｕ配合使用。