半導(dǎo)體指數(shù)，美國(guó)三種主要指數(shù)有何分別

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1，美國(guó)三種主要指數(shù)有何分別
2，什么是費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)
3，國(guó)聯(lián)安中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備ETF聯(lián)接基金投資價(jià)值怎么樣搜
4，國(guó)聯(lián)安中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備ETF聯(lián)接基金和國(guó)聯(lián)安中證半導(dǎo)體指
5，什么是BID指數(shù)
6，半導(dǎo)體中的STI是什么意思

1，美國(guó)三種主要指數(shù)有何分別

很簡(jiǎn)單的幫你介紹一下道瓊: 是屬于工業(yè)指數(shù)納茲達(dá)克 : 是屬于高科技產(chǎn)業(yè)指數(shù)費(fèi)城 : 是屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指數(shù)臺(tái)灣應(yīng)該是要觀察費(fèi)城指數(shù)，可是大多數(shù)人都看道瓊指數(shù)。希望有解答到你的問(wèn)題~~~

美國(guó)三種主要指數(shù)有何分別

2，什么是費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)

費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)由美國(guó)費(fèi)城證券交易所編制，取樣標(biāo)準(zhǔn)涵蓋半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制造與銷售，以1993年12月1日為基期，采價(jià)格加權(quán)方式計(jì)算。該指數(shù)可協(xié)助投資人研判半導(dǎo)體類股和非電子類股的股價(jià)走勢(shì)，是目前最受重視的科技類股指數(shù)。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)有19檔成分股，依序?yàn)槌?、Altera、應(yīng)用材料（Applied Materials）、博通、Freescale半導(dǎo)體、英飛凌（美國(guó)存托憑證ADR）、英特爾、科磊、Linear 科技、Marvell科技集團(tuán)、Maxim Inte-grated、美光、國(guó)家半導(dǎo)體、諾維樂(lè)斯系統(tǒng)、意法半導(dǎo)體、臺(tái)積電（ADR）、德州儀器、泰瑞達(dá)與智霖等公司。

什么是費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)

3，國(guó)聯(lián)安中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備ETF聯(lián)接基金投資價(jià)值怎么樣搜

就行業(yè)來(lái)說(shuō)，我國(guó)雖然是全球第一大電子生產(chǎn)和消費(fèi)的國(guó)家，但之前國(guó)內(nèi)企業(yè)大部分處于產(chǎn)品和技術(shù)跟隨階段，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的話語(yǔ)權(quán)并不高。近幾年，國(guó)家重點(diǎn)扶持半導(dǎo)體企業(yè)，企業(yè)也紛紛加大研發(fā)投入，企業(yè)一旦研發(fā)成功，就能擁有話語(yǔ)權(quán)，投資價(jià)值凸顯。從國(guó)際經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，創(chuàng)立于1993年的費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)(Philadelphia Semiconductor Index)，現(xiàn)已成為全球半導(dǎo)體業(yè)景氣主要指標(biāo)之一。數(shù)據(jù)顯示，截至3月26日，該指數(shù)與中證全指半導(dǎo)體一樣具有30只成分股，過(guò)去十年其增長(zhǎng)率高達(dá)469.71%，超出標(biāo)普500指數(shù)同期238.41%的增長(zhǎng)率近一倍，具有顯著的賺錢效應(yīng)。而這只基金跟蹤的就是中證全指半導(dǎo)體指數(shù)。其實(shí)，選擇主題基金最重要的就是選擇一個(gè)好的行業(yè)，綜合看來(lái)，國(guó)聯(lián)安中證半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備ETF聯(lián)接基金門檻低，適合普通的基民。

國(guó)聯(lián)安中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備ETF聯(lián)接基金投資價(jià)值怎么樣搜

4，國(guó)聯(lián)安中證全指半導(dǎo)體產(chǎn)品與設(shè)備ETF聯(lián)接基金和國(guó)聯(lián)安中證半導(dǎo)體指

兩個(gè)基金不是同一只基金，前者基金代碼為007300，后者代碼為512480。前者的主要投資標(biāo)的是后者，也就是國(guó)聯(lián)安中證半導(dǎo)體指數(shù)ETF基金，投資的是基金；而后者主要的投資標(biāo)的是中證半導(dǎo)體指數(shù)的相關(guān)成分股。具體007300的投資范圍如下圖:512480的投資范圍如下圖:

狐仙馴悍記2再看看別人怎么說(shuō)的。

不是一只基金的。至于兩者的區(qū)別，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，ETF基金可在交易所上市交易，投資的是指數(shù)成分股，申購(gòu)贖回成本都比較高。而為了降低投資門檻逐漸衍生出ETF聯(lián)接基金，聯(lián)接基金雖與ETF基金一樣跟蹤同一指數(shù)，不過(guò)這類基金不像ETF基金一樣可直接上市交易，而是通過(guò)投資ETF基金來(lái)實(shí)現(xiàn)投資，但其實(shí)兩者之間的業(yè)績(jī)表現(xiàn)一般不會(huì)相差太多。ETF聯(lián)接基金很適合那些沒(méi)有股票賬戶的投資者，我這么說(shuō)，你懂了嗎？

5，什么是BID指數(shù)

