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半導(dǎo)體傳感器,新型半導(dǎo)體傳感器有什么

來(lái)源:整理 時(shí)間:2023-08-20 01:56:34 編輯:智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

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1,新型半導(dǎo)體傳感器有什么

新型半導(dǎo)體傳感器有:詳細(xì)的原理操作說(shuō)明: http://www.schneider-electric.cn/sites/china/cn/products-services/automation-control/products-offer/function-presentation.page?p_function_id=5007

新型半導(dǎo)體傳感器有什么

2,什么是半導(dǎo)體溫度傳感器

半導(dǎo)體傳感器 semiconductor transducer 利用半導(dǎo)體材料的各種物理、化學(xué)和生物學(xué)特性制成的傳感器。所采用的半導(dǎo)體材料多數(shù)是硅以及Ⅲ-Ⅴ族和 Ⅱ-Ⅵ族元素化合物。半導(dǎo)體傳感器種類(lèi)繁多,它利用近百種物理效應(yīng)和材料的特性,具有類(lèi)似于人眼、耳、鼻、舌、皮膚等多種感覺(jué)功能。
利用半導(dǎo)體性質(zhì)易受外界條件影響這一特性制成的傳感器。 http://www.jihuatek.com.cn/detail.asp?id=1633

什么是半導(dǎo)體溫度傳感器

3,金屬熱電阻傳感器和半導(dǎo)體熱電阻傳感器的異同

相同點(diǎn),都是依據(jù)傳感器在不同溫度下阻值不同來(lái)測(cè)量溫度的。不同點(diǎn),1、原理不同,金屬熱電阻是依據(jù)金屬的電阻率隨溫度升高而升高的原理。半導(dǎo)體是依據(jù)溫度升高,半導(dǎo)體電子、空穴激發(fā)率增大引起電導(dǎo)增大的原理工作的。2、兩都的特性相反,金 溫度高,電阻大,半 溫度高,電阻小3、金屬溫度重復(fù)性好,一般具有較好的線(xiàn)性,互換性好。半 溫度引起的電阻改變率大,但重復(fù)性不好,一般為非線(xiàn)性,因工藝的離散性,一般不具有互換性。4、適用范圍不同,金屬成本高,互換性好,一般用于工業(yè)使用及標(biāo)準(zhǔn)器使用。半導(dǎo)體成本低,阻值變化高,一般用在冰箱,空調(diào)等上,精度差。
金屬熱敏電阻是根據(jù)金屬在不同溫度時(shí)電阻率的變化的特征來(lái)制作的電子器件,半導(dǎo)體熱傳感器是二極管的節(jié)壓降在不同溫度時(shí)變化的特征來(lái)制作的電子器件。

金屬熱電阻傳感器和半導(dǎo)體熱電阻傳感器的異同

4,什么是半導(dǎo)體氣體傳感器

檢測(cè)原理是半導(dǎo)體原理的傳感器,一般檢測(cè)精度和量程都不高,但是靈敏度高,一般是在民用。原理:金屬氧化物半導(dǎo)體式傳感器利用被測(cè)氣體的吸附作用,改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,通過(guò)電流變化的比較,激發(fā)報(bào)警電路。由于半導(dǎo)體式傳感器測(cè)量時(shí)受環(huán)境影響較大,輸出線(xiàn)形不穩(wěn)定。金屬氧化物半導(dǎo)體式傳感器,因其反應(yīng)十分靈敏,故目前廣泛使用的領(lǐng)域?yàn)闇y(cè)量氣體的微漏現(xiàn)象
氣體傳感器是一種將某種氣體體積分?jǐn)?shù)轉(zhuǎn)化成對(duì)應(yīng)電信號(hào)的轉(zhuǎn)換器。探測(cè)頭通過(guò)氣體傳感器對(duì)氣體樣品進(jìn)行調(diào)理,通常包括濾除雜質(zhì)和干擾氣體、干燥或制冷處理儀表顯示部分。氣體傳感器是一種將氣體的成份、濃度等信息轉(zhuǎn)換成可以被人員、儀器儀表、計(jì)算機(jī)等利用的信息的裝置
利用半導(dǎo)體性質(zhì)易受外界條件影響這一特性制成的傳感器。 http://www.jihuatek.com.cn/detail.asp?id=1633

