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cmp工藝，乙酰丙酮的生產(chǎn)工藝

來源：整理 時間：2023-09-08 05:41:01 編輯：智能門戶 手機版

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1，乙酰丙酮的生產(chǎn)工藝

乙酰丙酮是醋酸的下游產(chǎn)品，一般由醋酸裂解成裂解氣，在經(jīng)反應(yīng)，高溫轉(zhuǎn)化生成乙酰丙酮。

乙酰丙酮的生產(chǎn)工藝

2，CMP 技術(shù)數(shù)據(jù)請教

CMP的研磨后進行3項數(shù)據(jù)的檢測。RR（研磨速率）NU（不均勻性）Particle（顆粒）。你最好把你的技術(shù)文檔發(fā)上來，看了后才能告訴你是什么。

CMP 技術(shù)數(shù)據(jù)請教

3，什么是CMP

是GMP吧 GMP是國家現(xiàn)在推行的對制藥企業(yè)的強制性認證，中文意思是：藥品生產(chǎn)質(zhì)量管理規(guī)范
CMP是由美國斯坦福大學提出的，其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP（對稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個處理器并行執(zhí)行不同的進程。與CMP比較， SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。但是，當半導體工藝進入0.18微米以后，線延時已經(jīng)超過了門延遲，要求微處理器的設(shè)計通過劃分許多規(guī)模更小、局部性更好的基本單元結(jié)構(gòu)來進行。相比之下，由于CMP結(jié)構(gòu)已經(jīng)被劃分成多個處理器核來設(shè)計，每個核都比較簡單，有利于優(yōu)化設(shè)計，因此更有發(fā)展前途。目前，IBM 的Power 4芯片和Sun的 MAJC5200芯片都采用了CMP結(jié)構(gòu)。多核處理器可以在處理器內(nèi)部共享緩存，提高緩存利用率，同時簡化多處理器系統(tǒng)設(shè)計的復雜度。

什么是CMP

4，制作工藝對CPU有什么影響

性能和線程是最明顯的，但是現(xiàn)在由于架構(gòu)沒有更新，所以區(qū)別并不大
同時多線程simultaneousmultithreading，簡稱smt。smt可通過復制處理器上的結(jié)構(gòu)狀態(tài)，讓同一個處理器上的多個線程同步執(zhí)行并共享處理器的執(zhí)行資源，可最大限度地實現(xiàn)寬發(fā)射、亂序的超標量處理，提高處理器運算部件的利用率，緩和由于數(shù)據(jù)相關(guān)或cache未命中帶來的訪問內(nèi)存延時。當沒有多個線程可用時，smt處理器幾乎和傳統(tǒng)的寬發(fā)射超標量處理器一樣。smt最具吸引力的是只需小規(guī)模改變處理器核心的設(shè)計，幾乎不用增加額外的成本就可以顯著地提升效能。多線程技術(shù)則可以為高速的運算核心準備更多的待處理數(shù)據(jù)，減少運算核心的閑置時間。這對于桌面低端系統(tǒng)來說無疑十分具有吸引力。intel從3.06ghzpentium4開始，所有處理器都將支持smt技術(shù)。 ○多核心 多核心，也指單芯片多處理器（chipmultiprocessors，簡稱cmp）。cmp是由美國斯坦福大學提出的，其思想是將大規(guī)模并行處理器中的smp（對稱多處理器）集成到同一芯片內(nèi)，各個處理器并行執(zhí)行不同的進程。與cmp比較，smt處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。但是，當半導體工藝進入0.18微米以后，線延時已經(jīng)超過了門延遲，要求微處理器的設(shè)計通過劃分許多規(guī)模更小、局部性更好的基本單元結(jié)構(gòu)來進行。相比之下，由于cmp結(jié)構(gòu)已經(jīng)被劃分成多個處理器核來設(shè)計，每個核都比較簡單，有利于優(yōu)化設(shè)計，因此更有發(fā)展前途。目前，ibm的power4芯片和sun的majc5200芯片都采用了cmp結(jié)構(gòu)。多核處理器可以在處理器內(nèi)部共享緩存，提高緩存利用率，同時簡化多處理器系統(tǒng)設(shè)計的復雜度。2005年下半年，intel和amd的新型處理器也將融入cmp結(jié)構(gòu)。新安騰處理器開發(fā)代碼為montecito，采用雙核心設(shè)計，擁有最少18mb片內(nèi)緩存，采取90nm工藝制造，它的設(shè)計絕對稱得上是對當今芯片業(yè)的挑戰(zhàn)。它的每個單獨的核心都擁有獨立的l1，l2和l3cache，包含大約10億支晶體管。

