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損耗角正切，介質(zhì)損失角正切值tg的物理意義

來源：整理 時(shí)間：2025-01-26 02:40:23 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，介質(zhì)損失角正切值tg的物理意義

介質(zhì)損失角正切值（tgδ）表示電介質(zhì)在交流電壓下的有功損耗和無功損耗之比，值越大，介質(zhì)損耗越大，它反映了電介質(zhì)在交流電壓下的損耗性能。

介質(zhì)損失角正切值tg的物理意義

2，損失角正切值Dissipation Factor是什么

Dissipation Factor簡單講就是電解電容的無用功率與有用功率的比值,一般用百分比表示.我是專做鋁電解電容的,有類似問題或電容需求請發(fā)ldzzmm@126.com

損失角正切值Dissipation Factor是什么

3，什么是電容的損耗角

電容器在電場力作用下，單位時(shí)間內(nèi)消耗的能量叫電容損耗，用有功功率表示。僅有有功功率不能說明電容器損耗特性方面的質(zhì)量情況。為了確切的表征電容器的損耗特性，需考慮用所消耗掉的有功功率與它輸送的無功功率的比值表示，這一參數(shù)叫損耗角正切。
原理上有：電橋法，包括西林電橋法與變壓器電橋法；諧振法，包括變q值法與變電納法。有專用的儀器儀表供應(yīng)。

什么是電容的損耗角

4，這是貼片電容的損耗角正切值可是不會算

損耗角正切值是電容電損耗的比例，如果對一個(gè)電容加上一個(gè)電壓，除了對電容充電的電流外還有漏掉的電流（電容的漏電流），漏電流被消耗成了熱能，因此表示為電阻上的電流。漏電流與純電容的充電電流之比就是電容損耗角正切值（理論上純粹的電容是不耗電功率的），這個(gè)值越小，電容的性能越好。
原理上有：電橋法，包括西林電橋法與變壓器電橋法；諧振法，包括變q值法與變電納法。有專用的儀器儀表供應(yīng)。
電容的損耗角正切值是電容的電損耗的比例； 如果對一個(gè)電容加上一個(gè)電壓，除了對電容充電的電流外還有漏掉的電流（電容的漏電流），漏電流被消耗成了熱能，因此表示為電阻上的電流。漏電流與純電容的充電電流之比就是電容損耗角正切值（注意：理論上純粹的電容是不耗電功率的）。如有其它電容問題，可與allencheng@khttek.com 交流.

5，利用損耗角正切值可以判斷一材料為導(dǎo)體或電介質(zhì)嗎

電介質(zhì)損耗（dielectric losses ）：電介質(zhì)中在交變電場作用下轉(zhuǎn)換成熱能的能量。這些熱會使電介質(zhì)升溫并可能引起熱擊穿，因此，在電絕緣技術(shù)中，特別是當(dāng)絕緣材料用于高電場強(qiáng)度或高頻的場合，應(yīng)盡量采用介質(zhì)損耗因數(shù)（即電介質(zhì)損耗角正切tgδ，它是電介質(zhì)損耗與該電介質(zhì)無功功率之比）較低的材料。但是，電介質(zhì)損耗也可用作一種電加熱手段，即利用高頻電場（一般為0.3～300 兆赫） 對電介質(zhì)損耗大的材料（如木材、紙、陶瓷等）進(jìn)行加熱。這種加熱由于熱量產(chǎn)生在介質(zhì)內(nèi)部，比外部加熱的加熱速度快、熱效率高，且加熱均勻。頻率高于 300兆赫時(shí) ，達(dá)到微波波段 ，即為微波加熱（ 家用微波爐即據(jù)此原理）。 電介質(zhì)損耗按其形成機(jī)理可分為弛豫損耗、共振損耗和電導(dǎo)損耗。前兩者分別與電介質(zhì)的弛豫極化和共振極化過程有關(guān) 。對于弛豫損耗，當(dāng)交變電場的頻率 ω＝1／τ時(shí)，介質(zhì)損耗達(dá)到極大值，τ為組成電介質(zhì)的極性分子和熱離子的弛豫時(shí)間。對于共振損耗，當(dāng)電場頻率等于電介質(zhì)振子固有頻率（共振）時(shí)，損失能量最大。電導(dǎo)損耗則是由貫穿電介質(zhì)的電導(dǎo)電流引起，屬焦耳損耗，與電場頻率無關(guān)。

