電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，問幾個(gè)半導(dǎo)體物理問題

來源：整理時(shí)間：2023-09-07 07:11:17 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，問幾個(gè)半導(dǎo)體物理問題
2，基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)
3，什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)
4，為什么發(fā)生短路IGBT的Uce會增大
5，如何理解電力二極管的開關(guān)特性
6，電力電子技術(shù)中的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)是什么

1，問幾個(gè)半導(dǎo)體物理問題

2.三個(gè)效應(yīng)分別是基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，有效基區(qū)寬度擴(kuò)展效應(yīng)，發(fā)射極電流集邊效應(yīng)。 3二次擊穿是局部溫度升高和電流集中往反復(fù)的結(jié)果。分為熱型和電流型兩種。

小楊同學(xué) 書上找嘛

問幾個(gè)半導(dǎo)體物理問題

2，基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)

電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)又稱基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，屬于半導(dǎo)體物理的范疇了。就是指基區(qū)的有效寬度隨集電結(jié)的反偏電壓的變化而變化的效應(yīng)。當(dāng)集電結(jié)反向電壓增大時(shí)，集電結(jié)的空間電荷區(qū)加寬，這就引起基區(qū)有效寬度變窄。因而載流子在基區(qū)復(fù)合的機(jī)會減小，所以基極電流Ib隨集電極反偏電壓增大而減小，也就是基區(qū)有效電阻增大，因此又叫電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)

基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)

3，什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)

電導(dǎo)調(diào)制需效應(yīng)是Webster效應(yīng)，是在大注入時(shí)基區(qū)電導(dǎo)增大的現(xiàn)象；而基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)就是Early效應(yīng)，是集電結(jié)電壓變化而致使基區(qū)寬度變化、并造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現(xiàn)象；另外，基區(qū)寬度展寬效應(yīng)就是Kirk效應(yīng)，是在大電流下基區(qū)寬度增大的現(xiàn)象。這三種重要的效應(yīng)是BJT的一種基本特性，要注意區(qū)分開來！

什么是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)

4，為什么發(fā)生短路IGBT的Uce會增大

發(fā)生短路時(shí),流過IGBT的電流大，因IGBT有一定的內(nèi)阻，所以Uce會增大。深圳南方國圣0755-27191369

因?yàn)閕gbt退飽和了

你好！發(fā)生短路時(shí),流過IGBT的電流大，因IGBT有一定的內(nèi)阻，所以Uce會增大。深圳南方國圣0755-27191369希望對你有所幫助，望采納。

當(dāng)IGBT發(fā)生短路時(shí)，相當(dāng)于把電源直接加在了IGBT上面。這時(shí)電源電壓降會在電源內(nèi)阻，導(dǎo)線線阻，IGBT導(dǎo)通電阻上。由于這三個(gè)電阻阻值都很低，所以IGBT上會分得很高的電壓。如果沒有短路有負(fù)載，那么在負(fù)載上分得的電壓將占絕大部分，IGBT的管壓降就低了。另外一方面，IGBT導(dǎo)通時(shí)存在導(dǎo)通電阻，只要電流增加，IGBT的管壓降就會增加，而短路時(shí)電流很大，Uce自然大了。電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)是電流增大時(shí)電壓上升速度低于電流上升速度，并不是電流增大電壓下降或不變。

5，如何理解電力二極管的開關(guān)特性

電力二極管（Power Diode）的基本結(jié)構(gòu)和工作原理與信息電子電路中的二極管是一樣的，都以半導(dǎo)體PN結(jié)為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟墓δ?；其重要類型有：普通二極管，快恢復(fù)二極管，肖特基二極管。 1、正向PN結(jié)的電荷存儲效應(yīng)給電力二極管帶來的主要優(yōu)缺點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使通態(tài)壓降較低，在正向電流增大時(shí)通態(tài)壓降增加很少。缺點(diǎn)：反向關(guān)斷過程中會引起反向恢復(fù)電流和反向恢復(fù)時(shí)間，使開關(guān)頻率降低。 2、正向通態(tài)壓降的大致范圍0.7-1.2； 3、主要參數(shù)：通態(tài)平均電流IF(A)、反向耐壓URRM和反向恢復(fù)時(shí)間TRR；普通二極管：反向恢復(fù)時(shí)間TRR在5uS以上。快恢復(fù)二極管：0.8-1.1的正向?qū)▔航担聪蚧謴?fù)時(shí)間數(shù)百納秒，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。肖特基二極管：其反向恢復(fù)時(shí)間極短10-40納秒，正向?qū)▔航祪H0.4左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安，而且反向漏電流較大，優(yōu)點(diǎn)低功耗，大電流，開關(guān)頻率高，缺點(diǎn)耐壓低，一般低于?！　∵@兩種管子通常用于開關(guān)電源?？旎謴?fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.硬之城上面應(yīng)該有這個(gè)，可以去看看有沒有教程之類的，因?yàn)楫吘股厦娴募夹g(shù)資料型號等都很全面也是最新的，所以能解決很多問題。