5，拋光有幾種途徑

拋光粉化學機械拋光 拋光粉拋光是為了使材料表面達到平整化的方式。傳統(tǒng)的材料平面化技術(shù)較多，如熱流法、回蝕法、旋轉(zhuǎn)式玻璃法、電子環(huán)繞共振法、低壓CVD、選擇淀積、淀積一腐蝕一淀積、等離子增強CVD等，這些技術(shù)材料平面化工藝發(fā)展中都曾被應(yīng)用，由于這些技術(shù)都屬于材料的局部平面化技術(shù)，為了能達到全局平面化，使用拋光粉做化學機械拋光技術(shù)逐步開始發(fā)展。 在上世紀的60年代起，使用拋興粉化學機械拋光技術(shù)應(yīng)用于硅襯底片的平坦化，從80年代末期開始，CMP大規(guī)模用于集成電路的ULSI拋光，目前的CMP不僅能保證超高平坦化要求，還能減少表面去除量，現(xiàn)在CMP研究的熱門是關(guān)于超薄膜的去除和平坦化。從CMP設(shè)備的發(fā)展來看，最初的CMP機臺是單頭工作的，且效率較低、自動化程度較差，目前的CMP臺己有多個機頭，可保證拋光的效率，近期日本的一些公司還研發(fā)了線性拋光機臺。 使用拋光粉做化學機械拋光是一種兼顧化學拋光和機械拋光二者優(yōu)點的一種坦化工藝技術(shù)[m-19}CMP過程可簡單歸結(jié)為:在拋光墊和拋光粉的作用下，首先由于拋光粉的化學作用使材料表面薄層部分被軟化，隨后在拋光粉、拋光墊的機械作用下將其去除，從而實現(xiàn)工件表面的高速平坦化。整個過程涉及拋光機臺和拋光消耗品，主要消耗品包括拋光粉和拋光墊，大約占據(jù)CMP總成本的60% o CMP機理與拋光粉中的化學分密切相關(guān)，拋光材料影響著CMP拋光速率和表面缺陷。 拋光粉 圖1.2是化學機械拋光設(shè)備原理圖，玻璃拋光設(shè)備系統(tǒng)大致由四部分組成:玻璃制品、拋光粉、使拋光粉與玻璃制品相互接觸的拋光臺、使拋光臺對玻璃表面研磨的拋光機。在拋光玻璃的實際過程中需要考慮很多因素，如玻璃制品、拋光設(shè)備、拋光粉及拋光臺的類型，以及玻璃制品的件數(shù)、拋光的成本、成品的產(chǎn)量和玻璃表面的質(zhì)量等。 拋光機是CMP技術(shù)的基礎(chǔ)，大多數(shù)的生產(chǎn)型拋光機臺都有多個拋頭，以適應(yīng)拋光不同材料的需要。在化學機械拋光的研究中，拋光粉是由性能優(yōu)良、顆粒均勻、分散性好、硬度適中的磨料及水和一定量的懸浮劑制備的。目前，CeOa多用于玻璃和硅片的拋光，硅片的拋光常用SiOa, CeOa, ZrOa, AlaOs, Ti0:等或它們的復合粉體。 拋光墊是在CMP過程中決定拋光速率和平坦化能力的重要消耗品之一，為了能與磨料發(fā)揮更好的作用，拋光墊通常具有一定的機械特性和多孔吸水的特性，拋光墊中的小孔能幫助傳輸磨料和提高拋光均勻性。拋光墊主要有三個基本類型:聚氨脂拋光墊、無紡布拋光墊、絨毛結(jié)構(gòu)拋光墊。

