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3，請教日語達人SIGE四該什么意思
4，硅鍺砷化鎵能帶結構的異同簡答
5，硅光電池的類別
6，半導體的性質作用具有什么性

1，求SiGe的晶體結構參數

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求SiGe的晶體結構參數

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4，硅鍺砷化鎵能帶結構的異同簡答

·硅鍺與硅和砷化鎵的對比 SiGe相比Si和GaAs具有四大優(yōu)點：由于能量勢壘較小，因而功耗較低，開關速度較高；低頻和射頻范圍的噪聲系數較低；由于功率輸出大，有可能進行嶄新的設計；整個制造過程可采用經濟有效的解決方案，因為SiGe制造工藝保留了硅制造工藝的大部分成本經濟性。 ·砷化鎵與硅的比較砷化鎵復合物一直被認為是Si最強大競爭對手的原因：GaAs集成電路的工作速度高于硅集成電路，原因是GaAs的低場電子遷移率要大于硅，同時GaAs的飽和場低于硅的飽和場；GaAs禁帶寬度要比硅的禁帶寬度大三個數量級，這樣GaAs可做成半絕緣的，用半絕緣GaAs襯底做成的器件可減少寄生電容，其速度比硅還要快；GaAs是一種直接帶材料，并能發(fā)射光，適于制作激光器、發(fā)光二極管和微波發(fā)射器。硅比砷化鎵具有幾個明顯的優(yōu)點：硅可以把自己的氧化物形式用做絕緣體，這種絕緣體起著掩模的作用，對硅提供保護，而砷化鎵卻無此能力，因而GaAs器件較難制造，而且造價較高；硅的導熱能力是砷化物的 2.75 倍，因此，用硅電路可實現(xiàn)的封裝密度要高于GaAs電路；砷化物是劇毒的，因而即使用量極少，也會在處置和清除GaAs產品方面產生各種問題；硅是地球上最豐富的元素（僅次于氧），而砷化鎵卻極其稀少，獲取要困難得多。

5，硅光電池的類別

p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應，材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉換效率為15.3%，經減薄襯底，加強陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制備的轉換效率約為 12.6-17.3%。采用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或對a-Si：H材料膜進行后退火，達到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構，是提高a-S光電池穩(wěn)定性和轉換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計算表明其效率可在28%以上，將使硅基薄膜光電池性能產生突破性進展。銅銦硒光電池CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉換效率高（已達到17.7%），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用?，F(xiàn)已開發(fā)出反應共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或濺射成膜。阻礙其發(fā)展的原因是工藝重復性差，高效電池成品率低，材料組分較復雜，缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產業(yè)界重視，一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位，積極擴大開發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。 InP（磷化銦）光電池的抗輻射性能特別好，效率達17%到19%，多用于空間方面。采用SiGe單晶襯底，研制出在AM0條件下效率大于20%的GaAs/Si異質結外延光電池，最高效率23.3%。Si/ Ge/GaAs結構的異質外延光電池在不斷開發(fā)中，控制各層厚度，適當變化結構，可使太陽光中各種波長的光子能量都得到有效利用，GaAs基多層結構光電池效率已接近40%。