5,電化學(xué)傳感器和半導(dǎo)體傳感器的區(qū)別

電化學(xué)傳感器: 它是由膜電極和電解液 灌封而成。氣體濃度信號(hào)將電解液分解成陰陽(yáng)帶電離子,通過(guò)電極將信號(hào)傳出。它的優(yōu)點(diǎn)是:反映速度快、準(zhǔn)確(可用于ppm級(jí)),穩(wěn)定性好、能夠定量檢測(cè),但 壽命較短(大于等于兩年)。它主要適用于毒性氣體的檢測(cè)。目前國(guó)際上絕大部分毒氣檢測(cè)采用該類(lèi)型傳感器。
電化學(xué)傳氣體發(fā)生反應(yīng)并產(chǎn)生與氣體濃度成正比的電信號(hào)來(lái)工作。典型的電化學(xué)傳感器由傳感電極(或工作電極)和反電極組成,并由一個(gè)薄電解層隔開(kāi)。半導(dǎo)體傳感器是一種新型半導(dǎo)體器件,它能夠能實(shí)現(xiàn)電、光、溫度、聲、位移、壓力等物理量之間的相互轉(zhuǎn)換,并且易于實(shí)現(xiàn)集成化、多功能化,更適合于計(jì)算機(jī)的要求,所以被廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化檢測(cè)系統(tǒng)中。由于實(shí)際的被測(cè)量大多數(shù)是非電量,因而傳感器的主要工作就是將非電信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
電化學(xué)傳感器是依據(jù)氣體的電化學(xué)氧化和還原的原理制備的,他的原理是與我們的電池幾乎相同。比如,我們檢測(cè)一氧化碳,CO在電解池的陽(yáng)極被氧化成二氧化碳,而電解電流與CO的濃度有關(guān)。 電化學(xué)傳感器準(zhǔn)確而靈敏,但是,由于大量使用貴金屬,另外制作工藝復(fù)雜,因此價(jià)格較高。電化學(xué)傳感器屬于精密型傳感器,電化學(xué)傳感器通過(guò)與目標(biāo)氣體發(fā)生反應(yīng)并產(chǎn)生與氣體濃度成正比的電信號(hào)來(lái)工作。典型的電化傳感器由傳感電極(或工作電極)和反電極組成。注意: 某些傳感器要求電極之間存在偏壓。傳感器穩(wěn)定需要30分鐘至24小時(shí),并需要三周時(shí)間來(lái)繼續(xù)保持穩(wěn)定。注意: 多數(shù)有毒氣體傳感器需要少量氧氣來(lái)保持功能正常。傳感器背面有一個(gè)通氣孔以達(dá)到該目的。建議在使用非氧氣背景氣應(yīng)用場(chǎng)合中與HRBEAST執(zhí)行復(fù)檢。注意: 高濕度及高干旱會(huì)影響傳感器的使用壽命。瞬間壓力變化可能產(chǎn)生一個(gè)暫態(tài)的傳感器輸出,也有可能達(dá)到誤報(bào)警狀態(tài)。半導(dǎo)體傳感器是依據(jù)金屬氧化物半導(dǎo)體材料,在空氣中,在遇到當(dāng)空氣的氧化還原狀態(tài)發(fā)生變化時(shí),半導(dǎo)體才料的電導(dǎo)率會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化,比如:當(dāng)空氣中彌漫一定濃度的酒精蒸汽時(shí),二氧化錫半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率會(huì)升高,電阻下降;而這種變化的幅度與氣體的濃度直接相關(guān),這就是半導(dǎo)體式氣體傳感器!我們家庭排油煙機(jī)下面的電子鼻就是使用的這種傳感器。半導(dǎo)體傳感器因其簡(jiǎn)單低價(jià)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,但是又因?yàn)樗倪x擇性差和穩(wěn)定性不理想目前還只是在民用級(jí)別使用。而電化學(xué)傳感器因其良好的選擇性和高靈敏度被廣泛應(yīng)用在幾乎所有工業(yè)場(chǎng)合。半導(dǎo)體式氣體傳感器是依據(jù)金屬氧化物半導(dǎo)體材料,在空氣中,在遇到當(dāng)空氣的氧化還原狀態(tài)發(fā)生變化時(shí),半導(dǎo)體才料的電導(dǎo)率會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化,比如:當(dāng)空氣中彌漫一定濃度的酒精蒸汽時(shí),二氧化錫半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率會(huì)升高,電阻下降;而這種變化的幅度與氣體的濃度直接相關(guān),這就是半導(dǎo)體式氣體傳感器!半導(dǎo)體傳感器屬于廣譜型傳感器,其工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體的表面在吸收氣體后,電阻發(fā)生變化。注意:雖然半導(dǎo)體(固態(tài))GQB-X SmArt Sensor的預(yù)期壽命較長(zhǎng),但與其它類(lèi)型的傳感器相比,它們也更易于受到干擾氣體的影響。因此,如果應(yīng)用場(chǎng)合中出現(xiàn)其它背景氣體,固態(tài)傳感器可能會(huì)發(fā)出錯(cuò)誤警報(bào)。
半導(dǎo)體原理是半導(dǎo)體原理,電化學(xué)原理是電化學(xué)原理,兩個(gè)是不同的東西。半導(dǎo)體是利用被測(cè)氣體的吸附作用,改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率,通過(guò)電流變化的比較,激發(fā)報(bào)警電路。由于半導(dǎo)體式傳感器測(cè)量時(shí)受環(huán)境影響較大,輸出線(xiàn)形不穩(wěn)定。金屬氧化物半導(dǎo)體式傳感器,因其反應(yīng)十分靈敏,故目前廣泛使用的

