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場效應(yīng)管工作原理，場效應(yīng)管工作原理是什么請高手告訴我謝謝了

來源：整理 時(shí)間：2023-09-01 21:11:37 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，場效應(yīng)管工作原理是什么請高手告訴我謝謝了

場效應(yīng)管是通過柵極與源極之間的電場強(qiáng)度控制源極與漏極導(dǎo)通溝道的導(dǎo)通特征（溝道“大小”）實(shí)現(xiàn)對源極與漏極的電流進(jìn)行控制達(dá)到電流放大功能的，由于是采取電場控制導(dǎo)通的，跟雙極型晶體管的控制原理不同，用一句成語來表述，就是“四兩撥千斤”，這就是形象說明場效應(yīng)管的柵極高輸入阻抗特點(diǎn)。

場效應(yīng)管工作原理是什么請高手告訴我謝謝了

2，你知道場效應(yīng)管的工作原理嗎

晶體管原理，教科書上確實(shí)講得太復(fù)雜，讀起來頭疼。讓我們先從場效應(yīng)管說起吧：場效應(yīng)管FET，用水龍頭作比喻，還是比較貼切的。水流，可比喻為電流；擰開龍頭，放水；關(guān)閉龍頭，水即停止；以耗盡型FET為例：它是一個(gè)導(dǎo)電溝道（純粹的N型或P型溝道），門極不加電壓時(shí)，溝道暢通無阻；當(dāng)門極施加6V電壓時(shí)，溝道關(guān)閉(相當(dāng)于水龍頭關(guān)閉)；6V電壓稱之為夾斷電壓Vp；調(diào)節(jié)門極電壓0－6V，還能控制溝道電流Id大小。就象水龍頭能調(diào)節(jié)水流大小一樣。就這么簡單，F(xiàn)ET的門極電壓，就象是控制一只水龍頭的開關(guān)。關(guān)于三極管，打另一個(gè)比喻?；夒娏鱅b很會做生意，善于鼓吹，招蜂引蝶，引來了一大幫客人（載流子）。但這些客人（載流子）中，只有一小部分客人進(jìn)了基極自己的店，大部分的客人被基極賣豬仔，賣給了集電極Ic。集電極自己沒有客源（載流子），全靠基極賣豬仔。所以，基極電流控制了集電極電流Ic。沒有基極電流，就沒有集電極電流。就這么簡單。原創(chuàng)作品，希望給我加分鼓勵(lì)
你這人怎么這么笨，去買一本電子基礎(chǔ)書看一看?。≡倏纯磩e人怎么說的。

你知道場效應(yīng)管的工作原理嗎

3，關(guān)于MOS場效應(yīng)管的原理

MOS管的工作原理它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
上面那個(gè)是介紹的 場效應(yīng)管（英縮寫FET）的分類。分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和金屬---氧化物---半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。每個(gè)類型又都有N型和P型的，那就是四類了。下面那個(gè)用的是mos管?？礃咏忉尩牟畈欢?，你可以找本書看看，會講得科學(xué)些。。一般的模擬電子都會講的。再看看別人怎么說的。