6，半導體的性質作用具有什么性

以鍺硅合金為例。1、性質：高頻特性良好，材料安全性佳，導熱性好，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優(yōu)勢。2、作用：不但可以直接利用半導體現(xiàn)有200mm 晶圓制程，達到高集成度，據以創(chuàng)造經濟規(guī)模，還有媲美GaAs的高速特性。隨著近來IDM 大廠的投入，SiGe 技術已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題獲得改善而日趨實用。SiGe既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優(yōu)勢，又具備第3 到第5 類半導體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點。只要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe 半導體技術集成高質量無源部件。擴展資料：半導體的導電特性介紹：導體具有良好的導電特性，常溫下，其內部存在著大量的自由電子，它們在外電場的作用下做定向運動形成較大的電流。因而導體的電阻率很小，只有金屬一般為導體，如銅、鋁、銀等。絕緣體幾乎不導電，如橡膠、陶瓷、塑料等。在這類材料中，幾乎沒有自由電子，即使受外電場作用也不會形成電流，所以，絕緣體的電阻率很大，在以上。半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在之間。半導體之所以得到廣泛應用，是因為它的導電能力受摻雜、溫度和光照的影響十分顯著。如純凈的半導體單晶硅在室溫下電阻率約為，若按百萬分之一的比例摻入少量雜質(如磷)后，其電阻率急劇下降為，幾乎降低了一百萬倍。半導體具有這種性能的根本原因在于半導體原子結構的特殊性。參考資料來源：搜狗百科-半導體搜狗百科-鍺硅合金

性質光敏性,熱敏性,摻雜性作用半導體最基本的是二極管和MOS管，原理都是基于N型和P型半導體構成的PN結。二極管是單向導電器件，可以實現(xiàn)整流控制等。MOS管是柵控器件，是目前集成電路中最基本的單元。半導體是微電子產業(yè)的基礎?？刂剖撬暮诵摹；卮鸬暮啙崳唧w知識參見http://baike.baidu.com/view/19928.htm

半導體是介于像銅那樣易于電流通過的導體和像橡膠那樣的不導通電流的絕緣體之間的物質。性質:光敏性,熱敏性,摻雜性作用：半導體的作用與價值：目前廣泛應用的半導體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產技術較成熟，用的也較多。用半導體材料制成的部件、集成電路等是電子工業(yè)的重要基礎產品，在電子技術的各個方面已大量使用。半導體材料、器件、集成電路的生產和科研已成為電子工業(yè)的重要組成部分。在新產品研制及新技術發(fā)展方面，比較重要的領域有：（1）集成電路它是半導體技術發(fā)展中最活躍的一個領域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬只晶體管，可在一片硅片上制成一臺微信息處理器，或完成其它較復雜的電路功能。集成電路的發(fā)展方向是實現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達到微微秒級。（2）微波器件半導體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達到數瓦，人們正在通過研制新器件、發(fā)展新技術來獲得更大的輸出功率。（3）光電子器件半導體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個重要的領域。它們的應用范圍主要是：光通信、數碼顯示、圖象接收、光集成等。

什么是半導體呢？顧名思義：導電性能介于導體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconductor）．物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體?？梢院唵蔚陌呀橛趯w和絕緣體之間的材料稱為半導體。與金屬和絕緣體相比，半導體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以后，半導體的存在才真正被學術界認可。電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等。本征半導體不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶(見能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對的產生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子 - 空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實際應用不多。半導體中雜質半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多余的一個電子被束縛于雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位于禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發(fā)到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態(tài)就是雜質能級，通常位于禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多。半導體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理制成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱n型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱p型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故n型半導體中可存在少量導電空穴，p型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。 pn結 p型半導體與n型半導體相互接觸時，其交界區(qū)域稱為pn結。p區(qū)中的自由空穴和n區(qū)中的自由電子要向對方區(qū)域擴散，造成正負電荷在 pn 結兩側的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場方向正好阻止擴散的進行。當由于載流子數密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場的作用達到平衡時，p區(qū)和n區(qū)之間形成一定的電勢差，稱為接觸電勢差。由于p 區(qū)中的空穴向n區(qū)擴散后與n區(qū)中的電子復合，而n區(qū)中的電子向p區(qū)擴散后與p 區(qū)中的空穴復合，這使電偶極層中自由載流子數減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成pn結的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 pn結具有單向導電性，半導體整流管就是利用pn結的這一特性制成的。pn結的另一重要性質是受到光照后能產生電動勢，稱光生伏打效應，可利用來制造光電池。半導體三極管、可控硅、pn結光敏器件和發(fā)光二極管等半導體器件均利用了pn結的特性。

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