6,CMOS器件的基本原理及結(jié)構(gòu)

三塊太陽(yáng)能電池。蓋上紅色濾色玻璃,綠色濾色玻璃,藍(lán)色濾色玻璃。紅色濾色玻璃的太陽(yáng)能電池,根據(jù)紅色光線(xiàn)的強(qiáng)弱,產(chǎn)生多或少的電量,把這些電量換算成數(shù)字,代表紅色光線(xiàn)的強(qiáng)弱。綠色,藍(lán)色同上。三種光線(xiàn)的強(qiáng)弱合起來(lái),代表這個(gè)點(diǎn)所接收的顏色。超多的微型的太陽(yáng)能電池組成眾多的顏色信號(hào),最終組成馬賽克畫(huà)面。ccd就是微型的 蓋著有色玻璃的 太陽(yáng)能電池 的 集合體。那些專(zhuān)業(yè)生造詞看得頭疼,用自己能理解的話(huà)翻譯ccd原理。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。 在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息(如日期、時(shí)間、啟動(dòng)設(shè)置等)的芯片。有時(shí)人們會(huì)把CMOS和BIOS混稱(chēng),其實(shí)CMOS是主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片,是用來(lái)保存BIOS的硬件配置和用戶(hù)對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。CMOS可由主板的電池供電,即使系統(tǒng)掉電,信息也不會(huì)丟失。CMOS RAM本身只是一塊存儲(chǔ)器,只有數(shù)據(jù)保存功能。而對(duì)BIOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。BIOS設(shè)置程序一般都被廠商整合在芯片中,在開(kāi)機(jī)時(shí)通過(guò)特定的按鍵就可進(jìn)入BIOS設(shè)置程序,方便地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)置。因此BIOS設(shè)置有時(shí)也被叫做CMOS設(shè)置。 CMOS制造工藝也被應(yīng)用于制作數(shù)碼影像器材的感光元件(常見(jiàn)的有TTL和CMOS),尤其是片幅規(guī)格較大的單反數(shù)碼相機(jī)。雖然在用途上與過(guò)去CMOS電路主要作為固件或計(jì)算工具的用途非常不同,但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線(xiàn)后轉(zhuǎn)化為電能,再透過(guò)芯片上的模-數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)將獲得的影像訊號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)輸出。 CMOS與CCD的區(qū)別 CCD與CMOS傳感器是被普遍采用的兩種圖像傳感器,兩者都是利用感光二極管(photodiode)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,將圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù),而其主要差異是數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。 CCD傳感器中每一行中每一個(gè)象素的電荷數(shù)據(jù)都會(huì)依次傳送到下一個(gè)象素中,由最底端部分輸出,再經(jīng)由傳感器邊緣的放大器進(jìn)行放大輸出;而在CMOS傳感器中,每個(gè)象素都會(huì)鄰接一個(gè)放大器及A/D轉(zhuǎn)換電路,用類(lèi)似內(nèi)存電路的方式將數(shù)據(jù)輸出。 造成這種差異的原因在于:CCD的特殊工藝可保證數(shù)據(jù)在傳送時(shí)不會(huì)失真,因此各個(gè)象素的數(shù)據(jù)可匯聚至邊緣再進(jìn)行放大處理;而CMOS工藝的數(shù)據(jù)在傳送距離較長(zhǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生噪聲,因此,必須先放大,再整合各個(gè)象素的數(shù)據(jù)。 