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半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件有哪些

來源:整理 時(shí)間:2023-08-26 18:53:23 編輯:智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1,半導(dǎo)體器件有哪些

二極管 三極管

半導(dǎo)體器件有哪些

2,半導(dǎo)體器件有哪些器件

整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。

半導(dǎo)體器件有哪些器件

3,常用的半導(dǎo)體元元器件有那些

常用的半導(dǎo)體元器件有:半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等
化合物半導(dǎo)體目前主要是三五族化合物應(yīng)用較廣,如砷化鎵,氮化鎵等。用途廣泛:微波器件,探測器,激光器,led

常用的半導(dǎo)體元元器件有那些

4,半導(dǎo)體器件物理

CMOS器件的功耗主要是動(dòng)態(tài)功耗(靜態(tài)功耗幾乎為0),也就是器件在開關(guān)過程中既有電壓、又有電流時(shí)的功率。因此,功耗直接關(guān)系到器件的開關(guān)速度。所以提高開關(guān)速度即可降低功耗。響應(yīng)時(shí)間延遲與兩個(gè)因素有關(guān):器件本身造成的延遲和負(fù)載電容充放電所造成的延遲。一般,在電流不是很小時(shí),負(fù)載延遲往往起很大作用,所以需要降低輸出電容和減小充放電通路的電阻(與器件本身的導(dǎo)通電阻有關(guān))。器件的本征延遲可通過提高器件的開關(guān)速度(減短載流子的渡越時(shí)間)來降低。
固體物理和半導(dǎo)體物理是基礎(chǔ),可以先從半導(dǎo)體能帶理論入手,搞清楚了這個(gè),再學(xué)習(xí)pn結(jié),學(xué)習(xí)其中的自建電場、載流子的漂移和擴(kuò)散原理,然后慢慢延伸至更復(fù)雜的結(jié)構(gòu),比如pin、npn、異質(zhì)結(jié)。。。因?yàn)樵購?fù)雜的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),也無外乎由這些基本結(jié)構(gòu)組成,不必急于求成,只要搞清楚了最基礎(chǔ)的理論和原理(能帶、pn結(jié))其他的都是互通的。學(xué)好了基礎(chǔ)后,如果你拿到半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),能熟練畫出能帶結(jié)構(gòu)圖,并快速讀出其中的特征信息,那么你的半導(dǎo)體器件已經(jīng)入門了。

5,什么是半導(dǎo)體

鍺、硅、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體,它們的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間,叫做半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件(熱敏電阻);利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件,像光電池、光電管和光敏電阻等。 半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì),如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件,如半導(dǎo)體二極管、三極管等。 把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū),另一邊制成N型區(qū),則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層,一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用(用黑色箭頭表示)。中間部分為PN結(jié)的形成過程,示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用(用藍(lán)色箭頭表示,紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向)。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。
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半導(dǎo)體是介于像銅那樣易于電流通過的導(dǎo)體和像橡膠那樣的不導(dǎo)通電流的絕緣體之間的物質(zhì)。 利用這樣的半導(dǎo)體材料制造出的產(chǎn)品,有晶體二極管、晶體三極管、IC等半導(dǎo)體器件,它們被廣泛應(yīng)用于從收音機(jī)、電視機(jī)等家電產(chǎn)品到小汽車、電子計(jì)算機(jī)等諸方面。
電導(dǎo)率(conductivity)介于金屬和絕緣體(insulator)之間的固體材料。
就是只有一點(diǎn)點(diǎn)的磁性哦!!
半導(dǎo)體是介于像銅那樣易于電流通過的導(dǎo)體和像橡膠那樣的不導(dǎo)通電流的絕緣體之間的物質(zhì)。

6,半導(dǎo)體是什么

電阻率介于金屬和絕緣體[1]之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。   半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10E-5~10E7歐姆·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。   半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。   鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外,還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。   半導(dǎo)體:意指半導(dǎo)體收音機(jī),因收音機(jī)中的晶體管由半導(dǎo)體材料制成而得名。 半導(dǎo)體的分類,按照其制造技術(shù)可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類,一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類,雖然不常用,但還是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號(hào),可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。 半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性,導(dǎo)電特性,光電特性,負(fù)的電阻率溫度特性,整流特性。 了解更多: http://www.csia.net.cn/
導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體(insulator)之間的材料,叫做半導(dǎo)體
最佳答案 當(dāng)電流通過各種物體時(shí),不同的物體對電流的通過有著不同的阻止能力,有的物體可使電流順利通過,也有的物體不讓其通過,或者在一定的阻力下讓它通過。這種不同的物體通過電流的能力,叫做這種物體的導(dǎo)電性能。各種物體均有著不同的導(dǎo)電性能,凡是導(dǎo)電性能很好的物體叫做導(dǎo)體。如銀、銅、鋁、鉛、錫、鐵、水銀、碳和電解液等都是良好導(dǎo)體。反之,導(dǎo)電能力很差的物體叫做絕緣體。還有,有的物體的導(dǎo)電能力比導(dǎo)體差,但比絕緣體強(qiáng),這種導(dǎo)體叫做半導(dǎo)體。如常用的晶體管原材料硅、鍺等。收音機(jī) CPU都是半導(dǎo)體 半導(dǎo)體具有一些特殊性質(zhì)。如利用半導(dǎo)體的電阻率與溫度的關(guān)系可制成自動(dòng)控制用的熱敏元件(熱敏電阻);利用它的光敏特性可制成自動(dòng)控制用的光敏元件,像光電池、光電管和光敏電阻等。 半導(dǎo)體還有一個(gè)最重要的性質(zhì),如果在純凈的半導(dǎo)體物質(zhì)中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胛⒘侩s質(zhì)測其導(dǎo)電能力將會(huì)成百萬倍地增加。利用這一特性可制造各種不同用途的半導(dǎo)體器件,如半導(dǎo)體二極管、三極管等。 把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū),另一邊制成N型區(qū),則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層,一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用(用黑色箭頭表示)。中間部分為PN結(jié)的形成過程,示意載流子的擴(kuò)散作用大于漂移作用(用藍(lán)色箭頭表示,紅色箭頭表示內(nèi)建電場的方向)。下邊部分為PN結(jié)的形成。表示擴(kuò)散作用和漂移作用的動(dòng)態(tài)平衡。
導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的
半導(dǎo)體一般指硅晶體,它的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間。半導(dǎo)體是指導(dǎo)電能力介于金屬和絕緣體之間的固體材料。按內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)區(qū)分,半導(dǎo)體與絕緣體相似,它們所含的價(jià)電子數(shù)恰好能填滿價(jià)帶,并由禁帶和上面的導(dǎo)帶隔開。半導(dǎo)體與絕緣體的區(qū)別是禁帶較窄,在2~3電子伏以下。
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