强奸久久久久久久|草草浮力在线影院|手机成人无码av|亚洲精品狼友视频|国产国模精品一区|久久成人中文字幕|超碰在线视屏免费|玖玖欧洲一区二区|欧美精品无码一区|日韩无遮一区二区

首頁(yè) > 資訊 > 問(wèn)答 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管是什么樣的元件在電路中有哪些功能

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管是什么樣的元件在電路中有哪些功能

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-16 01:30:29 編輯：智能門(mén)戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，場(chǎng)效應(yīng)管是什么樣的元件在電路中有哪些功能

主要有３類。 ＪＦＥＴ結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ＭＥＳＦＥＴ金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，主要用于高速，高頻集成電路。 ＭＯＳＦＥＴ金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，應(yīng)用非常廣泛，絕大多數(shù)集成電路采用該晶體管。 它們都是電路最基本的元件。

場(chǎng)效應(yīng)管是什么樣的元件在電路中有哪些功能

2，什么是場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及主要應(yīng)用在什么場(chǎng)合

您所指的晶體管應(yīng)該是國(guó)內(nèi)習(xí)慣的以晶體管特指晶體三極管三極管是一種控制元件，主要用來(lái)控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號(hào)從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地）。場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要作用1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 　　2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。 　　3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 　　4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 　　5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

什么是場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及主要應(yīng)用在什么場(chǎng)合

3，什么叫做場(chǎng)效應(yīng)管有什么音箱在用有什么好處呢

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。目前多媒體音箱方面，主要是麥博在使用場(chǎng)效應(yīng)管，比如說(shuō)經(jīng)典的FC260、FC280等產(chǎn)品。
用來(lái)作為開(kāi)關(guān)器件，實(shí)現(xiàn)變壓器的高頻輸入。 當(dāng)然也不是必須用場(chǎng)效應(yīng)管的，有的也可以采用三極管，但相對(duì)于三極管來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性更高，內(nèi)阻更小，溫升更低就是啦

什么叫做場(chǎng)效應(yīng)管有什么音箱在用有什么好處呢

4，場(chǎng)效應(yīng)晶體管

它是一種在三極管，場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件，這一點(diǎn)類似于電子管的三極管，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：場(chǎng)效應(yīng)管（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID； （2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。 （3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好； （4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)； （5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； （6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