關(guān)于MOS場效應(yīng)管的原理

4，場效應(yīng)管的工作原理和基本結(jié)構(gòu)是什么

場效應(yīng)管（FET，F(xiàn)ield Effect Transistor)電壓產(chǎn)生的電場來控制管子工作的。現(xiàn)在最常用的是MOSFET（M是金屬，O是氧化物，S是半導(dǎo)體），三者恰好形成一個(gè)電容，中間的氧化物作為電容的電介質(zhì)。電子往電勢高的地方（正極）流動(dòng)聚集，空穴向電勢低的地方（負(fù)極）流動(dòng)聚集。以N管為例：（1）在不加電源的情況下，源極和漏極都充滿了電子，是N型半導(dǎo)體，而它們之間的襯底卻是P型半導(dǎo)體，相當(dāng)于兩個(gè)反串的PN結(jié)，電阻很大。也可以理解為兩個(gè)導(dǎo)體被中間的襯底隔離開了。此時(shí)無法導(dǎo)電。（2）在柵極上加上一個(gè)正電壓之后，這個(gè)電壓在柵極和襯底之間形成了一個(gè)柵極指向襯底的電場，這個(gè)電場吸引電子，使電子在柵氧化層下方聚集，同時(shí)將空穴排斥開。隨著柵壓的升高，電子的濃度越來越大，空穴濃度越來越小。本來柵氧化層邊緣的襯底為P型半導(dǎo)體，空穴濃度大于電子濃度，但是當(dāng)柵極電壓加到一定程度（Vth）時(shí)，電子的濃度開始超過空穴濃度，此時(shí)P型襯底變?yōu)镹型襯底，也就是變成“溝道”將源極和漏極連起來了，此時(shí)就可以導(dǎo)電了。（3）柵極的電壓必須比源極或漏極高一個(gè)Vth，對應(yīng)端的溝道才能導(dǎo)通，不然就會夾斷。導(dǎo)通部分電阻很小，夾斷部分電阻非常大（即空間電荷區(qū)）。（4）溝道兩端同時(shí)夾斷，就工作在截止區(qū)；只有一端夾斷，就工作在飽和區(qū)；沒有夾斷，就工作在線性區(qū)。截止區(qū)就相當(dāng)于斷開不工作，飽和區(qū)相當(dāng)于一個(gè)電流源，線性區(qū)相當(dāng)于一個(gè)電阻。總之，場效應(yīng)管就是靠這個(gè)“溝道”來工作的，沒有“溝道”就休眠了。

5，場效應(yīng)管作為開關(guān)時(shí)的工作原理是怎么樣的誰知道

以N溝道為例，場效管有G極，D極，S極，還有一個(gè)襯底，通常場效應(yīng)管出廠時(shí)，S極都和襯底連接在一起了，所以我們看到一般都只有三個(gè)管腳。N溝道管，要在G和S之間加上正向電壓，即G正，S地，由于G和S之間存在絕緣層，所會形成一個(gè)G指向S的電場，在電場的作用下，電子會流向G，但由于絕緣層存在，擋住了電子的運(yùn)動(dòng)，而在D和S之間形成一電子溝道。使D和S處于導(dǎo)通。所以只要GS這間的電場消失，那D和S就會回到截止?fàn)顟B(tài)。所以場效應(yīng)管是加電產(chǎn)生電場而導(dǎo)通，沒有太多電浪費(fèi)。
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電, 而晶體管則是既利用多子, 又利用少子. 按我的理解，場效應(yīng)管的開關(guān)速度比三極管快，能控制大電流。工作原理見：http://wenku.baidu.com/view/3a5fb5bd960590c69ec37677.html應(yīng)用見：http://apps.hi.baidu.com/share/detail/31540653
場效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.　　特點(diǎn):　　具有輸入電阻高（100mω～1 000mω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者.　　作用:　　場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.　　場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān).　　場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應(yīng)管可以用作可變電阻.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.

6，場效應(yīng)管工作原理是電壓控制電流嗎

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，32313133353236313431303231363533e59b9ee7ad9431333337393531表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。 MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路 MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。在柵極沒有電壓時(shí)，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時(shí)場效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖7b），從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。可以想像為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。 C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管） 電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時(shí)，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時(shí)，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí)，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不會因?yàn)閮晒芡瑫r(shí)導(dǎo)通而造成電源短路。
宏觀是的。但柵極有電容，實(shí)際使用，還是要考慮驅(qū)動(dòng)電流的。尤其頻率高時(shí)
是的
基本上可以這樣理解
場效應(yīng)管的工作原理是電壓控制電流型；即為輸入端是電壓信號，輸出端控制工作電流。 名詞解釋 場效應(yīng)管 場效應(yīng)晶體管(field effect transistor縮寫(fet))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型(junction fet-jfet)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10~10ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。 場效應(yīng)管(fet)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。 由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。 fet 英文為field effect transistor，簡寫成fet。 主要作用 1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。 3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 其特點(diǎn)為 （1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過vgs來控制id； （2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。 （3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好； （4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)； （5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； （6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
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