6，微電子制造工藝技術(shù)的特征是什么

光刻技術(shù):圖形的轉(zhuǎn)移
隨著科學技術(shù)的突飛猛進,半導體制造技術(shù)面臨日新月異的變化，其中12英寸、90納米技術(shù)和銅工藝">銅工藝被稱為引導半導體發(fā)展趨勢的三大浪潮。傳統(tǒng)的半導體工藝是主要采用鋁作為金屬互聯(lián)材料(interconnect)，在信號延時(signal delay)上已經(jīng)受到限制。人們尋找到了新的材料來滿足對電阻的要求，這種材料就是銅。簡單地說，銅工藝就是指以銅作為金屬互聯(lián)材料的一系列半導體制造工藝。將銅工藝融入集成電路制造工藝可以提高芯片的集成度，提高器件密度，提高時鐘頻率以及降低消耗的能量。 要達到這樣的要求就需要對工藝上做出相應(yīng)的調(diào)整。在新的工藝水平，尤其是在90納米或以下的技術(shù)節(jié)點上，主要的信號延時來自互聯(lián)電路的部分。這一部分可以用以下公式來描述： τ = rc = (ρl/wtmetal) *(kε0lw/tild) 其中τ是指 total signal delay, r是指金屬層的電阻, c是指介電層的電容，ρ是互聯(lián)金屬的電阻率，l是指長度，w是指長度，t 是指厚度， k是介電常數(shù)。由公式可見，選用 電阻率比較小的金屬材料作為互聯(lián)材料，和選用介電常數(shù)比較小的介電材料作為介電材料是降低信號延時、提高時鐘頻率的兩個主要方向。銅的電阻率為1.7μω.cm，鋁的電阻率為2.8μω.cm，所以銅更為優(yōu)越。同時由于采用銅線可以降低互聯(lián)層的厚度，所以同時也降低了上面公式中的電容c。為了進一步降低τ,產(chǎn)業(yè)界也在選擇比sio2的k值更加低的材料（即所謂的low k材料）?，F(xiàn)有的鋁材料（通常選用摻入少量cu的alcu合金材料）在器件密度進一步提高的情況下還會出現(xiàn)由電子遷移引發(fā)的可靠性問題，而銅在這方面比鋁也有很強的優(yōu)越性。當ic的電流密度超過106a/cm2時，高熔點的材料比低熔點的材料更易于發(fā)生電子遷移，原因在于前者具有更高的晶界擴散激活能。銅的熔點為1083℃，鋁的熔點為660℃，所以銅更不容易發(fā)生電子遷移。和鋁相比，銅的電子遷移失效時間要大一到兩個數(shù)量級，所以它可以在更小的互聯(lián)層厚度上通過更高的電流密度，從而降低能量消耗。推動銅工藝走向產(chǎn)業(yè)化的另一個重要原因就是和傳統(tǒng)的鋁工藝相比，銅工藝采用了damascene工藝，減少了金屬互聯(lián)的層數(shù)，從而降低了成本。之所以采用damascene工藝，主要原因在于銅本身不能夠和象鋁一樣，與其它刻蝕氣體產(chǎn)生氣態(tài)的副產(chǎn)品，所以只能采用這種先刻蝕再充填金屬互聯(lián)材料的模式。 自從ibm公司在1985年引入銅，許多關(guān)于銅工藝的研發(fā)工作都取得了實效。主要包括制造damascene結(jié)構(gòu)的damascene工藝、cu cmp (chemical mechanical polishing) 工藝和ecp (electroplating) 工藝等（見圖1）。 圖1. 銅工藝的dual damascene 結(jié)構(gòu)流程示 由于銅的擴散會引起器件的所謂“中毒效應(yīng)”，所以在和source/drain和gate區(qū)域的接觸金屬仍然選用重金屬鎢。其余的互聯(lián)金屬都可以采用銅，其中的via可以采用single damascene，也可以采用dual damascene結(jié)構(gòu)。在damascene結(jié)構(gòu)經(jīng)過cvd, etch 等工藝后，就形成了via的結(jié)構(gòu)。為了防止銅在si 和sio2中的擴散，所以必須在via上沉積一層阻擋層，然后再沉積一層很薄的銅作為ecp的導電介質(zhì)，也作為電鍍銅的金屬晶體生長的晶核層。由ecp產(chǎn)生電鍍銅層。接著的工藝是cmp，主要是磨掉多余的銅，同時將硅片表面磨平。其中的機制主要包括用微小顆粒對表面的機械摩擦和對摩擦材料的化學清洗，摩擦和化學清洗的載體，即所謂的漿料(slurry)，是整個銅工藝制造成本比較高的部分。 經(jīng)過近幾年的發(fā)展，銅工藝已經(jīng)日臻成熟，進入量產(chǎn)階段，現(xiàn)在的銅工藝主要應(yīng)用于電腦的中央處理器、服務(wù)器、通訊及消費應(yīng)用產(chǎn)品各領(lǐng)域?qū)φw產(chǎn)品表現(xiàn)、高密度及低耗電有極高要求的產(chǎn)品。與此同時，降低rc的另一條有效途徑，是選用低介電常數(shù)的low k的材料作為介電材料。單純采用銅來代替鋁作為互聯(lián)材料可以降低rc 大約40%，而low k能夠降低成本rc的程度則決定于選擇材料的k值大小。low k 技術(shù)還初于初期的研發(fā)階段和試產(chǎn)階段，目前還面臨著一些集成(intergration)問題，將是未來發(fā)展，特別是在90納米技術(shù)及以下的結(jié)點上，一個重要的趨勢。
文章TAG：工藝乙酰丙酮生產(chǎn)生產(chǎn)工藝cmp工藝

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