5，什么叫場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱 單極型晶體管 。
1.概念:場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫(xiě)(fet)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（100000000～1000000000ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.作用:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān).場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(mos)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種.按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為n溝耗盡型和增強(qiáng)型;p溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.見(jiàn)下圖 :3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓ugs=0時(shí)的漏源電流.up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gm — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓ugs — 對(duì)漏極電流id的控制能力,即漏極電流id變化量與柵源電壓ugs變化量的比值.gm 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).bvds — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓ugs一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于bvds.pdsm — 最大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于pdsm并留有一定余量.idsm — 最大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)idsm4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:判定柵極g:將萬(wàn)用表?yè)苤羠×1k檔,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為n溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為p溝道.判定源極s、漏極d:在源-漏之間有一個(gè)pn結(jié),因此根據(jù)pn結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別s極與d極.用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是s極,紅表筆接d極.5.常效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性 場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有n溝道和p溝道兩種導(dǎo)電溝道。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（jfet）（1）結(jié)構(gòu)原理 它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見(jiàn)圖1。在n型硅棒兩端引出漏極d和源極s兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)p區(qū)，形成兩個(gè)pn結(jié)。在p區(qū)引出電極并連接起來(lái)，稱為柵極go這樣就構(gòu)成了n型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管 圖1、n溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)由于pn結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故pn基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見(jiàn)，當(dāng)漏極電源電壓ed一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，pn結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流id就愈?。环粗?，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬，id變大，所以用柵極電壓eg可以控制漏極電流id的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓vgs=0時(shí)的漏源電流。用idss表示。vgs變負(fù)時(shí)，id逐漸減小。id接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用vp表示，在0≥vgs≥vp的區(qū)段內(nèi)，id與vgs的關(guān)系可近似表示為：id=idss（1-|vgs/vp|）其跨導(dǎo)gm為：gm=（△id/△vgs）|vds=常微（微歐）|式中：△id------漏極電流增量（微安）------△vgs-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線 很相似。①可變電阻區(qū)（圖中i區(qū)）在i區(qū)里vds比較小，溝通電阻隨柵壓vgs而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，id隨vds近似線性增大，當(dāng)vgs＜vp時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。ip=0；當(dāng)vgs=0時(shí)，漏源極間電阻很小（導(dǎo)通），id=idss。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開(kāi)關(guān)作用。②恒流區(qū)（區(qū)中ii區(qū)）當(dāng)漏極電壓vds繼續(xù)增大到vds＞|vp|時(shí)，漏極電流，ip達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的vgs漏極特性曲線近似平行線，即id與vgs成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中ⅲ區(qū)）如果vds繼續(xù)增加，以至超過(guò)了pn結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流id突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱mos場(chǎng)效應(yīng)管。（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見(jiàn)圖3所示，以一塊p型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的n型區(qū)，作為源極s和漏極d。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極g（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。圖3、n溝道（耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的n區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在vgs=0時(shí)也有較大的漏極電流id。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；idss為飽和漏電流。圖4（b）給出了n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中vr為開(kāi)啟電壓，當(dāng)柵極電壓超過(guò)vt時(shí)，漏極電流才開(kāi)始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了n溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖5(b)為n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線 。 圖4、n溝道m(xù)os場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、n溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線此外還有n襯底p溝道（見(jiàn)圖1）的場(chǎng)效應(yīng)管，亦分為耗盡型號(hào)增強(qiáng)型兩種，各種場(chǎng)效應(yīng)器件的分類，電壓符號(hào)和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性） 二、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓vp當(dāng)vds為某一固定數(shù)值，使ids等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓vgs就是夾斷電壓vp。2、飽和漏電流idss在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于vp時(shí)的漏極電流稱為idss。3、擊穿電壓bvds表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開(kāi)始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的vds。4、直流輸入電阻rgs在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過(guò)柵極的電流來(lái)表示，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的rgs可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的rgs可超過(guò)10000000000000歐。5、低頻跨導(dǎo)gm漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即gm= △id/△vgs它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應(yīng)變化多少微安（μa/v）或毫安（ma/v）來(lái)表示