由于數(shù)據(jù)傳送方式不同,因此CCD與CMOS傳感器在效能與應(yīng)用上也有諸多差異,這些差異包括: 1. 靈敏度差異: 由于CMOS傳感器的每個(gè)象素由四個(gè)晶體管與一個(gè)感光二極管構(gòu)成(含放大器與A/D轉(zhuǎn)換電路),使得每個(gè)象素的感光區(qū)域遠(yuǎn)小于象素本身的表面積,因此在象素尺寸相同的情況下,CMOS傳感器的靈敏度要低于CCD傳感器。2. 成本差異: 由于CMOS傳感器采用一般半導(dǎo)體電路最常用的CMOS工藝,可以輕易地將周邊電路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到傳感器芯片中,因此可以節(jié)省外圍芯片的成本;除此之外,由于CCD采用電荷傳遞的方式傳送數(shù)據(jù),只要其中有一個(gè)象素不能運(yùn)行,就會(huì)導(dǎo)致一整排的數(shù)據(jù)不能傳送,因此控制CCD傳感器的成品率比CMOS傳感器困難許多,即使有經(jīng)驗(yàn)的廠商也很難在產(chǎn)品問(wèn)世的半年內(nèi)突破50%的水平,因此,CCD傳感器的成本會(huì)高于CMOS傳感器。3. 分辨率差異: CMOS傳感器的每個(gè)象素都比CCD傳感器復(fù)雜,其象素尺寸很難達(dá)到CCD傳感器的水平,因此,當(dāng)比較相同尺寸的CCD與CMOS傳感器時(shí),CCD傳感器的分辨率通常會(huì)優(yōu)于CMOS傳感器的水平。例如,市面上CMOS傳感器最高可達(dá)到210萬(wàn)象素的水平(OmniVision的 OV2610,2002年6月推出),其尺寸為1/2英寸,象素尺寸為4.25μm,但Sony在2002年12月推出了ICX452,其尺寸與 OV2610相差不多(1/1.8英寸),但分辨率卻能高達(dá)513萬(wàn)象素,象素尺寸也只有2.78mm的水平。4. 噪聲差異: 由于CMOS傳感器的每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器,而放大器屬于模擬電路,很難讓每個(gè)放大器所得到的結(jié)果保持一致,因此與只有一個(gè)放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比,CMOS傳感器的噪聲就會(huì)增加很多,影響圖像品質(zhì).5. 功耗差異: CMOS傳感器的圖像采集方式為主動(dòng)式,感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由晶體管放大輸出,但CCD傳感器為被動(dòng)式采集,需外加電壓讓每個(gè)象素中的電荷移動(dòng),而此外加電壓通常需要達(dá)到12~18V;因此,CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計(jì)上的難度更高之外(需外加 power IC),高驅(qū)動(dòng)電壓更使其功耗遠(yuǎn)高于CMOS傳感器的水平。舉例來(lái)說(shuō),OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA),在 30 fps的速度下運(yùn)行,功耗僅為40mW;而致力于低功耗CCD傳感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等級(jí)的產(chǎn)品,其功耗卻仍保持在90mW 以上。因此CCD發(fā)熱量比CMOS大,不能長(zhǎng)時(shí)間在陽(yáng)光下工作。 綜上所述,CCD傳感器在靈敏度、分辨率、噪聲控制等方面都優(yōu)于CMOS傳感器,而CMOS傳感器則具有低成本、低功耗、以及高整合度的特點(diǎn)。