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1，可控硅模塊怎么分類的

可控硅就模塊類型的按封裝工藝來分可以分為焊接式和壓接式。按照內(nèi)部線路來分，又可以分為單管類（MT或者叫IKP),雙向全控性質(zhì)可控硅MTC類和一個(gè)整流芯片一個(gè)可控硅芯片類的半控類俗稱MFC類也有廠家叫（MT/DC或MD/TC）。還有特殊類的MTG類、MTK類等等.....

可控硅模塊怎么分類的

2，可控硅SKKT是什么

skkt系列可控硅模塊怎么測(cè)量好壞 2012-2-27 15:49 提問者：孔雨

德國(guó)西門康可控硅，我手里就有一個(gè)。

可控硅SKKT是什么

3，封裝可控硅模塊的好處是什么

1、保護(hù)芯片，通過封裝能夠有效保護(hù)芯片不受外界因素影響而受損，不會(huì)因?yàn)橥饨鐥l件的變化而導(dǎo)致芯片不能正常工作，這也為更好的使用可控硅模塊奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 2、封裝后，可控硅模塊的芯片會(huì)通過外引出線或者是引腳與外部系統(tǒng)有方便和可靠的電連接，更安全，更放心。 3、將芯片在工作中產(chǎn)生的熱能通過封裝外殼散播出去，從而有效保證了可控硅模塊的芯片溫度能夠保持在較高額度之下，不至于因?yàn)闇囟冗^高而性能下降。 4、使得可控硅模塊的芯片能夠與外部系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)可靠的信號(hào)傳輸，從而保證了信號(hào)的完整性。可以說，可控硅模塊之所以會(huì)被封裝起來原因主要如上四點(diǎn)，可以看出，之所以這么做也是為了能夠更好的使用可控硅模塊，更大程度地發(fā)揮其作用。

有to220，有sot223，有to92，，看你用的是哪顆料，然后去看數(shù)據(jù)手冊(cè)，上面有對(duì)應(yīng)封裝的！

封裝可控硅模塊的好處是什么

4，謝謝請(qǐng)問什么叫可控硅模塊三相整流橋模塊固態(tài)繼電器電

可控硅模塊，是將多個(gè)可控硅按一定的線路集成到一個(gè)模塊里，然后引出引腳，實(shí)現(xiàn)方便控制的功能?？煽毓枰簿褪蔷чl管的別稱，也可以用IGBT，gto等代替。通常用于交流整直流，直流逆變成交流的整流器或者逆變器。三相整流橋模塊，通常是指的由6個(gè)二極管組成的橋堆，用于將三相交流電整成直流，不過這樣的橋堆是不可控的。輸出的直流電壓大概在500V左右?？梢钥刂频木托枰玫娇煽毓枇?。固態(tài)繼電器，是相對(duì)于一般的繼電器而言的。由于它沒有觸電，內(nèi)部有的是靠雙向晶閘管，有的是靠光控晶閘管作為被控輸出。作為繼電器都是為了實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的用途。固態(tài)繼電器一般輸入5-30V DC，輸出220V AC，也有直流輸出的，類型要具體查資料。電力控制板。。。。這個(gè)嘛，只要是電力元件做成的電路控制板，都可以這樣說。要看你如何設(shè)計(jì)的了。哪兒有賣？一般一個(gè)城市都有這種元器件的電力大廈。一般深圳比較多。因?yàn)槲沂侵貞c的，我知道在兩路口比較多。網(wǎng)上也有很多供應(yīng)商。價(jià)格嘛。。。就需要談了才知道哦。***** 到論壇,精華貼對(duì)你更有幫助的.車爸爸就是力量---->

5，可控硅怎么用

可控硅就是晶閘管。陽(yáng)極與電源正極那邊接，陰極與電源負(fù)極那邊接，還有一個(gè)是控制極，接在直流電源上。KP1型，應(yīng)接在1.5V直流電源的正極，KP5型接在3V直流電源的正極。

可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。用途普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以最簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；中功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。

可控硅模塊質(zhì)量好的公司有北京瑞田達(dá)技貿(mào)有限責(zé)任公司?？煽毓韫ぷ髟恚嚎煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)pn 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工緝滬光疚叱狡癸挾含錨作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。

6，請(qǐng)問什么叫可控硅模塊他的工作原理是什么用在哪些方面

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1 表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài) 條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通 1、陽(yáng)極電位高于是陰極電位 2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通 1、陽(yáng)極電位高于陰極電位 2、陽(yáng)極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷 1、陽(yáng)極電位低于陰極電位 2、陽(yáng)極電流小于維持電流任一條件即可 2、基本伏安特性 1）反向特性當(dāng)控制極開路，陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)（見圖3），J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會(huì)發(fā)生永久性反向擊穿。（2）正向特性當(dāng)控制極開路，陽(yáng)極上加上正向電壓時(shí)），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，圖3的特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見圖3的虛線AB段。這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似， 3、觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。

總是很迷惑，是可以的。

控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，

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