6，什么是場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流大小的半導(dǎo)體器件，按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（Junction Field Effect Transistor，JFET）金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MEtal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET）高速電子遷移率電晶體（High Electron Mobility Transistor，HEMT）異質(zhì)介面雙載子電晶體（Hetero-junction Bipolar Transistor，HBT）調(diào)制雜場(chǎng)效應(yīng)管（Modulation Doped Field Effect Transistor，MODFET）場(chǎng)效應(yīng)管體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)，并具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，因而應(yīng)用范圍廣，特別在大規(guī)模集成電路（LSI）和超大規(guī)模集成電路（VLSI）中得到廣泛應(yīng)用。
場(chǎng)效應(yīng)管 根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點(diǎn):具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.作用:場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān).場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類:場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類.見(jiàn)下圖 :3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.Ut — 開(kāi)啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對(duì)漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 最大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 最大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:判定柵極G:將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為P溝道.判定源極S、漏極D:在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極.用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極.5.常效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性 場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電溝道。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）（1）結(jié)構(gòu)原理 它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見(jiàn)圖1。在N型硅棒兩端引出漏極D和源極S兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側(cè)各做一個(gè)P區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。在P區(qū)引出電極并連接起來(lái)，稱為柵極Go這樣就構(gòu)成了N型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管 圖1、N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1中可見(jiàn)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖2（a）給出了N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓---漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓VGS=0時(shí)的漏源電流。用IDSS表示。VGS變負(fù)時(shí)，ID逐漸減小。ID接近于零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP表示，在0≥VGS≥VP的區(qū)段內(nèi)，ID與VGS的關(guān)系可近似表示為：ID=IDSS（1-|VGS/VP|）其跨導(dǎo)gm為：gm=（△ID/△VGS）|VDS=常微（微歐）|式中：△ID------漏極電流增量（微安）------△VGS-----柵源電壓增量（伏）圖2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線2）漏極特性（輸出特性）圖2(b)給出了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸出特性曲線 很相似。①可變電阻區(qū)（圖中I區(qū)）在I區(qū)里VDS比較小，溝通電阻隨柵壓VGS而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，ID隨VDS近似線性增大，當(dāng)VGS＜VP時(shí)，漏源極間電阻很大（關(guān)斷）。IP=0；當(dāng)VGS=0時(shí)，漏源極間電阻很?。▽?dǎo)通），ID=IDSS。這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開(kāi)關(guān)作用。②恒流區(qū)（區(qū)中II區(qū)）當(dāng)漏極電壓VDS繼續(xù)增大到VDS＞|VP|時(shí)，漏極電流，IP達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的VGS漏極特性曲線近似平行線，即ID與VGS成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。③擊穿區(qū)（圖中Ⅲ區(qū)）如果VDS繼續(xù)增加，以至超過(guò)了PN結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬---氧化物---半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。（1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見(jiàn)圖3所示，以一塊P型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的N型區(qū)，作為源極S和漏極D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引出一個(gè)電極G（柵極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。圖3、N溝道（耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。（2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性（柵壓----漏流特性）圖4（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中Vp為夾斷電壓（柵源截止電壓）；IDSS為飽和漏電流。圖4（b）給出了N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線，圖中Vr為開(kāi)啟電壓，當(dāng)柵極電壓超過(guò)VT時(shí)，漏極電流才開(kāi)始顯著增加。2）漏極特性（輸出特性）圖5（a）給出了N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。圖5(b)為N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線 。 圖4、N溝道MOS場(chǎng)效管的轉(zhuǎn)移特性曲線圖5、N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線此外還有N襯底P溝道（見(jiàn)圖1）的場(chǎng)效應(yīng)管，亦分為耗盡型號(hào)增強(qiáng)型兩種，各種場(chǎng)效應(yīng)器件的分類，電壓符號(hào)和主要伏安特性（轉(zhuǎn)移特性、輸出特性） 二、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1、夾斷電壓VP當(dāng)VDS為某一固定數(shù)值，使IDS等于某一微小電流時(shí)，柵極上所加的偏壓VGS就是夾斷電壓VP。2、飽和漏電流IDSS在源、柵極短路條件下，漏源間所加的電壓大于VP時(shí)的漏極電流稱為IDSS。3、擊穿電壓BVDS表示漏、源極間所能承受的最大電壓，即漏極飽和電流開(kāi)始上升進(jìn)入擊穿區(qū)時(shí)對(duì)應(yīng)的VDS。4、直流輸入電阻RGS在一定的柵源電壓下，柵、源之間的直流電阻，這一特性有以流過(guò)柵極的電流來(lái)表示，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可達(dá)1000000000歐而絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的RGS可超過(guò)10000000000000歐。5、低頻跨導(dǎo)gm漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微數(shù)變量之比，稱為跨導(dǎo)，即gm= △ID/△VGS它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)，也是衡量放大作用的重要參數(shù)，此參靈敏常以柵源電壓變化1伏時(shí)，漏極相應(yīng)變化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）來(lái)表示
即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015ω）。它也分n溝道管和p溝道管。通常是將襯底（基板）與源極s接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，mosfet又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)vgs=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的vgs后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)vgs=0時(shí)即形成溝道，加上正確的vgs時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。 場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法 現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母j代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,o代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,d是p型硅,反型層是n溝道;c是n型硅p溝道。例如,3dj6d是結(jié)型n溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3do6c 是絕緣柵型n溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。 第二種命名方法是cs××#,cs代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如cs14a、cs45g等。
三極管是電流控制型器件，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件。 通過(guò)控制三極管的Ib可以使三極管工作在導(dǎo)通、截止、放大三種狀態(tài)。 通過(guò)控制場(chǎng)效應(yīng)管的Vge可以使場(chǎng)效應(yīng)管工作在導(dǎo)通、截止、放大三種狀態(tài)。
文章TAG：場(chǎng)效應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管

