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pmos，電路中的pmosnmos管是什么有什么作用

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-19 04:26:37 編輯：智能門(mén)戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，電路中的pmosnmos管是什么有什么作用
2，哪位大俠知道下面電池電壓采集調(diào)理電路中PMOS管的作用呀運(yùn)放
3，PMOS翻譯中文
4，集成電路里孤立的pmos管有什么用
5，什么是MOSNMOSPMOSCOMS
6，PMOS是什么系統(tǒng)

1，電路中的pmosnmos管是什么有什么作用

最基本的功能是做開(kāi)關(guān)，控制電路的通斷

電路中的pmosnmos管是什么有什么作用

2，哪位大俠知道下面電池電壓采集調(diào)理電路中PMOS管的作用呀運(yùn)放

運(yùn)放是比較作用，pmos結(jié)成共源放大器形式放大比較結(jié)果同時(shí)提高驅(qū)動(dòng)能力

哪位大俠知道下面電池電壓采集調(diào)理電路中PMOS管的作用呀運(yùn)放

3，PMOS翻譯中文

abbr. P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（P-channel Metal Oxide Semiconductor）

我不知道?。。?/section>

PMOS翻譯中文

4，集成電路里孤立的pmos管有什么用

所謂孤立的pmos管，就是沒(méi)有與集成電路構(gòu)成電的連接。這往往是版圖設(shè)計(jì)師為了設(shè)計(jì)或工藝的需要，利用空閑的面積，所安排的測(cè)試用元件。這樣的測(cè)試管一般有為了便于用探針測(cè)試的測(cè)試點(diǎn)。它不與電路連接，因此在電路應(yīng)用上沒(méi)有意義。

1，r1，r2的阻值應(yīng)該對(duì)調(diào)，因?yàn)槭遣捎秒妷嚎刂频膒mos管，阻值可以適當(dāng)加大，減少功耗，如r1：10k，r2：200k，而且這樣還有一個(gè)好處，大幅的減輕q11的負(fù)載，也減輕了單片機(jī)i/o口的輸出電流要求。2，因?yàn)椴磺宄愕囊蠛驼w電路，單從這個(gè)局部電路來(lái)說(shuō)，我暫時(shí)無(wú)法對(duì)加穩(wěn)壓管這方面對(duì)你提供什么建議。另，電路帶“電”，調(diào)試小心。

5，什么是MOSNMOSPMOSCOMS

MOS器件分為NMOS和PMOS,而CMOS是指互補(bǔ)的MOS管組成的電路，也就是PMOS,NMOS組成,NMOS是指溝道在柵電壓控制下p型襯底反型變成n溝道，靠電子的流動(dòng)PMOS是指 n型 p溝道，靠空穴的流動(dòng)CMOS相比Bipolar，優(yōu)點(diǎn)就是其功耗低，集成度高等等。當(dāng)然Bipolar的驅(qū)動(dòng)能力比CMOS強(qiáng)目前BiCMOS工藝就是結(jié)合了CMOS和Bipolar的優(yōu)點(diǎn)

nmos意思為n型金屬一氧化物半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為nmos晶體管; pmos是指n型襯底，p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的mos管；由mos管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為mos集成電路，由nmos和pmos兩種管子組成的互補(bǔ)mos電路即cmos電路。

6，PMOS是什么系統(tǒng)

樓主所說(shuō)的PMOS系統(tǒng)是從YunOS上進(jìn)行深層開(kāi)發(fā)而來(lái)，其采用了自主開(kāi)發(fā)的內(nèi)核實(shí)時(shí)主動(dòng)防御技術(shù)，同時(shí)通過(guò)硬件安全增強(qiáng)方式實(shí)現(xiàn)安全引導(dǎo)，防止系統(tǒng)被刷機(jī)PMOS系統(tǒng)已經(jīng)裝載到了中興生產(chǎn)的手機(jī)上并運(yùn)用于日常警務(wù)工作中，而加密的專(zhuān)用系統(tǒng)，包括安全加固的警用即時(shí)通信平臺(tái)。

pmos是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的mos管　　全稱(chēng) ： positive channel metal oxide semiconductor 　　別名： positive mos 　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(mos)晶體管可分為n溝道與p溝道兩大類(lèi)， p溝道硅mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管在n型硅襯底上有兩個(gè)p+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的n型硅表面呈現(xiàn)p型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為p溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果n型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖趐型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為p溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱(chēng)為pmos晶體管。　　p溝道m(xù)os晶體管的空穴遷移率低,因而在mos晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，pmos晶體管的跨導(dǎo)小于n溝道m(xù)os晶體管。此外，p溝道m(xù)os晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。pmos因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在nmos電路(見(jiàn)n溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為nmos電路所取代。只是,因pmos電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用pmos電路技術(shù)。　　mosfet共有三個(gè)腳，一般為g、d、s，通過(guò)g、s間加控制信號(hào)時(shí)可以改變d、s間的導(dǎo)通和截止。pmos和nmos在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類(lèi)型。簡(jiǎn)單地說(shuō)，nmos是在p型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成n型的摻雜區(qū)，作為nmos的源漏區(qū)；pmos是在n型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成p型的摻雜區(qū)，作為pmos的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱(chēng)為溝道長(zhǎng)度l，而垂直于溝道長(zhǎng)度的有效源漏區(qū)尺寸稱(chēng)為溝道寬度w。對(duì)于這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱(chēng)的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。　　pmos的工作原理與nmos相類(lèi)似。因?yàn)閜mos是n型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類(lèi)型是p型，所以，pmos的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在pmos的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于pmos柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導(dǎo)通的p型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，vgs越負(fù)(絕對(duì)值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。　　與nmos一樣，導(dǎo)通的pmos的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū)，臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然，不論nmos還是pmos，當(dāng)未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區(qū)，其電壓條件是　　vgsvtp (pmos)，　　值得注意的是，pmos的vgs和vtp都是負(fù)值。　　pmos集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。pmos集成電路采用-24v電壓供電。如圖5所示的cmos-pmos接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般cmos的電源電壓選擇在10～12v就能滿足pmos對(duì)輸入電平的要求。　　mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規(guī)模大的集成電路。　　各種場(chǎng)效應(yīng)管特性比較