不過(guò),隨著CCD與CMOS傳感器技術(shù)的進(jìn)步,兩者的差異有逐漸縮小的態(tài)勢(shì),例如,CCD傳感器一直在功耗上作改進(jìn),以應(yīng)用于移動(dòng)通信市場(chǎng)(這方面的代表業(yè)者為Sanyo);CMOS傳感器則在改善分辨率與靈敏度方面的不足,以應(yīng)用于更高端的圖像產(chǎn)品。 發(fā)展前景 專(zhuān)家們認(rèn)為,21世紀(jì)初全球CMOS圖像傳感器市場(chǎng)將在PC攝像機(jī)、移動(dòng)通信市場(chǎng)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)市場(chǎng)市場(chǎng)等領(lǐng)域獲得大幅度增長(zhǎng),在未來(lái)的幾年時(shí)間內(nèi),在130 萬(wàn)像素至200萬(wàn)像素之下的產(chǎn)品中,將開(kāi)始以CMOS傳感器為主流。以小型化和低功耗CMOS圖像傳感器為核心的攝像機(jī)正在成為消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的主流,上述領(lǐng)域?qū)閳D像傳感器市場(chǎng)帶來(lái)巨大發(fā)展。
CMOS器件:就是CMOS傳感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,它本是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片,保存了系統(tǒng)引導(dǎo)最基本的資料。其原理是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體,使其在CMOS上共存著帶N(帶-電) 和 P(帶+電)級(jí)的半導(dǎo)體,這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀(jì)錄和解讀成影像。    CMOS傳感器也可細(xì)分為被動(dòng)式像素傳感器(Passive Pixel Sensor CMOS)與主動(dòng)式像素傳感器(Active Pixel Sensor CMOS)。  CMOS傳感器按為像素結(jié)構(gòu)分被動(dòng)式與主動(dòng)式兩種?! ”粍?dòng)式 :又叫無(wú)源式。它由一個(gè)反向偏置的光敏二極管和一個(gè)開(kāi)關(guān)管構(gòu)成。光敏二極管本質(zhì)上是一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié),它可等效為一個(gè)反向偏置的二極管和一個(gè)MOS電容并聯(lián)。當(dāng)開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí),光敏二極管與垂直的列線(xiàn)(Column bus)連通。位于列線(xiàn)末端的電荷積分放大器讀出電路(Charge integrating amplifier)保持列線(xiàn)電壓為一常數(shù),當(dāng)光敏二極管存貯的信號(hào)電荷被讀出時(shí),其電壓被復(fù)位到列線(xiàn)電壓水平,與此同時(shí),與光信號(hào)成正比的電荷由電荷積分放大器轉(zhuǎn)換為電荷輸出?! ≈鲃?dòng)式: 主動(dòng)式像素結(jié)構(gòu)(Active Pixel Sensor.簡(jiǎn)稱(chēng)APS),又叫有源式,如圖2所示. 幾乎在CMOS PPS像素結(jié)構(gòu)發(fā)明的同時(shí),人們很快認(rèn)識(shí)到在像素內(nèi)引入緩沖器或放大器可以改善像素的性能,在CMOS APS中每一像素內(nèi)都有自己的放大器。集成在表面的放大晶體管減少了像素元件的有效表面積,降低了“封裝密度”,使40%~50%的入射光被反射。這種傳感器的另一個(gè)問(wèn)題是,如何使傳感器的多通道放大器之間有較好的匹配,這可以通過(guò)降低殘余水平的固定圖形噪聲較好地實(shí)現(xiàn)。由于CMOS APS像素內(nèi)的每個(gè)放大器僅在此讀出期間被激發(fā),所以CMOS APS的功耗比CCD圖像傳感器的還小。
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