最近更新

  • 南方新浪大數(shù)據(jù),南方大數(shù)據(jù)100A南方新浪大數(shù)據(jù),南方大數(shù)據(jù)100A

    南方Da數(shù)據(jù)100基金投資范圍:南方Da數(shù)據(jù)100本基金主要投資于標(biāo)的指數(shù)股票和備選股票。課程框架是科大零基礎(chǔ)課程數(shù)據(jù)工程師，大學(xué)數(shù)據(jù)應(yīng)該學(xué)什么課程？以下課程主要針對(duì)零基礎(chǔ)大學(xué)數(shù)據(jù)工程.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • 寬帶接入網(wǎng)，如何接入網(wǎng)絡(luò)寬帶接入網(wǎng)，如何接入網(wǎng)絡(luò)

    如何接入網(wǎng)絡(luò)2，如何設(shè)置才能連接寬帶上網(wǎng)3，怎樣連接網(wǎng)絡(luò)4，寬帶骨干網(wǎng)寬帶接入網(wǎng)有什么區(qū)別關(guān)系5，寬帶如何連接路由器聯(lián)網(wǎng)6，請(qǐng)問(wèn)寬帶有幾種接入方式1，如何接入網(wǎng)絡(luò)開(kāi)機(jī)寬帶自動(dòng)連接設(shè)置方法如.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • ad導(dǎo)出bom，在AD9的PCB中怎么導(dǎo)出BOM分別將元件所在層和絲印所在層導(dǎo)出ad導(dǎo)出bom，在AD9的PCB中怎么導(dǎo)出BOM分別將元件所在層和絲印所在層導(dǎo)出

    在AD9的PCB中怎么導(dǎo)出BOM分別將元件所在層和絲印所在層導(dǎo)出2，altiumdesigner怎么從pcb生成bom3，pads95版本怎么導(dǎo)出BOM清單4，ad導(dǎo)出bom物料表不全5，AD出BOM時(shí)關(guān)于元件的排序有什么技巧沒(méi)6，P.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • 科沃斯機(jī)器人紅燈科沃斯機(jī)器人紅燈

    節(jié)沃斯掃地機(jī)器人無(wú)法充電，節(jié)沃斯掃地機(jī)器人充電顯示紅色節(jié)沃斯掃地-2。Section沃斯掃地機(jī)器人ds566首次充電燈紅燈題主是否想問(wèn)“Section沃斯掃地機(jī)器人ds566首次充電燈/。1、科沃斯掃.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • 金屬膜電阻，金屬膜電阻與碳膜電阻的區(qū)別是什么金屬膜電阻，金屬膜電阻與碳膜電阻的區(qū)別是什么

    金屬膜電阻與碳膜電阻的區(qū)別是什么2，金屬膜電阻的大小和功率的關(guān)系3，金膜電阻和炭膜電阻怎么區(qū)分4，金屬膜電阻和碳膜電阻的區(qū)別以及如何區(qū)分5，什么是金膜電阻6，金屬膜電阻的鑒別區(qū)分1，金屬膜.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • 清末機(jī)器人清末機(jī)器人

    哆啦a夢(mèng)7，大家的絕技是什么？我四年級(jí)的時(shí)候，突然夢(mèng)想成為一名漫畫(huà)家。之后我不懈努力學(xué)習(xí)畫(huà)漫畫(huà)，整個(gè)人的性格都變了，以下是我所知道的全部:胖虎的妹妹胖虎的妹妹真名不詳，而大雄等人則在胖.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • 新三板匯報(bào)數(shù)據(jù),三板交易看不到交易數(shù)據(jù)新三板匯報(bào)數(shù)據(jù),三板交易看不到交易數(shù)據(jù)

    新三板上市金融數(shù)據(jù)有效期6個(gè)月。根據(jù)中國(guó)證監(jiān)會(huì)公告，新三板上市金融數(shù)據(jù)有效期為6個(gè)月，新三板借殼上市需要多少年的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)申請(qǐng)上市時(shí)應(yīng)提供三年的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)，必須真實(shí)、完整、準(zhǔn)確，必須經(jīng).....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

  • 智能電容器，智能電容器的作用是什么是用來(lái)做什么用的智能電容器，智能電容器的作用是什么是用來(lái)做什么用的

    智能電容器的作用是什么是用來(lái)做什么用的2，智能電容是做什么用的我們?yōu)槭裁匆褂弥悄茈娙萜?，智能電容器的基本功能4，智能電容器有甚么好處5，什么是智能電力電容器6，什么是智能電容器1，智能.....

    【問(wèn)答】 日期：2023-08-16

相關(guān)文章