塞貝克系數(shù)，塞貝克系數(shù)與半導(dǎo)體材料的電阻有什么關(guān)系

來源：整理時間：2023-08-30 06:21:05 編輯：智能門戶手機版

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1，塞貝克系數(shù)與半導(dǎo)體材料的電阻有什么關(guān)系
2，熱電系數(shù)是啥意思
3，半導(dǎo)體的塞貝克系數(shù)和載流子濃度有什么關(guān)系
4，塞貝克系數(shù)最高的室溫半導(dǎo)體溫差發(fā)電材料是什么
5，塞貝克效應(yīng)的原理
6，什么是西貝克效應(yīng)是什么原理的基礎(chǔ)嗎有什么應(yīng)用

1，塞貝克系數(shù)與半導(dǎo)體材料的電阻有什么關(guān)系

"塞貝克系數(shù)" 為半導(dǎo)體材料的溫差電動熱（稱為塞貝克系數(shù)）.I為電流強度.To為冷端溫度.ATHc為冷、熱端間的溫差.R為半導(dǎo)體致冷器內(nèi)電阻。所以，他們之間并沒有多大關(guān)系。但他們倆是半導(dǎo)體最重要的兩個電學(xué)參數(shù)！

塞貝克系數(shù)與半導(dǎo)體材料的電阻有什么關(guān)系

2，熱電系數(shù)是啥意思

又叫塞貝克系數(shù)是指溫度變化1K時半導(dǎo)體兩端的電勢差

導(dǎo)熱系數(shù)是指在穩(wěn)定傳熱條件下,1m厚的材料,兩側(cè)表面的溫差為1度(k,°c),在1小時內(nèi),通過1平方米面積傳遞的熱量,單位為瓦/米?度(w/m?k,此處的k可用°c代替)

熱電系數(shù)是啥意思

3，半導(dǎo)體的塞貝克系數(shù)和載流子濃度有什么關(guān)系

P型半導(dǎo)體空穴導(dǎo)電霍爾系數(shù)R=1/pq>0N型半導(dǎo)體電子導(dǎo)電霍爾系數(shù)R=-1/nq<0其中p與n為載流子濃度，q為電量，一個載流子的帶電量。

"塞貝克系數(shù)" 為半導(dǎo)體材料的溫差電動熱（稱為塞貝克系數(shù)）.i為電流強度.to為冷端溫度.athc為冷、熱端間的溫差.r為半導(dǎo)體致冷器內(nèi)電阻 .所以,他們之間并沒有多大關(guān)系.但他們倆是半導(dǎo)體最重要的兩個電學(xué)參數(shù)!追問：“i為電流強度.to為冷端溫度.athc為冷、熱端間的溫差.r為半導(dǎo)體致冷器內(nèi)電阻”這句話和塞貝克系數(shù)有什么關(guān)系？追答：哦，應(yīng)該這里有個公式，復(fù)制時沒復(fù)制上。你可以上百度百科上看看。不好意思，手機黨！

半導(dǎo)體的塞貝克系數(shù)和載流子濃度有什么關(guān)系

4，塞貝克系數(shù)最高的室溫半導(dǎo)體溫差發(fā)電材料是什么

1、溫差電池就是利用溫度差異制成的電池。由于塞貝克效應(yīng)，使熱能直接轉(zhuǎn)化為電能的裝置。2、首先應(yīng)了解其工作原理：將兩種不同的金屬或者兩種不同類型的熱電轉(zhuǎn)換材料P型和N型半導(dǎo)體的一端結(jié)合并將其置于高溫狀態(tài)，另一端置于低溫或常溫狀態(tài)。利用這樣的一個外部條件，使得其中的載流子存在一個濃度梯度，由高溫向低溫擴散。假若將這兩種材料連接起來形成模塊，就能得到足夠的電壓差，進而形成溫差發(fā)電機。3、溫差電池的關(guān)鍵部分就是溫差材料，高溫與低溫之間的溫差片，PN結(jié)。4、PN結(jié)的制作工藝有多種多樣。選用塞貝克系數(shù)分別為P型和N型的金屬Sb、Bi和絕緣材料Al2O3為靶材，靶材純度為99.99%。