　　是BDI指數(shù)吧　　波羅的海干散貨指數(shù)(Baltic Dry Index，縮寫(xiě)B(tài)DI)，是航運(yùn)業(yè)的經(jīng)濟(jì)指標(biāo)，它包含了航運(yùn)業(yè)的干散貨交易量的轉(zhuǎn)變。　　BDI為海岬型，巴拿馬型及靈便型（Handysize）各占權(quán)重三分之一的綜合指數(shù)。雖然這個(gè)指數(shù)以波羅的海作名字，但負(fù)責(zé)管理這個(gè)指數(shù)的波羅的海交易所卻在英國(guó)的倫敦。　　BDI波羅的海指數(shù)是由幾條主要航線的即期運(yùn)費(fèi)（Spot Rate）加權(quán)計(jì)算而成，反映的是即期市場(chǎng)的行情，因此，運(yùn)費(fèi)價(jià)格的高低會(huì)影響到指數(shù)的漲跌，所以，假設(shè)現(xiàn)在的原物料需求增加，表示各國(guó)對(duì)貨輪運(yùn)輸?shù)男枨笠哺岣?，在此情況下，運(yùn)費(fèi)的漲幅如果可以大過(guò)油價(jià)成本的漲幅，當(dāng)然其獲利就可維持。在這種前提下，BDI波羅的海指數(shù)會(huì)上漲，運(yùn)輸股的股價(jià)也會(huì)上漲；假設(shè)現(xiàn)在原物料需求依舊增加，但貨輪供給增加而打壞運(yùn)費(fèi)市場(chǎng)，此時(shí)BDI波羅的海指數(shù)會(huì)下跌，當(dāng)然運(yùn)輸股的股價(jià)也會(huì)跟著下跌，所以，運(yùn)費(fèi)高低的影響遠(yuǎn)比原物料的漲跌更是影響航運(yùn)股獲利的關(guān)鍵。　　BDI指數(shù)一向是散裝原物料的運(yùn)費(fèi)指數(shù)，散裝船運(yùn)以運(yùn)輸鋼材、紙漿、谷物、煤、礦砂、磷礦石、鋁礬土等民生物資及工業(yè)原料為主。因此，散裝航運(yùn)業(yè)營(yíng)運(yùn)狀況與全球經(jīng)濟(jì)景氣榮枯、原物料行情高低息息相關(guān)。故波羅的海指數(shù)可視為經(jīng)濟(jì)領(lǐng)先指標(biāo)。

6，半導(dǎo)體中的STI是什么意思

shallow trench isolation淺溝道隔離特點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)高密度的隔離，適合于深亞微米器件和DRAM等高密度存儲(chǔ)電路。一般在器件制作之前進(jìn)行，熱預(yù)算小。STI技術(shù)工藝步驟：首先，類似LOCOS，依次生長(zhǎng)SiO2淀積Si3N4涂敷光刻膠，光刻去掉場(chǎng)區(qū)的SiO2和Si3N4。其次，利用離子刻蝕在場(chǎng)區(qū)形成淺的溝槽。然后，進(jìn)行場(chǎng)區(qū)注入，再用CVD淀積SiO2填充溝槽。最后，用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)去掉表面的氧化層，使硅片表面平整化。工藝復(fù)雜，需要回刻或者CMP

semiconductor.名詞.(英文)半導(dǎo)體電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。本征半導(dǎo)體不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶(見(jiàn)能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴（圖 1 ）。導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子 - 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子 - 空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周圍的鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合，多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主，相應(yīng)能級(jí)稱為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等雜質(zhì)原子時(shí)，雜質(zhì)原子與周圍四個(gè)鍺（或硅）原子形成共價(jià)結(jié)合時(shí)尚缺少一個(gè)電子，因而存在一個(gè)空位，與此空位相應(yīng)的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級(jí)，通常位于禁帶下方靠近價(jià)帶處。價(jià)帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級(jí)上填補(bǔ)這個(gè)空位，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。價(jià)帶中由于缺少一個(gè)電子而形成一個(gè)空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。存在受主雜質(zhì)時(shí)，在價(jià)帶中形成一個(gè)空穴載流子所需能量比本征半導(dǎo)體情形要小得多。半導(dǎo)體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會(huì)使自由載流子數(shù)增加而導(dǎo)致電阻率減小，半導(dǎo)體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對(duì)摻入施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，導(dǎo)電載流子主要是導(dǎo)帶中的電子，屬電子型導(dǎo)電，稱n型半導(dǎo)體。摻入受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體屬空穴型導(dǎo)電，稱p型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體在任何溫度下都能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，故n型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電空穴，p型半導(dǎo)體中可存在少量導(dǎo)電電子，它們均稱為少數(shù)載流子。在半導(dǎo)體器件的各種效應(yīng)中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。 pn結(jié) p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體相互接觸時(shí)，其交界區(qū)域稱為pn結(jié)。p區(qū)中的自由空穴和n區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散，造成正負(fù)電荷在 pn 結(jié)兩側(cè)的積累，形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場(chǎng)方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中電場(chǎng)的作用達(dá)到平衡時(shí)，p區(qū)和n區(qū)之間形成一定的電勢(shì)差，稱為接觸電勢(shì)差。由于p 區(qū)中的空穴向n區(qū)擴(kuò)散后與n區(qū)中的電子復(fù)合，而n區(qū)中的電子向p區(qū)擴(kuò)散后與p 區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成pn結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 pn結(jié)具有單向?qū)щ娦裕雽?dǎo)體整流管就是利用pn結(jié)的這一特性制成的。pn結(jié)的另一重要性質(zhì)是受到光照后能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，稱光生伏打效應(yīng)，可利用來(lái)制造光電池。半導(dǎo)體三極管、可控硅、pn結(jié)光敏器件和發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件均利用了pn結(jié)的特性。什么是半導(dǎo)體呢？顧名思義：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導(dǎo)體（semiconductor）．物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與金屬和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。