6，損耗角的介質(zhì)損耗角

又稱介質(zhì)損耗因素，是指介質(zhì)損耗角正切值，簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因素的定義如下:　如果取得試品的電流相量 和電壓相量 ，則可以得到如下相量圖：總電流可以分解為電容電流Ic和電阻電流IR合成，因此：這正是損失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講，是通過測量δ或者Φ得到介損因素。測量介損對判斷電氣設(shè)備的絕緣狀況是一種傳統(tǒng)的、十分有效的方法。絕緣能力的下降直接反映為介損增大。進(jìn)一步就可以分析絕緣下降的原因，如：絕緣受潮、絕緣油受污染、老化變質(zhì)等等。測量介損的同時(shí)，也能得到試品的電容量。如果多個(gè)電容屏中的一個(gè)或幾個(gè)發(fā)生短路、斷路，電容量就有明顯的變化，因此電容量也是一個(gè)重要參數(shù)。 功率因素是功率因素角Φ的余弦值，意義為被測試品的總視在功率S中有功功率P所占的比重。功率因素的定義如下:S=根號下（P平方+Q平方）有的介損測試儀習(xí)慣顯示功率因素(PF:cosΦ)，而不是介質(zhì)損耗因素(DF:tgδ)。一般cosΦ<tgδ，在損耗很小時(shí)這兩個(gè)數(shù)值非常接近。 高壓電容電橋的標(biāo)準(zhǔn)通道輸入標(biāo)準(zhǔn)電容器的電流、試品通道輸入試品電流。通過比對電流相位差測量tgδ，通過出比電流幅值測量試品電容量。因此用電橋測量介損還需要攜帶標(biāo)準(zhǔn)電容器、升壓PT和調(diào)壓器。接線也十分煩瑣。國內(nèi)常見高壓電容電橋有： 型 號 生產(chǎn)廠家 性 能 2801 Haefely 西林電橋，手動(dòng)調(diào)節(jié)，介損相對誤差0.5%，試驗(yàn)室使用。其改進(jìn)型為2809A。 QS30 上海滬光廠 電流比較儀電橋，手動(dòng)調(diào)節(jié)，介損相對誤差0.5%±0.00005，試驗(yàn)室使用。 QS1 上海電表廠 西林電橋，手動(dòng)調(diào)節(jié)，介損相對誤差10%±0.003，現(xiàn)場測量用。支持正反接線，移相或到相抗干擾。 AI-6000分體型 泛華電子 自動(dòng)調(diào)節(jié)，紅外線遙控，介損相對誤差0.2%±0.00005，現(xiàn)場或試驗(yàn)室用。支持正反接線，移相或倒相抗干擾。配合變頻電源可變頻抗干擾。 tgδ：±（1%D+0.0004）Cx： ±（1%C+1pF）+前表示為相對誤差，+后表示為絕對誤差。相對誤差小表示儀器的量程線性度好，絕對誤差小表示儀器的誤差起點(diǎn)低。校驗(yàn)時(shí)讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)值的差應(yīng)小于以上準(zhǔn)確度，否則就是超差。 抗干擾指標(biāo)為滿足儀器準(zhǔn)確度的前提下，干擾電流與試驗(yàn)電流的最大比例，比例越大，抗干擾性能越好。AI-6000在200%干擾（即I干擾 / I試品≤2）下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度。
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