Bi2Te3

熱電偶就是你可以找找。那個最高我就不知道了。不過方向是不錯的

5，塞貝克效應(yīng)的原理

產(chǎn)生Seebeck效應(yīng)的機理，對于半導(dǎo)體和金屬是不相同的。產(chǎn)生Seebeck效應(yīng)的主要原因是熱端的載流子往冷端擴散的結(jié)果。例如p型半導(dǎo)體，由于其熱端空穴的濃度較高，則空穴便從高溫端向低溫端擴散；在開路情況下，就在p型半導(dǎo)體的兩端形成空間電荷（熱端有正電荷，冷端有負電荷），同時在半導(dǎo)體內(nèi)部出現(xiàn)電場；當擴散作用與電場的漂移作用相互抵消時，即達到穩(wěn)定狀態(tài)，在半導(dǎo)體的兩端就出現(xiàn)了由于溫度梯度所引起的電動勢——溫差電動勢。自然，n型半導(dǎo)體的溫差電動勢的方向是從低溫端指向高溫端（Seebeck系數(shù)為負），相反，p型半導(dǎo)體的溫差電動勢的方向是高溫端指向低溫端（Seebeck系數(shù)為正），因此利用溫差電動勢的方向即可判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型。可見，在有溫度差的半導(dǎo)體中，即存在電場，因此這時半導(dǎo)體的能帶是傾斜的，并且其中的Fermi能級也是傾斜的；兩端Fermi能級的差就等于溫差電動勢。實際上，影響Seebeck效應(yīng)的因素還有兩個：第一個因素是載流子的能量和速度。因為熱端和冷端的載流子能量不同，這實際上就反映了半導(dǎo)體Fermi能級在兩端存在差異，因此這種作用也會對溫差電動勢造成影響——增強Seebeck效應(yīng)。第二個因素是聲子。因為熱端的聲子數(shù)多于冷端，則聲子也將要從高溫端向低溫端擴散，并在擴散過程中可與載流子碰撞、把能量傳遞給載流子，從而加速了載流子的運動——聲子牽引，這種作用會增加載流子在冷端的積累、增強Seebeck效應(yīng)。半導(dǎo)體的Seebeck效應(yīng)較顯著。一般，半導(dǎo)體的Seebeck系數(shù)為數(shù)百mV/K，這要比金屬的高得多。因為金屬的載流子濃度和Fermi能級的位置基本上都不隨溫度而變化，所以金屬的Seebeck效應(yīng)必然很小，一般Seebeck系數(shù)為0～10mV/K。雖然金屬的Seebeck效應(yīng)很小，但是在一定條件下還是可觀的；實際上，利用金屬Seebeck效應(yīng)來檢測高溫的金屬熱電偶就是一種常用的元件。產(chǎn)生金屬Seebeck效應(yīng)的機理較為復(fù)雜，可從兩個方面來分析：①電子從熱端向冷端的擴散。然而這里的擴散不是濃度梯度（因為金屬中的電子濃度與溫度無關(guān)）所引起的，而是熱端的電子具有更高的能量和速度所造成的。顯然，如果這種作用是主要的，則這樣產(chǎn)生的Seebeck效應(yīng)的系數(shù)應(yīng)該為負。②電子自由程的影響。因為金屬中雖然存在許多自由電子，但對導(dǎo)電有貢獻的卻主要是Fermi能級附近2kT范圍內(nèi)的所謂傳導(dǎo)電子。而這些電子的平均自由程與遭受散射（聲子散射、雜質(zhì)和缺陷散射）的狀況和能態(tài)密度隨能量的變化情況有關(guān)。如果熱端電子的平均自由程是隨著電子能量的增加而增大的話，那么熱端的電子將由于一方面具有較大的能量，另一方面又具有較大的平均自由程，則熱端電子向冷端的輸運則是主要的過程，從而將產(chǎn)生Seebeck系數(shù)為負的Seebeck效應(yīng)；金屬Al、Mg、Pd、Pt等即如此。相反，如果熱端電子的平均自由程是隨著電子能量的增加而減小的話，那么熱端的電子雖然具有較大的能量，但是它們的平均自由程卻很小，因此電子的輸運將主要是從冷端向熱端的輸運，從而將產(chǎn)生Seebeck系數(shù)為正的Seebeck效應(yīng)；金屬Cu、Au、Li等即如此。塞貝克效應(yīng)電勢差的計算公式：與分別為兩種材料的塞貝克系數(shù)。如果與不隨溫度的變化而變化，上式即可表示成如下形式：塞貝克后來還對一些金屬材料做出了測量，并對35種金屬排成一個序列（即Bi-Ni-Co-Pd-U-Cu-Mn-Ti-Hg-Pb-Sn-Cr-Mo-Rb-Ir-Au-Ag-Zn-W-Cd-Fe-As-Sb-Te-……），并指出，當序列中的任意兩種金屬構(gòu)成閉合回路時，電流將從排序較前的金屬經(jīng)熱接頭流向排序較后的金屬。

6，什么是西貝克效應(yīng)是什么原理的基礎(chǔ)嗎有什么應(yīng)用

定義:當兩種不同的金屬或合金 A 、 B 聯(lián)成閉合回路,且兩接點處溫度不同,則回路中將產(chǎn)生電流。原理:兩種金屬接觸時會產(chǎn)生接觸電勢差。

