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磁控濺射技術(shù)，電鍍與磁控濺射對比有什么優(yōu)缺點

來源：整理時間：2023-08-20 07:24:35 編輯：智能門戶手機版

本文目錄一覽

1，電鍍與磁控濺射對比有什么優(yōu)缺點
2，什么叫磁控濺射太陽膜
3，磁控濺射加偏壓有什么用
4，磁控濺射如何制作DLC膜層
5，直流磁控濺射和射頻磁控濺射的區(qū)別到底是什么啊
6，真空鍍膜機的原理

1，電鍍與磁控濺射對比有什么優(yōu)缺點

兩者應(yīng)用環(huán)境很不一樣。磁控濺射是真空環(huán)境中鍍膜，牢固性，致密性和均勻性都是很完美的。磁控濺射還可以鍍光學(xué)膜。電鍍之能鍍金屬吧。一個是化學(xué)過程，一個是物理過程。

電鍍與磁控濺射對比有什么優(yōu)缺點

2，什么叫磁控濺射太陽膜

磁控濺射工藝是將鎳、銀、鈦、金等高級宇航合金材料采用最先進的多腔高速旋轉(zhuǎn)設(shè)備，利用電場與磁場原理高速度高力量地均勻濺射于高張力的PET基材上，保證產(chǎn)品卓越的隔熱功能、清晰的透光率及科學(xué)、自然的金屬涂層。此類產(chǎn)品有非常好的金屬質(zhì)感，有無法比擬的清晰度，而且反光極低。由于粒子更細、結(jié)構(gòu)更緊密，因此，隔熱持久性更高，而且可以保證永不褪色。

什么叫磁控濺射太陽膜

3，磁控濺射加偏壓有什么用

磁控濺射是目前應(yīng)用最廣泛的一種濺射沉積方法。它是在二極直流濺射的基礎(chǔ)上，在靶表面附近增加一個磁場。電子由于受電場和磁場的作用，做螺旋運動，大大提高了電子的壽命，增加了電離產(chǎn)額，從而放電區(qū)的電離度提高，即離子和電子的密度增加。放電區(qū)的有效電阻變小，電壓下降。另外放電區(qū)集中在靶表面，放電區(qū)中的離子密度高，所以入射到靶表面的離子密度大大提高，因而濺射產(chǎn)額大大增加。也就是磁場控制濺射方式。

磁控濺射加偏壓有什么用

4，磁控濺射如何制作DLC膜層

目前本人已知的DLC成膜方法常用的主要有三種：第一種：磁控濺射法，用于工具鍍膜，需要先打底，如CrN, 然后用石墨靶濺射，最后還有通入C2H2 ,才能最終得到SP3結(jié)構(gòu)的DLC。最好用中頻電源; 第二種：PACVD，同樣用于工具鍍膜，也要用鉻靶打底，鍍DLC時，通入反應(yīng)氣體，靶只是作為一個電極來用，并不濺射。甚至有用射頻電源；第三種：生物DLC, 是透明的，帶棕色貨茶色，鍍前先通入H2+Ar離子清洗，必須鍍薄，而且要用很高的工藝氣體壓力。這種方法用直流也可以做到。

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5，直流磁控濺射和射頻磁控濺射的區(qū)別到底是什么啊

主要的濺射方法可以根據(jù)其特征分為以下四種：（1）直流濺射；（2）射頻濺射；（3）磁控濺射；（4）反應(yīng)濺射。另外，利用各種離子束源也可以實現(xiàn)薄膜的濺射沉積?，F(xiàn)在的直流濺射（也叫二級濺射）較少用到，原因是濺射氣壓較高，電壓較高，濺射速率小，膜層不穩(wěn)定等缺點。直流濺射發(fā)展后期，人們在其表面加上一定磁場，磁場束縛住自由電子后，以上缺點均有所改善，也是現(xiàn)階段廣泛應(yīng)用的一種濺射方法。而后又有中頻濺射，提高了陰極發(fā)電速率，不易造成放電、靶材中毒等現(xiàn)象。而射頻濺射是很高頻率下對靶材的濺射，不易放電、靶材可任選金屬或者陶瓷等材料。沉積的膜層致密，附著力良好。如果尋找本質(zhì)區(qū)別是：直流濺射是氣體放電的前期，而射頻是后期，我們最常見的射頻是電焊機。濺射過程所用設(shè)備的區(qū)別就是電源的區(qū)別。

6，真空鍍膜機的原理

說來話長，簡單點的話就是：陰極被激發(fā)的電子在電場作用下加速飛向襯底基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和二次電子，二次電子飛向襯底基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在襯底上形成薄膜。二次電子在加速飛向襯底的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面做圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷地與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后二次電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在襯底上

真空鍍膜機按鍍膜方式主要可分為：蒸發(fā)式鍍膜，磁控濺射鍍膜和離子鍍。蒸發(fā)鍍膜工作原理是將膜材置于真空鍍膜室內(nèi)，通過蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)，當(dāng)蒸發(fā)分子的平均自由程大于真空鍍膜室的線性尺寸，蒸汽的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的沖擊與阻礙，可直接到達被鍍的基片表面，由于基片溫度較低，便凝結(jié)其上而成膜。磁控濺射鍍膜是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片，Ar正離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。離子鍍的工作原理是：蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生弧光放電。由于真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。

一、電控柜的操作1.開水泵、氣源2.開總電源3.開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進入下一步操作。約需5分鐘。4.開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。5.觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達250以后，關(guān)予抽，開前機和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以后才能開電子槍電源。二、DEF-6B電子槍電源柜的操作1.總電源2.同時開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源:按電子槍控制Ⅰ電源、延時開關(guān)，延時、電源及保護燈亮，三分鐘后延時及保護燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護燈會常亮。3.開高壓，高壓會達到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動。三、關(guān)機順序1.關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。2.待分子泵顯示到50時，依次關(guān)高閥、前級、機械泵，這期間約需40分鐘。3.到50以下時，再關(guān)維持泵。

用幾十電子伏或更高動能的荷能粒子轟擊材料表面，使其原子獲得足夠的能量而濺出進入氣相，這種濺出的，復(fù)雜的粒子散射過程稱為濺射。濺射鍍膜是利用濺射現(xiàn)象來達到制取各種膜層的目的，即在真空室中利用荷能離子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子在基底上沉積的技術(shù)。在與靶表面平行的方向上施加磁場，利用電場和磁場相互垂直的磁控管原理減少了電子對基底的轟擊，有效降低了基底溫度，使高速濺射成為可能

你這問題太大了。。。。簡單的話就是把膜料弄到基底上。這里就包括濺射、用電子槍打等方式不同的鍍膜機是不同的。真空的目的是讓分子的平均自由程更大，就是避免膜料分子不會碰到空氣分子。

主要利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面, 靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。下列固態(tài)物質(zhì)皆可為靶材 (Target) ：任何常溫固態(tài)金屬 ( 銅、鋁、鈦 )固態(tài)非金屬 ( 石墨 , 氧化硅 ( SiO2 )合金 ( 不銹鋼（ SUS )金屬氧化物 ( 氧化鈦、氧化銦 ) 。注：一般金屬鍍膜大都采用直流（DC）濺鍍，而不導(dǎo)電的陶瓷材料則使用RF交流

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