6，電力電子技術(shù)中的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)是什么

以BJT為例電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)又稱基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，屬于半導(dǎo)體物理的范疇了。就是指基區(qū)的有效寬度隨集電結(jié)的反偏電壓的變化而變化的效應(yīng)。當(dāng)集電結(jié)反向電壓增大時(shí)，集電結(jié)的空間電荷區(qū)加寬，這就引起基區(qū)有效寬度變窄。因而載流子在基區(qū)復(fù)合的機(jī)會減小，所以基極電流Ib隨集電極反偏電壓增大而減小，也就是基區(qū)有效電導(dǎo)減小，因此又叫電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng).應(yīng)該修改如下：電導(dǎo)調(diào)制需效應(yīng)是 Webster效應(yīng)，是在大注入時(shí)基區(qū)電導(dǎo)增大的現(xiàn)象；而基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)就是Early效應(yīng)，是集電結(jié)電壓變化而致使基區(qū)寬度變化、并造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現(xiàn)象；另外，基區(qū)寬度展寬效應(yīng)就是Kirk效應(yīng)，是在大電流下基區(qū)寬度增大的現(xiàn)象。這三種重要的效應(yīng)是BJT的一種基本特性，要注意區(qū)分開來！根據(jù)《電力電子技術(shù)》機(jī)械工業(yè)出版社西安交通大學(xué)王兆安黃俊主編第4版第12頁當(dāng)PN結(jié)上流過的正向電流較大時(shí)，注入并積累在低摻雜N區(qū)的少子空穴濃度將很大，為了維持半導(dǎo)體中性條件，其多子濃度也相應(yīng)大幅度增加，使得其電阻率明顯下降，也就是電導(dǎo)率大大增加，這就是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。更準(zhǔn)確的定義下： Webster效應(yīng)也稱為基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，這是BJT在大工作電流時(shí)、基區(qū)電導(dǎo)發(fā)生增大的一種現(xiàn)象。因?yàn)榘雽?dǎo)體內(nèi)部各點(diǎn)總是要保持電中性，所以，在發(fā)射結(jié)正偏、向基區(qū)注入少子的同時(shí)，也必將有相同數(shù)量、相同濃度梯度的多子在基區(qū)中積累起來；當(dāng)注入的少子濃度很大（大注入）、接近摻雜濃度時(shí)，則額外積累起來的多子濃度也就與摻雜濃度相當(dāng)了，這時(shí)，基區(qū)的電導(dǎo)率實(shí)際上就決定于基區(qū)摻雜濃度和額外增加的多子濃度的總和（換句話說，大注入的結(jié)果就相當(dāng)于增加了基區(qū)摻雜濃度），從而基區(qū)的有效電導(dǎo)率大大增加了（注入越大，有效電阻率降低得越多），這就是基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)（也稱為Webster效應(yīng)）。Webster效應(yīng)的直接影響就是BJT基區(qū)的電阻率下降（電導(dǎo)率增大），使得發(fā)射結(jié)的注射效率降低，減小了電流放大系數(shù)。對于基區(qū)摻雜濃度分布均勻的晶體管（例如合金晶體管）而言，引起其在大電流下電流放大系數(shù)b下降的主要原因就是Webster效應(yīng)。不過，對于Si平面晶體管，由于基區(qū)摻雜濃度較高一些，所以Webster效應(yīng)的影響往往較小（這時(shí)，引起大電流時(shí)b下降的主要原因是 Kirk效應(yīng)）?？傊?，BJT在大電流（大注入）工作時(shí)，往往容易出現(xiàn)

你好！電導(dǎo)調(diào)制需效應(yīng)是Webster效應(yīng)，是在大注入時(shí)基區(qū)電導(dǎo)增大的現(xiàn)象；而基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)就是Early效應(yīng)，是集電結(jié)電壓變化而致使基區(qū)寬度變化、并造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現(xiàn)象；另外，基區(qū)寬度展寬效應(yīng)就是Kirk效應(yīng)，是在大電流下基區(qū)寬度增大的現(xiàn)象。這三種重要的效應(yīng)是BJT的一種基本特性，要注意區(qū)分開來！如有疑問，請追問。

電力電子技術(shù)中的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)是：電導(dǎo)調(diào)制需效應(yīng)是Webster效應(yīng)，是在大注入時(shí)基區(qū)電導(dǎo)增大的現(xiàn)象。補(bǔ)充：基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)就是Early效應(yīng)，是集電結(jié)電壓變化而致使基區(qū)寬度變化、并造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現(xiàn)象；另外，基區(qū)寬度展寬效應(yīng)就是Kirk效應(yīng)，是在大電流下基區(qū)寬度增大的現(xiàn)象。這三種重要的效應(yīng)是BJT的一種基本特性。