產(chǎn)生seebeck效應(yīng)的機理，對于半導(dǎo)體和金屬是不相同的。產(chǎn)生seebeck效應(yīng)的主要原因是熱端的載流子往冷端擴散的結(jié)果。例如p型半導(dǎo)體，由于其熱端空穴的濃度較高，則空穴便從高溫端向低溫端擴散；在開路情況下，就在p型半導(dǎo)體的兩端形成空間電荷（熱端有正電荷，冷端有負電荷），同時在半導(dǎo)體內(nèi)部出現(xiàn)電場；當擴散作用與電場的漂移作用相互抵消時，即達到穩(wěn)定狀態(tài)，在半導(dǎo)體的兩端就出現(xiàn)了由于溫度梯度所引起的電動勢——溫差電動勢。自然，n型半導(dǎo)體的溫差電動勢的方向是從低溫端指向高溫端（seebeck系數(shù)為負），相反，p型半導(dǎo)體的溫差電動勢的方向是高溫端指向低溫端（seebeck系數(shù)為正），因此利用溫差電動勢的方向即可判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型?？梢?，在有溫度差的半導(dǎo)體中，即存在電場，因此這時半導(dǎo)體的能帶是傾斜的，并且其中的fermi能級也是傾斜的；兩端fermi能級的差就等于溫差電動勢。實際上，影響seebeck效應(yīng)的因素還有兩個：第一個因素是載流子的能量和速度。因為熱端和冷端的載流子能量不同，這實際上就反映了半導(dǎo)體fermi能級在兩端存在差異，因此這種作用也會對溫差電動勢造成影響——增強seebeck效應(yīng)。第二個因素是聲子。因為熱端的聲子數(shù)多于冷端，則聲子也將要從高溫端向低溫端擴散，并在擴散過程中可與載流子碰撞、把能量傳遞給載流子，從而加速了載流子的運動——聲子牽引，這種作用會增加載流子在冷端的積累、增強seebeck效應(yīng)。半導(dǎo)體的seebeck效應(yīng)較顯著。一般，半導(dǎo)體的seebeck系數(shù)為數(shù)百mv/k，這要比金屬的高得多。因為金屬的載流子濃度和fermi能級的位置基本上都不隨溫度而變化，所以金屬的seebeck效應(yīng)必然很小，一般seebeck系數(shù)為0～10mv/k。雖然金屬的seebeck效應(yīng)很小，但是在一定條件下還是可觀的；實際上，利用金屬seebeck效應(yīng)來檢測高溫的金屬熱電偶就是一種常用的元件。產(chǎn)生金屬seebeck效應(yīng)的機理較為復(fù)雜，可從兩個方面來分析：①電子從熱端向冷端的擴散。然而這里的擴散不是濃度梯度（因為金屬中的電子濃度與溫度無關(guān)）所引起的，而是熱端的電子具有更高的能量和速度所造成的。顯然，如果這種作用是主要的，則這樣產(chǎn)生的seebeck效應(yīng)的系數(shù)應(yīng)該為負。②電子自由程的影響。因為金屬中雖然存在許多自由電子，但對導(dǎo)電有貢獻的卻主要是fermi能級附近2kt范圍內(nèi)的所謂傳導(dǎo)電子。而這些電子的平均自由程與遭受散射（聲子散射、雜質(zhì)和缺陷散射）的狀況和能態(tài)密度隨能量的變化情況有關(guān)。如果熱端電子的平均自由程是隨著電子能量的增加而增大的話，那么熱端的電子將由于一方面具有較大的能量，另一方面又具有較大的平均自由程，則熱端電子向冷端的輸運則是主要的過程，從而將產(chǎn)生seebeck系數(shù)為負的seebeck效應(yīng)；金屬al、mg、pd、pt等即如此。相反，如果熱端電子的平均自由程是隨著電子能量的增加而減小的話，那么熱端的電子雖然具有較大的能量，但是它們的平均自由程卻很小，因此電子的輸運將主要是從冷端向熱端的輸運，從而將產(chǎn)生seebeck系數(shù)為正的seebeck效應(yīng)；金屬cu、au、li等即如此。塞貝克效應(yīng)電勢差的計算公式：與分別為兩種材料的塞貝克系數(shù)。如果與不隨溫度的變化而變化，上式即可表示成如下形式：塞貝克后來還對一些金屬材料做出了測量，并對35種金屬排成一個序列（即bi-ni-co-pd-u-cu-mn-ti-hg-pb-sn-cr-mo-rb-ir-au-ag-zn-w-cd-fe-as-sb-te-……），并指出，當序列中的任意兩種金屬構(gòu)成閉合回路時，電流將從排序較前的金屬經(jīng)熱接頭流向排序較后的金屬。